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臺積電與GLOBALFOUNDRIES面臨首次對決

2011年1月1日，東芝實(shí)施了系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)重組。其關(guān)鍵措施是，將部分40nm工藝SoC（System On A Chip）及32/28nm工藝以后的SoC生產(chǎn)，委托給包括韓國三星電子（Samsung Electronics）在內(nèi)的數(shù)家芯片代工（Foundry）企業(yè)。

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2011-01-21

臺積電 GLOBALFOUNDRIES LSI 芯片代工
華力微電子4月初試產(chǎn) 半導(dǎo)體業(yè)909工程升級

中國半導(dǎo)體行業(yè)的909工程升級項(xiàng)目——上海華力微電子有限公司(下稱“華力”)將于今年4月初試產(chǎn)。這也是迄今為止首個完全由國有資金投資的12英寸半導(dǎo)體工廠項(xiàng)目?！兜谝回斀?jīng)日報》從華力官網(wǎng)看到，1月17日，華力的經(jīng)營

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2011-01-21

英特爾微電子臺積電
匯豐：臺積電下半年毛利有隱憂

晶圓代工龍頭臺積電，下周即將舉行法說會，匯豐環(huán)球證券分析師鮑禮信（Steve Pelayo）預(yù)估，多項(xiàng)產(chǎn)品晶片需求拉抬下，單季獲利將優(yōu)于預(yù)期，單季獲利可望達(dá)391億元，但由于下半年毛利率有隱憂，因此仍維持中立評等，目

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2011-01-21

晶片晶圓代工臺積電
CEA-Leti將啟動專門用于三維積層技術(shù)的300mm研發(fā)生產(chǎn)線

法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti于2011年1月19日（當(dāng)?shù)貢r間）宣布，將在本月內(nèi)啟動專門用于三維積層技術(shù)研發(fā)和試制的300mm生產(chǎn)線。該機(jī)構(gòu)表示，構(gòu)建專門用于三維積層技術(shù)的研發(fā)生產(chǎn)線“在歐洲尚屬首次”。據(jù)悉，此次生產(chǎn)線

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2011-01-21

晶圓 CMOS CE
聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)研發(fā)有成　預(yù)計今年量產(chǎn)

晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，聯(lián)電)日前宣布成功為客戶產(chǎn)出微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)感測器晶片，預(yù)計于今年進(jìn)入量產(chǎn)；該公司表示其三年來投入 CMOS-MEMS 技術(shù)的研發(fā)，終于獲得豐碩的成果。

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2011-01-21

聯(lián)電感測器 CMOS MEMS技術(shù)
小摩續(xù)喊進(jìn)臺積電

整合元件大廠委外代工釋單將持續(xù)激勵晶圓代工的成長，摩根大通證券認(rèn)為，臺積電(2330)產(chǎn)能已跟上委外趨勢，預(yù)期臺積電三座12寸超大晶圓廠(GigaFab)產(chǎn)能將較去年第四季倍增，此外，臺積電去年第四季毛利率達(dá)到先前預(yù)期

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2011-01-20

元件晶圓代工晶圓廠臺積電
起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并模擬的方法

瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機(jī)電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當(dāng)設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在&ldquo

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2011-01-20

晶體管模擬 SRAM LSI
單點(diǎn)溫度保護(hù)系統(tǒng)的容錯邏輯設(shè)計

為了提高溫度保護(hù)系統(tǒng)的可靠性，在溫度保護(hù)的邏輯設(shè)計中可采用容錯設(shè)計，即盡可能考慮測溫環(huán)節(jié)在運(yùn)行中容易出現(xiàn)的故障，并通過預(yù)先設(shè)置的邏輯措施來識別錯誤的溫度信號，以防保護(hù)系統(tǒng)誤動。

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2011-01-20

溫度保護(hù)系統(tǒng) 邏輯設(shè)計軸承
半導(dǎo)體業(yè)909工程升級華力微電子4月初試產(chǎn)

中國半導(dǎo)體行業(yè)的909工程升級項(xiàng)目——上海華力微電子有限公司(下稱“華力”)將于今年4月初試產(chǎn)。這也是迄今為止首個完全由國有資金投資的12英寸半導(dǎo)體工廠項(xiàng)目?！兜谝回斀?jīng)日報》從華力官網(wǎng)看到，1月17日，華力的經(jīng)營

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2011-01-20

英特爾微電子臺積電
GlobalFoundries宣布其28納米制程服務(wù)已準(zhǔn)備就緒

晶圓代工業(yè)者GlobalFoundries與其EDA、IP供貨商伙伴共同宣布，已經(jīng)完成28納米CMOS制程的數(shù)字設(shè)計流程驗(yàn)證；該制程命名為“超低功耗(superlowpower，SLP)”，包含閘優(yōu)先(gate-first)的高介電金屬閘極堆棧(high-kmetal

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2011-01-20

布線 IP DFM GLOBALFOUNDRIES
有源電力濾波器三種基波提取方法的對比分析

1 引言隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展, 電網(wǎng)中增加了大量的非線性負(fù)載,如大容量變流設(shè)備、變頻設(shè)備、開關(guān)電源等的廣泛應(yīng)用,導(dǎo)致大量諧波的產(chǎn)生,這些諧波使電網(wǎng)電壓和電流波形發(fā)生畸變,使得電能質(zhì)量日益下降。

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2011-01-20

有源電力濾波器 IP IC BSP
聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

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2011-01-20

聯(lián)電 MEMS CMOS 感測芯片
IBM與ARM達(dá)成芯片制造合作協(xié)議

2010年1月19日國際報道：IT巨頭IBM負(fù)責(zé)芯片設(shè)計和制造的微電子事業(yè)部與ARM控股公司簽署合作協(xié)議，確保他們ARM芯片的許可證授權(quán)可以進(jìn)行ARM芯片的制造和研發(fā)。ARM控股公司自2008年以來一直與IBM公司微電子事業(yè)部進(jìn)行

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2011-01-20

IBM 芯片制造 ARM ARM芯片
聯(lián)電MEMS感測芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測芯片，預(yù)計2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

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2011-01-20

聯(lián)電 MEMS CMOS 感測芯片
華力微電子2011年奮斗目標(biāo)：65nm邏輯產(chǎn)品4月初試產(chǎn)年底量產(chǎn)

1月17日，華力微電子的經(jīng)營管理機(jī)構(gòu)會議經(jīng)研究決定，基于項(xiàng)目設(shè)備安裝調(diào)試進(jìn)度和前期技術(shù)準(zhǔn)備的進(jìn)展，以及2011年產(chǎn)能已全部落實(shí)客戶的情況，項(xiàng)目將于4月初進(jìn)入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段，并在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)65nm邏輯工藝產(chǎn)品的規(guī)?；?/p>
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2011-01-20

微電子調(diào)試選型 65NM

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臺積電與GLOBALFOUNDRIES面臨首次對決

華力微電子4月初試產(chǎn) 半導(dǎo)體業(yè)909工程升級

匯豐：臺積電下半年毛利有隱憂

CEA-Leti將啟動專門用于三維積層技術(shù)的300mm研發(fā)生產(chǎn)線

聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)研發(fā)有成　預(yù)計今年量產(chǎn)

小摩續(xù)喊進(jìn)臺積電

起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測并模擬的方法

單點(diǎn)溫度保護(hù)系統(tǒng)的容錯邏輯設(shè)計

半導(dǎo)體業(yè)909工程升級華力微電子4月初試產(chǎn)

GlobalFoundries宣布其28納米制程服務(wù)已準(zhǔn)備就緒

有源電力濾波器三種基波提取方法的對比分析

聯(lián)電MEMS感測芯片成功產(chǎn)出

IBM與ARM達(dá)成芯片制造合作協(xié)議

聯(lián)電MEMS感測芯片　邁入量產(chǎn)

華力微電子2011年奮斗目標(biāo)：65nm邏輯產(chǎn)品4月初試產(chǎn)年底量產(chǎn)

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