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LED燈這五大技術(shù)難點(diǎn)不攻破，MOS管就燒不停
1、芯片發(fā)熱 本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯
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兩輪自平衡電動車
摘要：分析了測量角度和角速度傳感器的選擇，通過Atmega16單片機(jī)多路信號AD采集陀螺儀和加速度計(jì)的信號，經(jīng)過Kalman濾波算法計(jì)算動態(tài)的角度和角速度，通過LCD1602顯示角速度和角度的值、轉(zhuǎn)向值。利用PID控制算法控制
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場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識！
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的
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詳細(xì)講解MOS管驅(qū)動電路
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允
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三極管基極下拉電阻的作用
1)防止三極管受噪聲信號的影響而產(chǎn)生誤動作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空，當(dāng)輸入信號不確定時(如輸入信號為高阻態(tài)時)，加下拉電阻，就能使有效接地。特別是GPIO連接此基極的時候，一般在GPIO所在I
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國內(nèi)分立器件制造商積極拓路
【導(dǎo)讀】在“中國制造”的道路上國產(chǎn)分立器件已經(jīng)不可或缺的融入供應(yīng)鏈?，F(xiàn)階段，以客戶需求為出發(fā)點(diǎn)，調(diào)整并深化產(chǎn)品線，走專業(yè)化道路，合理的性價比成為國內(nèi)分立器件制造的主要目標(biāo)以及競爭優(yōu)勢的體現(xiàn)。也只有這樣
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MOS管及簡單CMOS邏輯門電路原理圖
現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。1、MOS管 MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例，2端為控制端，稱為“柵極”;3端通常接地，稱為“源極”;源極電壓記作Vss，1端接正電壓
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三極管比MOS管開關(guān)功能略勝一籌？
我們在做電路設(shè)計(jì)中三極管和mos管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，mos管貴。3、功耗問題：三極管損耗大
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開關(guān)式穩(wěn)壓電源電路之三
開關(guān)式穩(wěn)壓電源電路之三
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柵極電阻與泄放電阻
柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用?一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S;第一個作用好理解，這里解釋一下第二個作用的原理——保護(hù)柵極G-源極S：場效應(yīng)管的
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4G帶旺無線充電產(chǎn)業(yè) Qi標(biāo)準(zhǔn)將普及
【導(dǎo)讀】無線充電從誕生之日就飽受爭議，而實(shí)現(xiàn)之路也是困難重重，我們尋找了兩家涉足無線充電領(lǐng)域的公司，試圖從他們的現(xiàn)狀來一窺無線充電產(chǎn)業(yè)的最新動態(tài)。 成功的設(shè)計(jì)：不僅是性能，還需兼具工藝與良率 故事一
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MOS管擊穿原因和防護(hù)措施！
MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或
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VMOS管開關(guān)穩(wěn)壓電源電路圖
如圖是另外一個VMOS管開關(guān)穩(wěn)壓電源電路。由于采用了電壓比較器710，因此該電路比前者有所簡化。圖中，電阻R1、R2、R3和穩(wěn)壓管VDl、 VD2 組成分壓穩(wěn)壓電路，從28V輸入電壓中
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MOS管驅(qū)動電路總結(jié)
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但
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技術(shù)：CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
目前，在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中，要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻，使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，
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N溝道增強(qiáng)型MOS管雙向低頻開關(guān)電路
MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路 -- 適用于低頻信號電平轉(zhuǎn)換的簡單應(yīng)用(原文件名:MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路.jpg)如上圖所示，是 MOS-N 場效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。雙向傳輸原理：為了方便講述，定義 3.3V 為
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技術(shù)在線：探析CMOS集成電路電阻的應(yīng)用
目前，在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中，要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻，使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，
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技術(shù)在線：探析CMOS集成電路電阻的應(yīng)用
目前，在設(shè)計(jì)中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設(shè)計(jì)中，要根據(jù)需要靈活運(yùn)用這3種電阻，使芯片的設(shè)計(jì)達(dá)到最優(yōu)。1CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，
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三極管和mos管在電路設(shè)計(jì)中的區(qū)別
我們在做電路設(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。4、驅(qū)動能力：MOS管常用來電源開關(guān)，以及
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VMOS管優(yōu)質(zhì)功放電路
VMOS管優(yōu)質(zhì)功放電路
