-
關于MOS管失效的六大原因分析
雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。
-
不同的LED路燈電源
隨著科學技術的發(fā)展，LED技術也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們人類。LED路燈是LED照明中一個很重要應用。在節(jié)能省電的前提下，LED路燈取代傳統(tǒng)路燈的趨勢越來越明顯。
-
LED燈不足點
在科技高度發(fā)展的今天，電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代越來越快，LED燈的技術也在不斷發(fā)展，為我們的城市裝飾得五顏六色。本文主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片進行分析。目的是為了能夠減少MOS管的損失。下文中主要從5個方面分析了MOS管燒不停的原因，并給出合理的處理方法。
-
關于隔離電源與非隔離電源在LED驅動中的選擇方法
其實說白了，不是什么可靠性，而是非隔離電路對于浪涌太敏感，抑制能力差，隔離電路，因為能量是先進入變壓器，然后從變壓器再輸送到LED負載的。
-
MOS管的選擇方案
MOS管在生活中處處會使用到，有電子產(chǎn)品的地方就有它的身影，正確選擇MOS管是很重要的一個環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的細微差別及不同開關電路中的應力能夠幫助工程師避免諸多問題。
-
MOS管使用你必須要知道的
MOS管由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
-
開關電源MOS管選用方法
MOS管最常見的應用可能是電源中的開關元件，此外，它們對電源輸出也大有裨益。服務器和通信設備等應用一般都配置有多個并行電源，以支持N+1 冗余與持續(xù)工作 (圖1)。各并
-
開關電源MOS管怎么選？參數(shù)說了算
在開關電源當中，開關管的關斷和開通時間影響著開關電源的工作效率，而MOS管的一些參數(shù)起著決定性的作用，那么MOS管的選擇又存在哪些技巧呢?由于MOS管對電路的輸出有很好的
-
MOSFET學習：N溝道MOS管和P溝道MOS管
MOS/CMOS集成電路簡介及N溝道MOS管和P溝道MOS管 在實際項目中，我們基本都用增強型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。 我們常用的是NMOS，因為其導通電阻小，且容易
-
電源節(jié)能雙管正激拓撲結構的研究
近期令人矚目的新款航嘉多核R80電源，除了集低價、節(jié)能、穩(wěn)定、低噪音等特點于一身外，令玩家們感興趣的恐怕還有“雙管正激”這一先進的拓撲架構。事實上，不但多
-
模擬又掛科了？看懂模擬運放想掛都難
1． 模擬運放的分類及特點模擬運算放大器從誕生至今，已有40多年的歷史了。最早的工藝是采用硅NPN工藝，后來改進為硅NPN-PNP工藝（后面稱為標準硅工藝）。在結型場效應管技
-
電路設計中三極管和mos管的區(qū)別
我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區(qū)別 工作性質：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制. 2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。 3、功耗問題：三極管損
-
開關電源設計之MOS管反峰及RCD吸收回路
對于一位開關電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又
-
納微在中國開設GaNFast研發(fā)中心以支持創(chuàng)新
納微(Navitas)今天宣布在杭州開設新的GaNFast研發(fā)中心，以幫助合作伙伴和客戶設計技術領先的電源轉換器;相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案，這些新設計能讓體積縮小50%，重量減輕50%，可為移動應用終端提供快3倍的充電速度
-
MOS管功率損耗竟然還可以這么測
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢
-
開關MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
-
開關MOS寄生二極管的多種妙用
是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。
-
開關電源中的各個元器件是如何檢驗的？
開關電源中的電阻、電容、電感、二極管、三極管、MOS管、電源IC、變壓器、安規(guī)電容是如何檢驗的？
-
電源設計經(jīng)驗之MOS管驅動電路篇
MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。
-
mos管開關電路圖
圖中電池的正電通過開關S1接到場效應管Q1的2腳源極，由于Q1是一個P溝道管，它的1腳柵極通過R20電阻提供一個正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過，3v穩(wěn)壓IC輸入腳得不到電壓所以就不能工作不開機!
