MOSFET
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ULDO穩(wěn)壓器在上網(wǎng)本電源中的應(yīng)用
未來的4C產(chǎn)品標(biāo)榜低價、輕薄且具備移動上網(wǎng)功能，因此其電源設(shè)計方案必須擺脫傳統(tǒng)的限制。這些限制包括外部零件和線路煩瑣復(fù)雜，較高的輸出噪音和待機功耗，以及不夠平易近人的BOM成本等。 為此，亞瑟萊特科技特別
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全球首款1毫歐以下25V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導(dǎo)體公司）宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Pow
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全球首款1毫歐以下25V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導(dǎo)體公司）宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Pow
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雙MOSFET解決方案（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成
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新型雙MOSFET組合式器件（Diodes）
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種4
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雙MOSFET解決方案（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成
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雙MOSFET解決方案（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成
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新型雙MOSFET組合式器件（Diodes）
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種4
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新型MOSFET半橋器件（Diodes）
Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計。Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型
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新型MOSFET半橋器件（Diodes）
Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計。Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補N型和P型
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電源設(shè)計小貼士12：電源效率最大化
在《電源設(shè)計小貼士 11》中，我們討論了如何利用泰勒級數(shù) (Taylor series) 查找電源中的損耗源。在本篇電源設(shè)計小貼士中，我們將討論如何使用相同的級數(shù)最大化特定負(fù)載電流的電源效率。在《電源設(shè)計小貼士 11》中，我
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電源設(shè)計小貼士12：電源效率最大化
在《電源設(shè)計小貼士 11》中，我們討論了如何利用泰勒級數(shù) (Taylor series) 查找電源中的損耗源。在本篇電源設(shè)計小貼士中，我們將討論如何使用相同的級數(shù)最大化特定負(fù)載電流的電源效率。在《電源設(shè)計小貼士 11》中，我
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多功能IR3640M PWM控制IC（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3640M PWM控制IC。該產(chǎn)品適用于高性能同步DC-DC降壓應(yīng)用，包括服務(wù)器、存儲、網(wǎng)絡(luò)通信、游戲機和通用DC-DC轉(zhuǎn)換器。IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，
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多功能IR3640M PWM控制IC（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3640M PWM控制IC。該產(chǎn)品適用于高性能同步DC-DC降壓應(yīng)用，包括服務(wù)器、存儲、網(wǎng)絡(luò)通信、游戲機和通用DC-DC轉(zhuǎn)換器。IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達(dá)和電動工具、工業(yè)用電池及電源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評估研究
摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細(xì)致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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