1、芯片發(fā)熱 本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯
摘要:分析了測(cè)量角度和角速度傳感器的選擇,通過(guò)Atmega16單片機(jī)多路信號(hào)AD采集陀螺儀和加速度計(jì)的信號(hào),經(jīng)過(guò)Kalman濾波算法計(jì)算動(dòng)態(tài)的角度和角速度,通過(guò)LCD1602顯示角速度和角度的值、轉(zhuǎn)向值。利用PID控制算法控制
我們常接觸到晶體三級(jí)管,對(duì)它的使用也比較熟悉,相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn),但是,由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),例輸入阻抗高,噪聲低,熱穩(wěn)定性好等,在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允
1)防止三極管受噪聲信號(hào)的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作,使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空,當(dāng)輸入信號(hào)不確定時(shí)(如輸入信號(hào)為高阻態(tài)時(shí)),加下拉電阻,就能使有效接地。特別是GPIO連接此基極的時(shí)候,一般在GPIO所在I
【導(dǎo)讀】在“中國(guó)制造”的道路上國(guó)產(chǎn)分立器件已經(jīng)不可或缺的融入供應(yīng)鏈?,F(xiàn)階段,以客戶需求為出發(fā)點(diǎn),調(diào)整并深化產(chǎn)品線,走專業(yè)化道路,合理的性價(jià)比成為國(guó)內(nèi)分立器件制造的主要目標(biāo)以及競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的體現(xiàn)。也只有這樣
現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。1、MOS管 MOS管又分為兩種類型:N型和P型。如下圖所示:以N型管為例,2端為控制端,稱為“柵極”;3端通常接地,稱為“源極”;源極電壓記作Vss,1端接正電壓
我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和mos管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別 工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制.2、成本問(wèn)題:三極管便宜,mos管貴。3、功耗問(wèn)題:三極管損耗大
開關(guān)式穩(wěn)壓電源電路之三
柵極與源極之間加一個(gè)電阻,這個(gè)電阻起到什么作用?一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用:保護(hù)柵極G-源極S;第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理——保護(hù)柵極G-源極S:場(chǎng)效應(yīng)管的
【導(dǎo)讀】無(wú)線充電從誕生之日就飽受爭(zhēng)議,而實(shí)現(xiàn)之路也是困難重重,我們尋找了兩家涉足無(wú)線充電領(lǐng)域的公司,試圖從他們的現(xiàn)狀來(lái)一窺無(wú)線充電產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)態(tài)。 成功的設(shè)計(jì):不僅是性能,還需兼具工藝與良率 故事一
MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或
如圖是另外一個(gè)VMOS管開關(guān)穩(wěn)壓電源電路。由于采用了電壓比較器710,因此該電路比前者有所簡(jiǎn)化。圖中,電阻R1、R2、R3和穩(wěn)壓管VDl、 VD2 組成分壓穩(wěn)壓電路,從28V輸入電壓中
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但
目前,在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),
MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號(hào)電平轉(zhuǎn)換的簡(jiǎn)單應(yīng)用(原文件名:MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路.jpg)如上圖所示,是 MOS-N 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。雙向傳輸原理:為了方便講述,定義 3.3V 為
目前,在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),
目前,在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器:多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中,要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻,使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),
我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制.2、成本問(wèn)題:三極管便宜,MOS管貴。3、功耗問(wèn)題:三極管損耗大。4、驅(qū)動(dòng)能力:MOS管常用來(lái)電源開關(guān),以及
VMOS管優(yōu)質(zhì)功放電路