要產(chǎn)生火花,你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點火線圈),以及用于控制變壓器初級電流的開關。電子學教科書告訴我們V=Ldi/dt。因此,如果線圈初級繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/dt值很大),初級繞組上將產(chǎn)生高
1 光伏發(fā)電逆變技術國內(nèi)、外的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述1.1 綜述20 世紀 70 年代以來,兩次石油危機、當前嚴 重的環(huán)境污染以及氣候變暖峰會的強烈呼吁,迫使人們更加努力尋找和開發(fā)新能源。對于污染及耗能大戶 —&m
“IGBT”被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟的“核芯”。兩年后,國內(nèi)首條8英寸IGBT生產(chǎn)線項目有望在石峰區(qū)井龍街道茅塘村投產(chǎn)。4月13日,市委副書記陽衛(wèi)國率市經(jīng)信委、統(tǒng)計局
1 光伏發(fā)電逆變技術國內(nèi)、外的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述1.1 綜述20 世紀 70 年代以來,兩次石油危機、當前嚴 重的環(huán)境污染以及氣候變暖峰會的強烈呼吁,迫使人們更加努力尋找和開發(fā)新能源。對于污染及耗能大戶 —&m
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出為軟開關應用,比如電動車和混合動力汽車中的正溫度系數(shù)(PTC)加熱器應用而優(yōu)化的車用 IGBT AUIRGDC0250。1200V AUIRGDC0250 采用緊湊的 Super TO-22
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結合功率MOSFET的工藝技術,將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結合功率MOSFET的工藝技術,將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓
斬波是電力電子控制中的一項變流技術,其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關系到調(diào)速的技術性能,而且直接影響設備的運行安全和
摘要:飛機座椅電源是為了滿足機上乘客電子設備用電需求而設計的。飛機座椅電源產(chǎn)品的研制對設備的國產(chǎn)化,安裝成本的降低等方面都有重要意義。在此參照DO-160F,Boeing D6-44588以及Airbus ABD0100等相關電磁測試要
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效,滿足散熱法規(guī),同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產(chǎn)品
一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機變頻調(diào)速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體管(GTR)已成定論。IEGT在高電壓領域中保持快速開關特
1.引言 電容感應方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點,由于不需要機械結構,相比傳統(tǒng)的機械按鍵和薄膜按鍵,觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢,并由此帶來了時尚美觀的外觀設計。目前已經(jīng)廣泛應用于各種消費類電子產(chǎn)品。越來
1.引言 電容感應方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點,由于不需要機械結構,相比傳統(tǒng)的機械按鍵和薄膜按鍵,觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢,并由此帶來了時尚美觀的外觀設計。目前已經(jīng)廣泛應用于各種消費類電子產(chǎn)品。越來
1.引言 電容感應方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點,由于不需要機械結構,相比傳統(tǒng)的機械按鍵和薄膜按鍵,觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢,并由此帶來了時尚美觀的外觀設計。目前已經(jīng)廣泛應用于各種消費類電子產(chǎn)品。越來
摘要:為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求,設計采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過對太陽能光伏發(fā)電原理的簡單了解,比較場效應管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構成的逆變電路,針對IGBT構成的
摘要:為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求,設計采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過對太陽能光伏發(fā)電原理的簡單了解,比較場效應管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構成的逆變電路,針對IGBT構成的
摘要:為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求,設計采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過對太陽能光伏發(fā)電原理的簡單了解,比較場效應管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構成的逆變電路,針對IGBT構成的
1 引言 日立igbt整流器是一種電壓型pwm整流器,具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制,以及高功率因數(shù)控制(cosφ≈1.0)等特點。使用該類型整流器除了實現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外,還能夠減少電網(wǎng)諧波,省去
摘要 針對各種礦用永磁機構真空斷路器的控制需求,實現(xiàn)了基于CPLD的新型智能礦用真空永磁控制器。采用全電子電路無觸點軟件一體化設計,電源采用寬范圍輸入、恒壓恒流輸出的開關電源設計,電壓和電流連續(xù)可調(diào),具有較
2011年,全球電子元器件市場起伏不定。從生產(chǎn)企業(yè)的產(chǎn)能負荷情況看,在去年第四季度,我國電子產(chǎn)品終端企業(yè)訂單數(shù)量明顯上升,這無疑將進一步推動我國電子元器件市場向好。作為行業(yè)內(nèi)最專注于電子制造領域配套元器件