據(jù)報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。東芝及WD(西部數(shù)據(jù))稱，將于2017年上半年開始量產(chǎn)堆疊64層的3D NAND Flash制程，相對落后于NAND Flash市占王三星。東芝(Toshiba)及WD于日前同時發(fā)布新聞稿宣布，已領(lǐng)先全球研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，正式開始向客戶送樣，預(yù)計將透過本月7月完工的日本四日市工廠“新第 2 廠房”量產(chǎn)，量產(chǎn)時間都預(yù)計為2017年上半年。

SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市占更還要比技術(shù)。

東芝(Toshiba)及WD于日前同時發(fā)布新聞稿宣布，已領(lǐng)先全球研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，正式開始向客戶送樣，預(yù)計將透過本月7月完工的日本四日市工廠“新第 2 廠房”量產(chǎn)，量產(chǎn)時間都預(yù)計為2017年上半年。

當時市場都解讀NAND Flash領(lǐng)軍三星，因64層堆疊技術(shù)尚無產(chǎn)出消息，因此認為將被東芝及WD領(lǐng)先。三星表示，預(yù)計將于今年底前量產(chǎn)4G V-NAND及18納米制程的DRAM，目前進展順利。