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MOSFET

我要報(bào)錯(cuò)
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 服務(wù)器的冗余電源技術(shù)

    冗余電源是高可用系統(tǒng)中關(guān)鍵的部分。在最簡(jiǎn)單的解決方案中，兩只電源可以利用二極管來(lái)通過(guò)或門輸出以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。這樣，這兩只電源既可以共同工作，也可以一只工作，一只備用。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) ORing控

  • 基準(zhǔn)工業(yè)級(jí)30V MOSFET（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電

  • 新一代超級(jí)結(jié)MOSFET-SupreMOS（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)SupreMOS™新一代600V超級(jí)結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有1

  • 20V P溝道MOSFET（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench® 工藝 技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界最

  • 史上最牛的半導(dǎo)體廣告語(yǔ)

    死了都要賣仙童，不賣到最好不痛快—— 歌曲《死了都要愛(ài)》松下問(wèn)仙童，言師賣IGBT去，只知在飛捷，云深不只去 —— 賈島的《尋隱者不遇》 Panasonic ask fairchild ,,Where are Simon,Fairchild said 'Simon sel

  • 20V P溝道MOSFET（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設(shè)計(jì)采用飛兆半導(dǎo)體的專有PowerTrench® 工藝 技術(shù)，為手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界最

  • 單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未

  • 新型MOSFET 器件（Diodes）

    Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對(duì) LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開(kāi)關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的要求。

  • 25V DirectFET系列MOSFET（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險(xiǎn)絲等DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。IRF6718在新

  • 單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）

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  • 新型MOSFET 器件（Diodes）

    Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對(duì) LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開(kāi)關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的要求。

  • 25V DirectFET系列MOSFET（IR）

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  • 25V DirectFET系列MOSFET（IR）

    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險(xiǎn)絲等DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用達(dá)到最佳效果。IRF6718在新

  • 單一P溝道MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64

  • 單一P溝道MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64

  • 單一P溝道MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64

  • 高性能電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流技術(shù)

    為滿足這些需求，在上世紀(jì)90年代晚期開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)師開(kāi)始采用同步整流（SR）技術(shù)——使用MOSFET來(lái)替代常用二極管實(shí)現(xiàn)的整流功能。SR提高了效率、熱性能、功率密度、可制造性和可靠性，并可降低整個(gè)系統(tǒng)的電源系統(tǒng)成本。本文將介紹SR的優(yōu)點(diǎn)，并討論在其實(shí)現(xiàn)中遇到的挑戰(zhàn)。