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  • 集成電路Cu互連線(xiàn)的XRD研究

    對(duì)硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對(duì)比了直流電鍍和脈沖電鍍?cè)谟刑砑觿┖蜔o(wú)添加劑條件下的織構(gòu)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，對(duì)于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線(xiàn)中有較好的抗電遷移性能。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒(méi)有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過(guò)適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。

    模擬
    2009-04-16
    器件 電容 BOX BSP

  • ∑-△ADC的降采樣濾波器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的降采樣低通濾波器的設(shè)計(jì)和實(shí) 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補(bǔ)償技術(shù)對(duì)通帶的下降進(jìn)行補(bǔ)償，最后級(jí)聯(lián)三個(gè)半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工藝實(shí)現(xiàn)，系統(tǒng)仿真和芯片測(cè)試結(jié)果表明，性能滿(mǎn)足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。與傳統(tǒng)音頻領(lǐng)域的∑-△ADC應(yīng)用相比，該設(shè)計(jì)在很大程度上拓展了處理帶寬，提高了處理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要應(yīng)用于醫(yī)療儀器、移動(dòng)通信、過(guò)程控制和PDA(personal digital assistants)等領(lǐng)域。

  • SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

    使用國(guó)產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。

    模擬
    2009-04-16
    波段 GAN SIC BSP

  • Mouser 與Linx Technologies達(dá)成全球經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議

    Mansfield, Texas, USA—2009年4月15日—Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser 與Linx Technologies達(dá)成全球經(jīng)銷(xiāo)協(xié)議。Linx Technologies是多用途射頻產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商。它創(chuàng)建于

  • Toshiba帶來(lái)能量密度提高1.5倍的車(chē)輛電池

    東芝已經(jīng)開(kāi)發(fā)新型的電動(dòng)車(chē)輛鋰離子電池，它采用全新的鈦酸鋰材料作為負(fù)極，因此它的能量密度比現(xiàn)有的電池要高，提高到100Wh/kg。該產(chǎn)品有望在今年秋季上市，它當(dāng)前樣本的容量為20Ah，輸出的功率密度為1,000W/kg。相比

  • 一種應(yīng)用于SoC的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

    本文提出了一種應(yīng)用于SoC的高速高精度DAC的設(shè)計(jì)，并在深亞微米CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)了IP硬核形式的設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)在高速條件下具有良好的性能，且功耗與面積都較小，能夠有效滿(mǎn)足通信、測(cè)量、自動(dòng)控制、多媒體等領(lǐng)域的SoC系統(tǒng)設(shè)計(jì)的應(yīng)用需求。

  • 英特爾09年Q1凈利6.47億 繼續(xù)保持22年盈利記錄

    4月15日消息，英特爾(博客)今天公布了2009年第一財(cái)季財(cái)報(bào)，營(yíng)收71億美元，同比下滑26%；凈利潤(rùn)6.47億美元，同比下降55%，業(yè)績(jī)結(jié)果略微超過(guò)分析師預(yù)期。 在上一財(cái)季受金融危機(jī)沖擊，利潤(rùn)下滑90%之后，英特爾CEO歐德寧

  • 臺(tái)塑集團(tuán)看好內(nèi)存業(yè) 美光技術(shù)成上選

    臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科董事長(zhǎng)吳嘉昭近日表示，臺(tái)塑集團(tuán)會(huì)在DRAM領(lǐng)域堅(jiān)持走下去，而美光技術(shù)在當(dāng)下是「上選」，如果政府不幫忙，南科和華亞科也會(huì)自強(qiáng)，將辦理增資，改善財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。吳嘉昭指出，南科在DRAM制程技術(shù)研發(fā)說(shuō)可

  • 電控柜的兼容設(shè)計(jì)

    文章介紹了電磁干擾的基本概念和造成電磁干擾的因素，從這些因素入手實(shí)現(xiàn)電控柜電磁兼容的主要方法。

  • 東芝計(jì)劃批量生產(chǎn)特殊鋰電池 最快90秒充完電

    據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道,東芝已準(zhǔn)備批量生產(chǎn)用于油電混合車(chē)的快速充電鋰電池,其輸出功率在同類(lèi)電池之中為最高.報(bào)導(dǎo)稱(chēng),東芝的SCiB電池功率已提高三倍至3900瓦.此款電池最快可以在90秒鐘完成充電,因此適合用于充電式油電混

  • 光伏企業(yè)的苦果 淪為金融危機(jī)的“買(mǎi)單者”

    無(wú)錫尚德去年第四季度虧損6590萬(wàn)美元，毛利率也從21.8%狂跌至0.6%，更爆出裁員數(shù)千人的負(fù)面消息。無(wú)獨(dú)有偶，和尚德有密切經(jīng)營(yíng)關(guān)系的江西賽維(LDK)，去年第四季凈虧損也達(dá)1.331億美元。時(shí)至2009年的3月，上述兩家光伏

  • 基于ARM和CPLD的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    在ARM微處理器中移入嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μC/OS-II，使系統(tǒng)的穩(wěn)定性、實(shí)時(shí)性得到保證，實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)將應(yīng)用分解成多任務(wù)，簡(jiǎn)化了應(yīng)用系統(tǒng)軟件的設(shè)計(jì)；采用CPLD器件集成了電路的全部控制功能，擺脫了單純用由微控制器為核心的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)時(shí)的速度瓶頸，極大提高了數(shù)據(jù)采集速度。整個(gè)系統(tǒng)具有速度高、實(shí)時(shí)性好、抗干擾能力強(qiáng)、性?xún)r(jià)比高等特點(diǎn)。

  • 超寬帶平面天線(xiàn)中實(shí)現(xiàn)頻帶抑制的方法

    超 寬帶天線(xiàn)在軟件無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)、寬帶無(wú)線(xiàn)接入、電子對(duì)抗、探地雷達(dá)和電磁兼容測(cè)量等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著超寬帶平面單極子天線(xiàn)研究的深入及其廣泛應(yīng) 用，在FCC(Federal Communications Commission)分配的UW

  • 帶通濾波器的應(yīng)用電路

    帶通濾波器應(yīng)用非常廣泛，下面列舉幾個(gè)典型帶通濾波器的應(yīng)用電路。1．高Q值的帶通濾波器如圖所示為高0值的帶通濾波器。圖中，A１，A2是高輸人阻抗型集成運(yùn)放SF356。第一級(jí)是普通單級(jí)濾波器，其Q值較低，R3的值較小，

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