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  • 東芝40-28nm將外包給GlobalFoundries

    從AMD拆分出來(lái)之后，GlobalFoundries的代工業(yè)務(wù)是越來(lái)越紅火，合作伙伴也越來(lái)越多，現(xiàn)在東芝也要加入這一行列了。 《日經(jīng)產(chǎn)業(yè)新聞》報(bào)道稱(chēng)，東芝一直在努力將40nm到28nm工藝世代的芯片生產(chǎn)外包出去，從而節(jié)省高昂

  • 水聲信號(hào)功率放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    設(shè)計(jì)了水聲信號(hào)發(fā)生系統(tǒng)中的功率放大電路，可將前級(jí)電路產(chǎn)生的方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為正弦信號(hào)，同時(shí)進(jìn)行濾波、功率放大，使其滿(mǎn)足換能器對(duì)輸入信號(hào)的要求。該電路以單片機(jī)AT89C52，集成6階巴特沃思低通濾波芯片MF6以及大功率運(yùn)算放大器LM12為核心，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)RS232接口與PC進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)信號(hào)增益的程控調(diào)節(jié)，對(duì)干擾信號(hào)具有良好的抑制作用。經(jīng)調(diào)試該電路工作穩(wěn)定正常，輸出波形無(wú)失真，在輸出功率以及放大增益、波紋系數(shù)等方面均滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。

  • IBM展示全世界第一塊20納米低功耗晶圓

    上周舉行的Common Platform 2011技術(shù)大會(huì)上，IBM領(lǐng)銜的通用技術(shù)聯(lián)盟各自介紹了其半導(dǎo)體制造工藝的最新進(jìn)展，藍(lán)色巨人自己更是拿出了全世界第一塊采用20nm工藝的晶圓。 全世界第一塊20nm晶圓 據(jù)介紹，這塊晶

  • MEMS步入兩位數(shù)增長(zhǎng)階段 增長(zhǎng)速度遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體

    微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。 2011年，MEMS將增長(zhǎng)10%，大

  • 東芝最先端LSI代工訂單或?qū)⒒淙?、GF

    日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，全球晶圓(GlobalFoundries；簡(jiǎn)稱(chēng)GF)CEO Douglas Grose 24日接受日經(jīng)專(zhuān)訪時(shí)證實(shí)，GF正和東芝(Toshiba)就代工東芝最先端System LSI(系統(tǒng)整合晶片)一事進(jìn)入最終協(xié)商階段。日經(jīng)報(bào)導(dǎo)指出，據(jù)東芝關(guān)系人

  • 力成去年?duì)I收、EPS均創(chuàng)新高，Q4有匯損侵蝕

    全球最大記憶體封測(cè)廠力成(6239)今日舉行第四季法人說(shuō)明會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，2010年，力成不論是營(yíng)收以及獲利表現(xiàn)均創(chuàng)下歷年來(lái)新高，EPS達(dá)10.53元，而單就第四季來(lái)看，受到匯率因素影響，毛利率下滑至25.1%，稅后凈

    模擬
    2011-01-25
    DRAM Flash EPS MCP

  • 新款USB-OTG總線端口保護(hù)陣列（Vishay）

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低電容和低泄漏電流的新款ESD保護(hù)陣列---VBUS053CZ-HAF，能夠保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的影響。在5.5V的工作范圍內(nèi)，新的VBUS053CZ-HAF可為3條線路提供USB

  • 產(chǎn)業(yè)整合，2011年僅剩三家主力代工廠

    據(jù)IHSiSuppli公司，到2011年末，可能只有三家代工廠商能夠提供大批量、領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造服務(wù)：臺(tái)積電、GlobalFoundriesInc.和三星電子。其它幾家晶圓代工廠商，包括臺(tái)聯(lián)電和中芯國(guó)際，將能夠提供接近領(lǐng)先水平的大批量

  • Globalfoundries CEO：明年銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)逾15%

    北京時(shí)間1月24日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片代工廠商Globalfoundries預(yù)計(jì)今年銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)逾15%，挑戰(zhàn)市場(chǎng)領(lǐng)頭羊臺(tái)積電。GlobalfoundriesCEO道格拉斯·格羅斯(DouglasGrose)當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月24日在接受采訪時(shí)表示，今年該

  • 臺(tái)積電續(xù)稱(chēng)霸全球晶圓代工

    去年全球前大晶圓代工排名出爐，臺(tái)積電（2330）繼續(xù)穩(wěn)居第一，但合并特許后的全球晶圓（Globalfoundries）擠入第三，營(yíng)收與聯(lián)電（2303）才差4億多美元（約新臺(tái)幣120億元）；三星雖居第，市調(diào)ICInsights卻預(yù)估，三星排

  • 全球晶圓今年?duì)I收要增14%

    超微與阿布達(dá)米創(chuàng)投旗下的全球晶圓（Globalfoundries）預(yù)計(jì)今年?duì)I收成長(zhǎng)率上看14.28%，目標(biāo)超越聯(lián)電。在本周晶圓雙雄法說(shuō)之前，提前釋出今年展望，挑戰(zhàn)雙雄意味濃厚。聯(lián)電26日率先揭開(kāi)晶圓代工法說(shuō)序幕。臺(tái)積電27日接

  • DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底 二季度回漲

    來(lái)自存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱(chēng)，1月上半個(gè)月DRAM期貨價(jià)已經(jīng)接近谷底，下半個(gè)月價(jià)格可能持平或繼續(xù)小幅下滑，然后在二季度開(kāi)始回漲。本月初，2GBDDR3內(nèi)存價(jià)格下降5-6%，平均價(jià)格在17美元，最低16美元。雖然價(jià)

  • 解讀2011年被動(dòng)元件供應(yīng)吃緊三大誘因

    2010年被動(dòng)元件市場(chǎng)就經(jīng)歷了過(guò)山車(chē)式的發(fā)展，上半年需求強(qiáng)勁，下半年需求疲軟，讓被動(dòng)元件廠商體驗(yàn)冰火兩重天――上半年市場(chǎng)熱死，下半年市場(chǎng)冷死。隨著2011年春天即將到來(lái)，被動(dòng)元件市場(chǎng)走勢(shì)也逐漸明朗――受智能手

  • 再建晶圓廠？三星芯片制造將有新行動(dòng)

    企圖成為晶圓代工龍頭廠商的韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)，似乎有意再興建一座新晶圓廠；在美國(guó)的一場(chǎng)通用平臺(tái)技術(shù)(CommonPlatformtechnology)研討會(huì)上，三星LSI部門(mén)總裁N.S.(Stephen)Woo透露，該公司短期之內(nèi)將

  • Globalfoundries CEO：明年銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)逾15%

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