量體裁衣 如何選擇適合自己的功率器件？

功率器件的選擇是做好一個電源系統(tǒng)的基本，所謂的“量體”，就是在選擇器件的時候要首先根據(jù)我們的需要，定義出我們對功率器件的實際需求。就像定做衣服一樣，我們系統(tǒng)的電流、電壓、功率、功耗、效率等參數(shù)的要求，

11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品（AOS）

Alpha & Omega Semiconductor公司(AOS)宣布發(fā)行11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標(biāo)志著AOS不斷壯大的高壓MOSFET產(chǎn)品組合的重大擴展。在用于臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器和熒光燈照明應(yīng)用等的一系列交

11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品（AOS）

Alpha & Omega Semiconductor公司(AOS)宣布發(fā)行11款500伏額定電壓的MOSFET產(chǎn)品。這標(biāo)志著AOS不斷壯大的高壓MOSFET產(chǎn)品組合的重大擴展。在用于臺式機、筆記本電腦、液晶電視、顯示器和熒光燈照明應(yīng)用等的一系列交

190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7

190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7

190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7

業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同

業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

完全自保護式低壓側(cè)MOSFET（Diodes）

Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。

完全自保護式低壓側(cè)MOSFET（Diodes）

Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。

半橋MOSFET驅(qū)動器（研諾）

研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech）宣布為其不斷擴展的MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品系列新增了一款高壓產(chǎn)品。AAT4910支持電壓高達(dá)28V, 其半橋雙金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動器可提供業(yè)界同類多相DC-DC轉(zhuǎn)換器中的最低

半橋MOSFET驅(qū)動器（研諾）

研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech）宣布為其不斷擴展的MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品系列新增了一款高壓產(chǎn)品。AAT4910支持電壓高達(dá)28V, 其半橋雙金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動器可提供業(yè)界同類多相DC-DC轉(zhuǎn)換器中的最低

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程。

超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用趨勢

近年來，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設(shè)備，尤其是對電能有苛刻需求的消費類電子中，得到了廣泛的應(yīng)用。但隨著更低壓差應(yīng)用需求的發(fā)展，由于LDO拓?fù)浼軜?gòu)的限制，越來越難以滿足應(yīng)用的需求。于是，基于新型拓?fù)浼軜?gòu)的

滿足復(fù)雜DC-DC功率轉(zhuǎn)換要求的解決方案