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MOSFET

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金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評估研究

    摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug

  • 利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計

    本文討論了如何利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計電源，并給出了在低輸入電壓應(yīng)用中建議采用的輸出電感和電容。

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  • 增強型25V及30V MOSFET（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計算應(yīng)用。新 MOSFET 系列

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  • 新型100V MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計的效率。FDMS8610

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  • 新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

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  • 新款全橋式MOSFET預(yù)驅(qū)動器IC(Allegro)

    Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報告功能的新款全橋式 MOSFET 預(yù)驅(qū)動器 IC，擴展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5

  • 新型IRS2093驅(qū)動IC（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 針對50W至150W高性能D類音頻應(yīng)用的需求推出新型IRS2093驅(qū)動IC，這些應(yīng)用包括家庭影院系統(tǒng)和汽車音響放大器。IRS2093基于半橋拓撲結(jié)構(gòu)，在一個IC上集成了4個高壓通

  • 基于混合SET/MOSFET的比較器

    　　1. 引言　　據(jù)2001 年的國際半導體技術(shù)未來發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing

  • 低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）

    飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計的

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  • 超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓撲架構(gòu)及應(yīng)用趨勢

    　　近年來，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備，尤其是對電能有苛刻需求的消費類電子中，得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展，由于LDO拓撲架構(gòu)的限制，越來越難以滿足應(yīng)用的需求。于是，基于新型拓撲架

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  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。

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