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IGBT開通時間與關(guān)斷時間的工作特性
IGBT是一個發(fā)熱源，其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會越多。而IGBT的開通與關(guān)斷并不是瞬間完成的，有開通時間與關(guān)斷時間。
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MOS管發(fā)熱的主要原因有哪些
在開關(guān)電源中，如果MOS管的關(guān)斷和導(dǎo)通速度不夠快，也會產(chǎn)生附加的功率損耗?。
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MOS管米勒效應(yīng)詳解
?米勒效應(yīng)?是指MOS管在開關(guān)過程中，柵極和漏極之間的反向傳輸電容(Cgd)在開關(guān)作用下引起的瞬態(tài)變化現(xiàn)象。這種現(xiàn)象會導(dǎo)致驅(qū)動電壓和漏源電流在一段時間內(nèi)維持不變，形成一個“米勒平臺”，從而增加開關(guān)損耗，降低效率。
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一文搞定MOS管和IGBT管的區(qū)別
IGBT的工作原理結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點，通過控制MOSFET的柵電壓來控制BJT的導(dǎo)通和截止。IGBT適合用于大電流、高電壓的開關(guān)任務(wù)，具有低導(dǎo)通壓降和高功率處理能力?。
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MOSFET開關(guān)管損失了解嗎？限制MOSFET開關(guān)速度的因素有哪些
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰OSFET的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOSFET具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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MOS管與IGBT管的區(qū)別匯總
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的功率開關(guān)器件，它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及應(yīng)用場合等方面都存在顯著的差異。
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MOS管的基本知識匯總
MOS管的工作原理基于電場效應(yīng)，即通過控制柵極電壓來改變柵源之間的電場，從而控制源極和漏極之間的電流。當(dāng)柵極電壓超過一定閾值時，會在柵極下方的半導(dǎo)體表面形成一層導(dǎo)電溝道，使源極和漏極之間導(dǎo)通。反之，當(dāng)柵極電壓低于閾值時，溝道消失，源極和漏極之間截止。
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如何選擇MOS管？MOS管常見2大失效原因，你知道嗎？
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如何測試mos管開關(guān)速度？mos管源極和漏極有什么區(qū)別？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對mos管的相關(guān)消息予以報道，如果mos管是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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mos管插入式封裝了解嗎？MOS管產(chǎn)生尖峰的原因有哪些？
一直以來，mos管都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)韒os管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
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如何解決MOS管尖峰帶來的影響？如何選擇MOS管封裝？
在這篇文章中，小編將對MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對MOS管的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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MOS管尖峰產(chǎn)生的原因是什么？如何解決MOS管尖峰
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如何選取MOS管？MOS管擊穿問題分析
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寄生電容對MOS管快速關(guān)斷有何影響？MOS管拆裝流程分享
在這篇文章中，小編將對MOS管的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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采用準(zhǔn)諧振技術(shù)，減少諧振現(xiàn)象對MOS管的影響
反激電源中MOS管出現(xiàn)兩次振鈴現(xiàn)象的主要原因是由于功率級寄生電容和電感引起的諧振?。
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寄生參數(shù)對MOS管有什么影響？MOS管工作狀態(tài)解讀
MOS管將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對MOS管的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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MOS管工作原理是什么？MOS管二級效應(yīng)解讀
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MOS管關(guān)斷時尖峰電壓的產(chǎn)生機(jī)理與應(yīng)對策略
在現(xiàn)代電子電路中，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOS管）因其高輸入阻抗、低驅(qū)動功率和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用。然而，在MOS管的開關(guān)過程中，尤其是在關(guān)斷時，常常會出現(xiàn)電壓尖峰現(xiàn)象，這不僅影響電路的穩(wěn)定性，還可能對MOS管造成損害。本文將深入探討MOS管關(guān)斷時尖峰電壓的產(chǎn)生機(jī)理，并提出有效的應(yīng)對策略。
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如何用MOS管實現(xiàn)電源防反接電路
在電子電路設(shè)計中，電源防反接是一個至關(guān)重要的問題。錯誤的電源極性連接可能會導(dǎo)致電路元件損壞，甚至引發(fā)整個系統(tǒng)的故障。為了解決這個問題，可以采用多種方法，其中一種高效且可靠的方法是利用MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)來設(shè)計防反接電路。
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PWM占空比如何控制從寄存器
PWM，也稱脈沖寬度調(diào)制，它是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。
