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撓性印制板拐角防撕裂結(jié)構(gòu)信號(hào)傳輸性能分析

撓性印制板很容易在大應(yīng)力的作用下造成開裂或斷裂，在設(shè)計(jì)時(shí)常在拐角處采用抗撕裂結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以更好地改善FPC的抗撕裂的性能。文中基于三維電磁場(chǎng)仿真軟件HFSS，對(duì)多種圓弧拐角防撕裂結(jié)構(gòu)的信號(hào)傳輸性能及電磁場(chǎng)分布進(jìn)行了仿真分析，總結(jié)了防撕裂結(jié)構(gòu)對(duì)高速電路信號(hào)傳輸性能的影響規(guī)律。

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2011-02-27

信號(hào)傳輸印制板 BSP 串?dāng)_
三星計(jì)劃2011年測(cè)試性生產(chǎn)20nm芯片

韓國(guó)三星公司于日前對(duì)外表示，該公司正計(jì)劃在今年開始測(cè)試性生產(chǎn)基于20nm工藝的芯片產(chǎn)品。三星公司將會(huì)在今年下半年開始為客戶提供測(cè)試生產(chǎn)，而這也將會(huì)使得三星公司成為第一家承諾在2011年推出20nm工藝的公司。三

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2011-02-26

三星集成芯片芯片代工
巴克萊分析師：緊隨TSV/EUV技術(shù) 450mm大潮2018年將至

不久前臺(tái)積電公司公布自己轉(zhuǎn)向450mm技術(shù)后，巴克萊公司分析師 CJ Muse最近發(fā)表了其對(duì)450mm技術(shù)未來走向的新預(yù)測(cè)，他認(rèn)為450mm技術(shù)的大潮將在2018年以前來臨，不過在此之前各大芯片制造廠商會(huì)先完成其它幾項(xiàng)重要的技

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2011-02-26

芯片廠商光刻技術(shù) EUV SE
開放陸資投資DRAM、封測(cè)業(yè)，業(yè)者以正面解讀

行政院24日核定第二波陸資開放清單，確定開放陸資參股面板、晶圓代工、半導(dǎo)體封裝測(cè)試和DRAM產(chǎn)業(yè)，持股上限為10％，其中封裝、DRAM業(yè)者均以正面看待，并指出雖然有限制10%持股比例，不過仍可以達(dá)成策略性投資的成效。

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2011-02-26

DRAM 晶圓代工美光封裝測(cè)試
ISSCC：平面型體硅技術(shù)仍將是22/20nm節(jié)點(diǎn)主流

經(jīng)過一輪唇槍舌劍之后，大牌芯片廠商們終于對(duì)邏輯芯片產(chǎn)品22/20nm節(jié)點(diǎn)制程的有關(guān)問題達(dá)成了較為一致的意見。在剛剛舉行的2011年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC2011)上，IBM,臺(tái)積電，Globalfoundries等廠商均表示將繼續(xù)在22

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2011-02-26

晶體管 IBM 節(jié)點(diǎn) ISSCC
繪圖晶片雙雄再激戰(zhàn)　臺(tái)積電將受惠

陳玉娟／臺(tái)北受到整合型繪圖晶片組(IGP)及處理器內(nèi)建繪圖核心趨勢(shì)影響，全球獨(dú)立繪圖卡市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)萎縮，NVIDIA與超微(AMD)為力守獲利表現(xiàn)，并與IGP晶片組拉開差距，紛全力提升繪圖晶片效能。繪圖卡業(yè)者表示，由于

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2011-02-25

NVIDIA 晶片臺(tái)積電 GP
集成電路產(chǎn)業(yè)跨入發(fā)展快車道

國(guó)務(wù)院新近發(fā)布了《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（“新18號(hào)文”），其中對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)著墨頗多，占了近三分之二的篇幅?！翱梢钥闯鰢?guó)家確實(shí)關(guān)心、關(guān)注集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。”上海集成電路行業(yè)

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2011-02-25

集成電路設(shè)計(jì) 軟件集成電路產(chǎn)業(yè) 專用材料
晶圓產(chǎn)能過剩？Intel/臺(tái)積電態(tài)度相反

2月25日英特爾總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)歐德寧（PaulOtellini）上周出席科技論壇時(shí)指出，他認(rèn)為晶圓代工事業(yè)在未來幾年會(huì)出現(xiàn)極大的麻煩，最大的問題就是會(huì)出現(xiàn)十分嚴(yán)重的產(chǎn)能過剩問題，其中全球晶圓等積極擴(kuò)充產(chǎn)能，將會(huì)導(dǎo)致先進(jìn)

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2011-02-25

Intel 晶圓代工晶圓臺(tái)積電
AMD 28nm南方群島芯片2012年第二季度將投產(chǎn)

增加投放40nm代工訂單之后，AMD與臺(tái)積電的下一步合作就是28nmGPU顯卡了，不過似乎還非常遙遠(yuǎn)。據(jù)臺(tái)灣“中國(guó)經(jīng)濟(jì)通訊社”(CENS)報(bào)道，為了確保BrazosAPU融合處理器的市場(chǎng)供應(yīng)，尤其是三月起正式進(jìn)入中國(guó)內(nèi)地市場(chǎng)，AMD

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2011-02-25

NVIDIA 芯片 AMD 臺(tái)積電
2010年繁榮過后　2011年NOR市場(chǎng)或衰退6%

在經(jīng)歷了繁榮的2010年之后，NOR閃存市場(chǎng)營(yíng)收可能會(huì)在2011年衰退近6%，來到48億美元規(guī)模；市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，這意味著該市場(chǎng)將因價(jià)格下跌影響，開始進(jìn)入一段艱困時(shí)期。雖然NOR閃存因?yàn)閼?yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)增、出貨呈現(xiàn)持

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2011-02-25

閃存市場(chǎng) BORDER ISUPPLI NOR閃存
加強(qiáng)3D芯片設(shè)計(jì)制造能力宏寶科技被正式并入聯(lián)電研發(fā)部門

聯(lián)電23日結(jié)算前年10月成立的宏寶科技，將宏寶的3D芯片技術(shù)團(tuán)隊(duì)移植到聯(lián)電的研發(fā)部門。市場(chǎng)預(yù)期，未來3DIC可望成為聯(lián)電在28納米上的重點(diǎn)產(chǎn)品，拉近與臺(tái)積電的距離，亦可望對(duì)爾必達(dá)、力成合作案有加分作用。聯(lián)電則表示

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2011-02-25

芯片設(shè)計(jì) 聯(lián)電爾必達(dá) 3D芯片
歐盟項(xiàng)目刷新硅鍺芯片高頻紀(jì)錄

歐盟項(xiàng)目DotFive研發(fā)出一款硅鍺芯片，號(hào)稱為硅鍺（SiGe）史上運(yùn)行頻率最高的芯片。這款820GHz傳送接收芯片對(duì)可實(shí)現(xiàn)x射線般透視，但波長(zhǎng)在毫米范圍，對(duì)人體無害。

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2011-02-25

芯片接收芯片 X射線 SIGE
功放的數(shù)字基帶預(yù)失真技術(shù)研究

摘　要:敘述一種應(yīng)用于CDMA2000 基站前端的低噪聲放大器的設(shè)計(jì)方案,根據(jù)基站接收系統(tǒng)架構(gòu)確定低噪聲放大器指標(biāo),利用安捷倫的先進(jìn)設(shè)計(jì)系統(tǒng)軟件進(jìn)行仿真設(shè)計(jì),仿真結(jié)果表明放大器工作頻率在810～850 MHz 頻率范圍內(nèi)增

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2011-02-25

低噪聲放大器功放回波數(shù)字基帶預(yù)失真
TriQuint發(fā)布下一代多模功率放大器模塊TQM7M9023

21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司推出其為 3G/4G市場(chǎng)領(lǐng)先芯片組解決方案而開發(fā)的首個(gè)多模功率放大器（MMPA）模塊--- TQM7M9023。TQM7M9023模塊是TRIUMF 模塊™ 產(chǎn)品系列的成員之一，結(jié)合TriQuint在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的TRITIUM

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2011-02-25

功率放大器多模 TRIQUINT
Intersil推出新型高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器ISLA214P50

21ic訊 Intersil公司推出最新的模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)品系列及其首款器件---ISLA214P50。該系列提供采樣率范圍為130-500 兆采樣點(diǎn)/秒（MSPS）、引腳兼容的 12、14 和 16 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，幫助簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)和加快產(chǎn)品

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2011-02-25

引腳模數(shù)轉(zhuǎn)換器 INTERSIL ISL

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撓性印制板拐角防撕裂結(jié)構(gòu)信號(hào)傳輸性能分析

三星計(jì)劃2011年測(cè)試性生產(chǎn)20nm芯片

巴克萊分析師：緊隨TSV/EUV技術(shù) 450mm大潮2018年將至

開放陸資投資DRAM、封測(cè)業(yè)，業(yè)者以正面解讀

ISSCC：平面型體硅技術(shù)仍將是22/20nm節(jié)點(diǎn)主流

繪圖晶片雙雄再激戰(zhàn)　臺(tái)積電將受惠

集成電路產(chǎn)業(yè)跨入發(fā)展快車道

晶圓產(chǎn)能過剩？Intel/臺(tái)積電態(tài)度相反

AMD 28nm南方群島芯片2012年第二季度將投產(chǎn)

2010年繁榮過后　2011年NOR市場(chǎng)或衰退6%

加強(qiáng)3D芯片設(shè)計(jì)制造能力宏寶科技被正式并入聯(lián)電研發(fā)部門

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功放的數(shù)字基帶預(yù)失真技術(shù)研究

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