-
國內(nèi)最大規(guī)模IGBT產(chǎn)業(yè)基地開建 年產(chǎn)芯片12萬片
5月25日，中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。項目設計年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只，中國南車成為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設計、芯片制造、模塊封裝、系統(tǒng)應
-
國內(nèi)最大規(guī)模IGBT半導體產(chǎn)業(yè)基地開建
5月25日，中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。項目設計年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只，中國南車成為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設計、芯片制造、模塊封裝、系統(tǒng)應
-
全橋型IGBT脈沖激光電源原理與性能分析
本文介紹的激光電源為工作于重復脈沖方式的固體激光器提供電能。該激光器采用氙燈作泵浦光源，在惰性氣體燈中，氙氣的總轉(zhuǎn)換效率最高。激光器用于激光打標，工作頻率每秒60次。電源系統(tǒng)采用IGBT管全橋逆變方式，工作頻率為20kHz，控制電路采用PWM方式。
-
英飛凌600V功率開關器件家族又添新丁
21ic訊 在PCIM Europe 2011展會上，英飛凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）600V逆導型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關器件可在目標應用中實現(xiàn)最高達96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速
-
總投資14億元人民幣 中國首條八英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應用于軌道交通
-
總投資14億元人民幣 中國首條八英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應
-
中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動
中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地25日在株洲奠基，這標志著中國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應用于軌道交通
-
宏微科技宣布深圳分公司正式成立
5月21日，江蘇宏微科技深圳分公司宣布正式成立。宏微科技秉承“宏圖之志，成于細微”的創(chuàng)業(yè)理念，深耕電力電子器件領域，其研發(fā)的FRED、VDMOS、IGBT分立器件及其模塊也已應用到工業(yè)、新能源等各個領域。在成立大會上
-
華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺進入量產(chǎn)
世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)宣布，公司與其技術合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺成功進入量產(chǎn)，成為
-
華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺成功進入量產(chǎn)
世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）宣布，公司與其技術合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT（溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺成功進入量產(chǎn)，成為國內(nèi)第
-
上海先進IGBT2-1200V圓片突破45萬片
上海先進半導體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
-
先進半導體IGBT圓片產(chǎn)量突破45萬片
上海先進半導體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。 令人鼓舞的是，
-
上海先進IGBT2-1200V圓片突破45萬片
上海先進半導體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
-
上海先進成功突破45萬片IGBT2-1200V圓片的制造
上海先進半導體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。 令人鼓舞的
-
上海先進IGBT2-1200V圓片突破45萬片
上海先進半導體制造股份有限公司(“上海先進”)與一家歐洲著名IDM即集成器件制造商于2004年1月16日簽署了IGBT2-1200V產(chǎn)品制造的合作協(xié)議。上海先進于2004年5月成功完成該產(chǎn)品的第一片合格芯片生產(chǎn)。令人鼓舞的是，近
-
中國IGBT市場銷售額四年后將翻一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。2010年銷售額為
-
中國IGBT市場銷售額四年后將翻一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。2010年銷售額為5.897億美元
-
英飛凌投資1.6億美元擴大馬來西亞產(chǎn)能
英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設施進行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應用的功率半導體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新
-
MOSFET恐慌性“缺貨”引發(fā)大量盲目訂單
缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供應鏈受阻一直讓半導體廠商揪心，對此，業(yè)內(nèi)人士表示由于原廠和分銷代理商還有一定庫存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來，但
-
英飛凌增強IGBT產(chǎn)能，將向馬來西亞生產(chǎn)線投資1.6億美元
德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)宣布，將在2011年內(nèi)向馬來西亞的馬六甲工廠投資1億6000萬美元。用于更新和增設工廠的研發(fā)設備及量產(chǎn)設備。由此，IGBT（insulated gate bipolar transistor）等的封裝組裝工
