如果將電源的極性接反,可能會損壞電源或者燒掉電路板。下圖是一個實用的防反接電路。 當電源正向接入,且輸入電壓范圍為+9V~+28V時,MOS管的柵極電壓,為2/3Vin即6V~18
簡介: 今天一個剛剛入行的朋友找到我說,他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后,他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù),就
【電路】 MOS-N 場效應管 雙向電平轉換電路 -- 適用于低頻信號電平轉換的簡單應用 (原文件名:MOS-N 場效應管 雙向電平轉換電路.jpg) 如上圖所示,是 MOS-N 場效應管 雙向電平轉換電路。 雙向傳輸原理:
1、芯片發(fā)熱 本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發(fā)熱。驅動芯
摘要:分析了測量角度和角速度傳感器的選擇,通過Atmega16單片機多路信號AD采集陀螺儀和加速度計的信號,經(jīng)過Kalman濾波算法計算動態(tài)的角度和角速度,通過LCD1602顯示角速度和角度的值、轉向值。利用PID控制算法控制
我們常接觸到晶體三級管,對它的使用也比較熟悉,相對來說對晶體場效應管就陌生一點,但是,由于場效應管有其獨特的優(yōu)點,例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設計也是不允
1)防止三極管受噪聲信號的影響而產(chǎn)生誤動作,使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空,當輸入信號不確定時(如輸入信號為高阻態(tài)時),加下拉電阻,就能使有效接地。特別是GPIO連接此基極的時候,一般在GPIO所在I
【導讀】在“中國制造”的道路上國產(chǎn)分立器件已經(jīng)不可或缺的融入供應鏈?,F(xiàn)階段,以客戶需求為出發(fā)點,調(diào)整并深化產(chǎn)品線,走專業(yè)化道路,合理的性價比成為國內(nèi)分立器件制造的主要目標以及競爭優(yōu)勢的體現(xiàn)。也只有這樣
現(xiàn)代單片機主要是采用CMOS工藝制成的。1、MOS管 MOS管又分為兩種類型:N型和P型。如下圖所示:以N型管為例,2端為控制端,稱為“柵極”;3端通常接地,稱為“源極”;源極電壓記作Vss,1端接正電壓
我們在做電路設計中三極管和mos管做開關用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制.2、成本問題:三極管便宜,mos管貴。3、功耗問題:三極管損耗大
開關式穩(wěn)壓電源電路之三
柵極與源極之間加一個電阻,這個電阻起到什么作用?一是為場效應管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用:保護柵極G-源極S;第一個作用好理解,這里解釋一下第二個作用的原理——保護柵極G-源極S:場效應管的
【導讀】無線充電從誕生之日就飽受爭議,而實現(xiàn)之路也是困難重重,我們尋找了兩家涉足無線充電領域的公司,試圖從他們的現(xiàn)狀來一窺無線充電產(chǎn)業(yè)的最新動態(tài)。 成功的設計:不僅是性能,還需兼具工藝與良率 故事一
MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或
如圖是另外一個VMOS管開關穩(wěn)壓電源電路。由于采用了電壓比較器710,因此該電路比前者有所簡化。圖中,電阻R1、R2、R3和穩(wěn)壓管VDl、 VD2 組成分壓穩(wěn)壓電路,從28V輸入電壓中
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但
目前,在設計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中,要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設計達到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管,且都是互補結構,
MOS-N 場效應管 雙向電平轉換電路 -- 適用于低頻信號電平轉換的簡單應用(原文件名:MOS-N 場效應管 雙向電平轉換電路.jpg)如上圖所示,是 MOS-N 場效應管 雙向電平轉換電路。雙向傳輸原理:為了方便講述,定義 3.3V 為
目前,在設計中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中,要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻,使芯片的設計達到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管,且都是互補結構,