MOSFET
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領先的導通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領先的導通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負載條件下，降低開關模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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關于MOSFET的雙峰效應量化評估研究
摘 要：介紹一種關于雙峰效應(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細致地研究了雙峰效應與摻雜濃度的關系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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關于MOSFET的雙峰效應量化評估研究
摘 要：介紹一種關于雙峰效應(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細致地研究了雙峰效應與摻雜濃度的關系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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利用集成化開關穩(wěn)壓器簡化電源設計
本文討論了如何利用集成化開關穩(wěn)壓器設計電源，并給出了在低輸入電壓應用中建議采用的輸出電感和電容。
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利用集成化開關穩(wěn)壓器簡化電源設計
本文討論了如何利用集成化開關穩(wěn)壓器設計電源，并給出了在低輸入電壓應用中建議采用的輸出電感和電容。
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增強型25V及30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。新 MOSFET 系列
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增強型25V及30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS8610
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
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新款全橋式MOSFET預驅(qū)動器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報告功能的新款全橋式 MOSFET 預驅(qū)動器 IC，擴展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5
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新型IRS2093驅(qū)動IC（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 針對50W至150W高性能D類音頻應用的需求推出新型IRS2093驅(qū)動IC，這些應用包括家庭影院系統(tǒng)和汽車音響放大器。IRS2093基于半橋拓撲結(jié)構，在一個IC上集成了4個高壓通
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基于混合SET/MOSFET的比較器
1. 引言 據(jù)2001 年的國際半導體技術未來發(fā)展預示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing
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低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的
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基于混合SET/MOSFET的比較器
1. 引言 據(jù)2001 年的國際半導體技術未來發(fā)展預示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing
