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臺積電擬100億美元投建Fab16晶圓廠
隨著28nm制造工藝成熟度邁上90%，臺積電已經(jīng)開始為其日后產(chǎn)能的保證進行新一輪的籌備。最新報道稱，臺積電計劃投資100億美元新建Fab16300mm晶圓廠，投產(chǎn)后月產(chǎn)能在10萬片。再加上其它三座工廠，屆時臺積電300mm晶圓月
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在單端應(yīng)用中采用差分 I/O 放大器
引言 最近在低壓硅鍺和 BiCMOS 工藝技術(shù)領(lǐng)域的進步已經(jīng)允許設(shè)計和生產(chǎn)速度非常高的放大器了。因為這些工藝技術(shù)是低壓的，所以大多數(shù)放大器的設(shè)計都納入了差分輸入和輸出，以恢復(fù)并最大限度地提高總的輸出信號擺幅
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一種EOC專用雙工濾波器的仿真設(shè)計與實現(xiàn)
摘要 闡述了EOC設(shè)備上雙工濾波器的設(shè)計方法。濾波器由LC低通濾波器和LC高通濾波器組合而成，通過ADS2005仿真計算，研究了貼片電容和空心線圈電感，在FR-4板材上實現(xiàn)高性能濾波器的可行性。通過優(yōu)化設(shè)計，提高了隔離度
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5～12GHz新型復(fù)合管寬帶功率放大器設(shè)計
摘要 利用一種新型HBT復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計了一款寬帶功率放大器，有效抑制了HBT的大信號Kink效應(yīng)。采用微波仿真軟件AWR對電路結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化和仿真，結(jié)果顯示，在5～12 GHz頻帶內(nèi)，復(fù)合晶體管結(jié)構(gòu)的輸出阻抗值更穩(wěn)定，
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晶圓代工明年第一季可望縮減降價幅度
路透臺北12月15日電本地經(jīng)濟日報周三報導(dǎo),目前正值晶圓雙雄臺積電(2330.TW: 行情)、聯(lián)電(2303.TW: 行情)正與客戶洽談明年第一季代工合約價.兩家公司已將匯率因素納入考量,縮減降價幅度,可望出現(xiàn)"變相漲價".報導(dǎo)指出,
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IDM加強與中國大陸廠技術(shù)合作 臺封測廠壓力漸增
中國大陸IC封測技術(shù)已往高階制程移動，并且藉著半導(dǎo)體群聚效應(yīng)進行區(qū)域整并，競爭力逐漸提升，例如江蘇長電已在2009年正式擠進全球前10大封測廠，加上整合元件廠(IDM)逐步與大陸合作，大陸本土IC封測業(yè)已開始進入蓬勃
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臺積電擬100億美元投建Fab 16晶圓廠
隨著28nm制造工藝成熟度邁上90%，臺積電已經(jīng)開始為其日后產(chǎn)能的保證進行新一輪的籌備。最新報道稱，臺積電計劃投資100億美元新建Fab 16 300mm晶圓廠，投產(chǎn)后月產(chǎn)能在10萬片。再加上其它三座工廠，屆時臺積電300mm晶圓
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封測客戶明年首季砍價不手 軟邏輯IC記憶體降幅5~10%
年關(guān)將屆，各家封測廠開始與客戶端協(xié)商2011年首季代工報價，然情況卻不樂觀，由于邏輯IC和記憶體封測客戶皆面臨沉重成本壓力，要求后段廠能降價且幅度從5%起跳，尤其記憶體封測客戶砍價毫不手軟，要求降幅逼近10%，明
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封測廠：新臺幣急升多項利空發(fā)酵 2011年首季罩烏云
新臺幣匯率急升，突破30元兌1美元關(guān)卡，讓以外銷為主的電子業(yè)心驚膽顫。封測業(yè)原本預(yù)估以新臺幣匯率30.5元作為預(yù)估第4季營收預(yù)測基礎(chǔ)，如今升破30元，業(yè)者預(yù)計對第4季營收影響不大。然而新臺幣匯率不利于2011年首季營
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記憶體封測廠11月營收
記憶體封測族群下半年營收表現(xiàn)相對突出。力成11月營收為新臺幣33.51億元，較上月微幅增加，創(chuàng)下新高記錄。該公司表示，爾必達(Elpida)雖然針對標準型DRAM進行減產(chǎn)，但也持續(xù)增加Mobile DRAM的訂單，希望12月營收也能
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晶圓代工：美元續(xù)貶 納入價格考量
新臺幣兌美元升破30元關(guān)卡，晶圓代工營收與獲利都備受考驗，因此近期包括臺積電與聯(lián)電在與客戶洽談2011年價格時，皆將匯率納入價格考量中，至于整體第4季匯率與先前預(yù)估的出入不大，因此營收則仍在財測范圍內(nèi)。
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中芯國際將采用Cadence技術(shù)作為構(gòu)建其65納米參考流程
Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司宣布，中芯國際集成電路制造有限公司已經(jīng)將Cadence Silicon Realization產(chǎn)品作為其65納米參考流程4.1版本（Reference Flow 4.1）可制造性設(shè)計（DFM）以及低功耗技術(shù)的核心。以Cadence Encounter
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2010年半導(dǎo)體封裝年度總結(jié)
2010年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界，以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV（硅貫通孔）的三維積層等創(chuàng)新技術(shù)，但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。 2010年1月，SEMI公布了關(guān)于銅
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十速TP6706控制晶片支援MEMS應(yīng)用
十速科技全速進入微機電系統(tǒng)(MEMS)系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域。據(jù)了解，該公司日前發(fā)表TP6706控制晶片，其最新功能包含雙軸陀螺儀(Gyroscope)的 特殊演算法加上3軸加速度計(G-sensor)角度補償計算，TP6706可搭配外部微控制器(MCU)
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IEK：金銅封裝價差明年拉大到3成，更刺激需求
工研院產(chǎn)業(yè)中心(IEK)產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君認為，2011年金銅封裝價格的差距將會明顯拉大，預(yù)估銅打線封裝的價格將會低于金線30%，更加刺激市場需求浮現(xiàn)。國際期銅價格近來飆破9200美元/噸，再創(chuàng)歷史新高，相對以盎司計價的
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