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IC制造裝備：十年趕超,信心來自何方？

昨天，國家科技重大專項《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》（以下簡稱“02專項”）在京舉行了成果發(fā)布會。在這個長期受到國外壟斷的領域，中國企業(yè)第一次拿出了諸多驕人成果?！?2專項”專家組負責人之一、中科

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2011-03-04

IC制造集成電路制造制造工藝中芯國際
俄羅斯Mikron與意法二度聯(lián)手開發(fā)90nm生產(chǎn)線

據(jù)國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSCMikron宣布與意法半導體合資的90nm8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預計每月投產(chǎn)3000片，此前的0.18微

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2011-03-04

智能卡微米 FAB BICMOS
芯片制造三巨頭的次世代光刻技術戰(zhàn)略對比分析

臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務（至少從對外公布的路線圖上看是這樣

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2011-03-04

芯片制造臺積電光刻技術 GLOBALFOUNDRIES
英特爾芯片瑕疵影響縮小筆記本出貨年增19.6%

根據(jù)研究機構DRAMeXchange觀察指出，1月底英特爾迅速解決芯片暇疵問題，迅速推出新的B3版本，對NB產(chǎn)業(yè)影響時間縮小到只有2-3周，也使NB代工廠能迅速恢復產(chǎn)品供貨，不過卻也造成部份需求遞延至第2季，加上NB產(chǎn)品海運比

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2011-03-04

DRAM 計算機英特爾芯片 EXCHANGE
Vishay推出超長使用壽命的新款鋁電容器104 PHL-ST

21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出新系列螺旋式接線柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長達5000小時，在+105℃下的額定紋波電流高達34.8A，提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種

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2011-03-04

器件 Vishay 電容器 ST
本土封測業(yè)向國際先進水平靠攏

作為中國半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，封裝測試產(chǎn)業(yè)在近幾年保持了穩(wěn)定快速發(fā)展的勢頭。封測業(yè)一直是我國集成電路產(chǎn)業(yè)中發(fā)展最為成熟的一個環(huán)節(jié)。在中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，特別是近幾年來隨著國內本土封裝測試企業(yè)的

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2011-03-04

富士通半導體產(chǎn)業(yè) 封裝技術集成電路產(chǎn)業(yè)
微電子創(chuàng)新協(xié)作中心獲準將Alchimer濕沉降產(chǎn)品用于MEMS 3D研究

加拿大研發(fā)聯(lián)盟將利用濕沉降技術推進MEMS生產(chǎn) 法國馬錫和加拿大布羅蒙特--(美國商業(yè)資訊)--Alchime是一家領先的納米沉降技術供應商，該技術應用于硅通孔（TSVs）、半導體互連、MEMS和其它電子應用。該公司今天宣布

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2011-03-04

微電子 NI MEMS BSP
南通富士通：實現(xiàn)高密度BUMP技術產(chǎn)業(yè)化

在手機、電腦等消費類電子產(chǎn)品向小型化、多功能化發(fā)展的今天，以BUMP技術為代表的先進封裝技術已成為世界封裝發(fā)展的主流方向。由于國外廠商長期壟斷，BUMP技術的產(chǎn)業(yè)化應用在國內一直是空白。南通富士通作為國內集成

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2011-03-04

富士通封裝技術封裝測試 SIP
SEMI：2011年晶圓廠資本支出將增長22% 創(chuàng)歷史新高

根據(jù)SEMI World Fab Forecast的報告，2011年全球晶圓廠項目支出，包括建設、設施、設備，將較2010年增長22%，其中設備支出（包括新設備和二手設備）將增長28%。該分析報告基于近期所宣布的資本支出計劃，主要來自代工

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2011-03-04

晶圓廠 SEMI ABS FAB
芯片制造三巨頭的次世代光刻技術戰(zhàn)略對比分析

臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務（至少從對外公布的路線圖上看是這樣

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2011-03-04

芯片制造臺積電光刻技術 GLOBALFOUNDRIES
Mikron與意法二度聯(lián)手開發(fā)90nm生產(chǎn)線

據(jù)國外媒體報道，日前，俄羅斯芯片制造商JSC Mikron宣布與意法半導體合資的90nm 8寸生產(chǎn)線將于2011年年底前投片。此前雙方曾于2006年合資開展0.18微米制程工藝。該Fab將耗資4億美元，預計每月投產(chǎn)3000片，此前的0.18

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2011-03-04

智能卡微米 FAB BICMOS
宏力半導體0.18微米低本高效OTP制程成功量產(chǎn)

上海宏力半導體2日宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。該OTP 制程結合了力旺電子的綠能OTP解決方案和宏力半導體自身的0.18微米技術節(jié)點，在使用較少光罩層數(shù)的同時，創(chuàng)造了業(yè)內OTP最小單元

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2011-03-04

半導體電子 MCU 微米
輕工廠化也是200mm生產(chǎn)線的必然趨勢,GF全面開展MEMS代工業(yè)務

“半導體行業(yè)的IDM大多已結束對300mm生產(chǎn)線及200mm生產(chǎn)線的設備投資。成本效率占絕對優(yōu)勢的代工企業(yè)的200mm生產(chǎn)線將會大顯身手”（美國GLOBALFOUNDRIES公司高級副總裁、新加坡200mm BU總經(jīng)理Raj Kumar）。據(jù)悉，GLOB

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2011-03-04

元件 MEMS DM GLOBALFOUNDRIES
英特爾：EUV技術恐趕不上10nm節(jié)點進度

英特爾公司正在計劃將目前的 193nm 浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家晶片業(yè)巨擘也希望能在2015年下半年于 10nm 邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產(chǎn)。但英特爾微

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2011-03-04

晶片英特爾節(jié)點 EUV
共模和差模信號與濾波器

1概述隨著微電子技術的發(fā)展和應用，電磁兼容已成為研究微電子裝置安全、穩(wěn)定運行的重要課題。抑制電磁干擾采用的技術主要包括濾波技術、布局與布線技術、屏蔽技術、接地技術、密封技術等。而干擾源的傳播途徑分為傳

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2011-03-03

電流濾波器噪聲差模信號

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IC制造裝備：十年趕超,信心來自何方？

俄羅斯Mikron與意法二度聯(lián)手開發(fā)90nm生產(chǎn)線

芯片制造三巨頭的次世代光刻技術戰(zhàn)略對比分析

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宏力半導體0.18微米低本高效OTP制程成功量產(chǎn)

輕工廠化也是200mm生產(chǎn)線的必然趨勢,GF全面開展MEMS代工業(yè)務

英特爾：EUV技術恐趕不上10nm節(jié)點進度

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