日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ,該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ,該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech)宣布為其不斷擴(kuò)展的MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品系列新增了一款高壓產(chǎn)品。AAT4910支持電壓高達(dá)28V, 其半橋雙金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動器可提供業(yè)界同類多相DC-DC轉(zhuǎn)換器中的最低
研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech)宣布為其不斷擴(kuò)展的MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品系列新增了一款高壓產(chǎn)品。AAT4910支持電壓高達(dá)28V, 其半橋雙金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動器可提供業(yè)界同類多相DC-DC轉(zhuǎn)換器中的最低
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程,并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程,并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。
近年來,低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備,尤其是對電能有苛刻需求的消費類電子中,得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展,由于LDO拓?fù)浼軜?gòu)的限制,越來越難以滿足應(yīng)用的需求。于是,基于新型拓?fù)浼軜?gòu)的