MOSFET
-
低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計的
-
超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用趨勢
近年來，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備，尤其是對電能有苛刻需求的消費類電子中，得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展，由于LDO拓?fù)浼軜?gòu)的限制，越來越難以滿足應(yīng)用的需求。于是，基于新型拓?fù)浼?/p>
-
超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用趨勢
近年來，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備，尤其是對電能有苛刻需求的消費類電子中，得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展，由于LDO拓?fù)浼軜?gòu)的限制，越來越難以滿足應(yīng)用的需求。于是，基于新型拓?fù)浼?/p>
-
選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進(jìn)一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
-
選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進(jìn)一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
-
選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進(jìn)一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
-
高壓電容器充電變簡單了
設(shè)計一個高達(dá)kV的高壓電容器充電器或電源不是一件小事。采用通用反激式 PWM 控制器的分立式解決方案需要光耦合器，還要具備監(jiān)視、狀態(tài)指示和保護(hù)功能，這就要很多電路，增加了設(shè)計復(fù)雜性。尤為重要的是要避免輸入過流，這種情況在發(fā)生在接通時會被誤認(rèn)為是短路的容性負(fù)載所引發(fā)。還必需確保該類型的轉(zhuǎn)換器只有輸入電壓在安全工作范圍之內(nèi)時才接通，從而保持長期可靠性。
-
MicroFET MOSFET（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機、電動牙刷和須刨等應(yīng)用延長電池壽命。這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝，
-
全新OR\'ing 控制器（Diodes）
Diodes 公司推出有源OR\'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應(yīng)用中，實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護(hù)和更可
-
MicroFET MOSFET（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機、電動牙刷和須刨等應(yīng)用延長電池壽命。這兩款產(chǎn)品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝，
-
由MAX1822和74C906構(gòu)成的1～6通道負(fù)載開關(guān)電路
由MAX1822和74C906構(gòu)成的1～6通道負(fù)載開關(guān)電路如圖所示。MAX1822是電荷泵開關(guān)電源，其輸入電壓可在3.5～16V范圍內(nèi)選擇，輸出電壓為11V，可以驅(qū)動低阻N溝道MOSFET。74C906是六反相器，SWl～SW6 6個開關(guān)信號可以同
-
20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
-
20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
-
選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性
電動工具由于其設(shè)計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點，在各種場合得到了廣泛的應(yīng)用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn)，具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
-
量體裁衣 如何選擇適合自己的功率器件？
功率器件的選擇是做好一個電源系統(tǒng)的基本，所謂的“量體”，就是在選擇器件的時候要首先根據(jù)我們的需要，定義出我們對功率器件的實際需求。就像定做衣服一樣，我們系統(tǒng)的電流、電壓、功率、功耗、效率等參數(shù)的要求，
-
選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性
電動工具由于其設(shè)計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點，在各種場合得到了廣泛的應(yīng)用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn)，具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
