今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?a href="/tags/MOS" target="_blank">MOS管的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MOS管具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。

一、MOS管常見的2大失效原因

1、MOS管體二極管的緩慢反向恢復(fù)

諸如特斯拉線圈之類的高 Q 諧振電路能夠在其電感和自電容中存儲大量能量。

在某些調(diào)諧條件下，當(dāng)一個MOS管關(guān)閉而另一個器件打開時，這會導(dǎo)致電流“續(xù)流”通過 MOS管的內(nèi)部體二極管。

這個原本不是什么問題，但當(dāng)對面的MOS管試圖開啟時，內(nèi)部體二極管的緩慢關(guān)斷（或反向恢復(fù)）就會出現(xiàn)問題。

與MOS管 自身的性能相比，MOS管 體二極管通常具有較長的反向恢復(fù)時間。 如果一個 MOS管的體二極管在對立器件開啟時導(dǎo)通，則類似于上述擊穿情況發(fā)生“短路”。

這個問題通常可以通過在每個MOS管周圍添加兩個二極管來緩解。

首先，肖特基二極管與MOS管源極串聯(lián)，肖特基二極管可防止MOS管體二極管被續(xù)流電流正向偏置。 其次，高速（快速恢復(fù)）二極管并聯(lián)到MOS管/肖特基對，以便續(xù)流電流完全繞過MOS管和肖特基二極管。

這確保了MOS管體二極管永遠(yuǎn)不會被驅(qū)動導(dǎo)通，續(xù)流電流由快恢復(fù)二極管處理，快恢復(fù)二極管較少出現(xiàn)“擊穿”問題。

2、過度的柵極驅(qū)動

如果用太高的電壓驅(qū)動MOS管柵極，則柵極氧化物絕緣層可能會被擊穿，從而導(dǎo)致MOS管無法使用。

超過 +/- 15 V的柵極-源極電壓可能會損壞柵極絕緣并導(dǎo)致故障，應(yīng)注意確保柵極驅(qū)動信號沒有任何可能超過最大允許柵極電壓的窄電壓尖峰。

二、選擇MOS管的3大法則

法則之一：用N溝道orP溝道

選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。

法則之二：確定MOS管的額定電流

該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

法則之三：選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求

須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對最壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個結(jié)果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會失效。

最后，小編誠心感謝大家的閱讀。你們的每一次閱讀，對小編來說都是莫大的鼓勵和鼓舞。希望大家對MOS管已經(jīng)具備了初步的認(rèn)識，最后的最后，祝大家有個精彩的一天。