飛機(jī)座椅電源的研究

摘要：飛機(jī)座椅電源是為了滿足機(jī)上乘客電子設(shè)備用電需求而設(shè)計(jì)的。飛機(jī)座椅電源產(chǎn)品的研制對(duì)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，安裝成本的降低等方面都有重要意義。在此參照DO-160F，Boeing D6-44588以及Airbus ABD0100等相關(guān)電磁測(cè)試要

飛兆半導(dǎo)體650V場(chǎng)截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性

太陽(yáng)能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了一系列針對(duì)光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品

全球經(jīng)濟(jì)化條件下lGBT軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用與開(kāi)發(fā)

一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開(kāi)關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中，它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體管(GTR)已成定論。IEGT在高電壓領(lǐng)域中保持快速開(kāi)關(guān)特

基于CY8C22545的觸摸按鍵電磁爐設(shè)計(jì)

　1.引言　　電容感應(yīng)方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點(diǎn)，由于不需要機(jī)械結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的機(jī)械按鍵和薄膜按鍵，觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢(shì)，并由此帶來(lái)了時(shí)尚美觀的外觀設(shè)計(jì)。目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。越來(lái)

基于CY8C22545的觸摸按鍵電磁爐設(shè)計(jì)

　1.引言　　電容感應(yīng)方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點(diǎn)，由于不需要機(jī)械結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的機(jī)械按鍵和薄膜按鍵，觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢(shì)，并由此帶來(lái)了時(shí)尚美觀的外觀設(shè)計(jì)。目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。越來(lái)

基于CY8C22545的觸摸按鍵電磁爐設(shè)計(jì)

　1.引言　　電容感應(yīng)方式的觸摸按鍵有很多優(yōu)點(diǎn)，由于不需要機(jī)械結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的機(jī)械按鍵和薄膜按鍵，觸摸式按鍵有著不可比擬的優(yōu)勢(shì)，并由此帶來(lái)了時(shí)尚美觀的外觀設(shè)計(jì)。目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。越來(lái)

基于IGBT光伏發(fā)電逆變電路的設(shè)計(jì)

摘要：為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求，設(shè)計(jì)采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過(guò)對(duì)太陽(yáng)能光伏發(fā)電原理的簡(jiǎn)單了解，比較場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路，針對(duì)IGBT構(gòu)成的

基于IGBT光伏發(fā)電逆變電路的設(shè)計(jì)

摘要：為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求，設(shè)計(jì)采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過(guò)對(duì)太陽(yáng)能光伏發(fā)電原理的簡(jiǎn)單了解，比較場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路，針對(duì)IGBT構(gòu)成的

基于IGBT光伏發(fā)電逆變電路的設(shè)計(jì)

摘要：為滿足高壓大容量逆變系統(tǒng)的要求，設(shè)計(jì)采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發(fā)電系統(tǒng)。通過(guò)對(duì)太陽(yáng)能光伏發(fā)電原理的簡(jiǎn)單了解，比較場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路，針對(duì)IGBT構(gòu)成的

IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對(duì)整流器的影響

1 引言　　日立igbt整流器是一種電壓型pwm整流器，具有能量雙向流動(dòng)、恒定直流電壓控制，以及高功率因數(shù)控制（cosφ≈1.0）等特點(diǎn)。使用該類(lèi)型整流器除了實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外，還能夠減少電網(wǎng)諧波，省去

一種新型礦用真空永磁控制器設(shè)計(jì)

摘要 針對(duì)各種礦用永磁機(jī)構(gòu)真空斷路器的控制需求，實(shí)現(xiàn)了基于CPLD的新型智能礦用真空永磁控制器。采用全電子電路無(wú)觸點(diǎn)軟件一體化設(shè)計(jì)，電源采用寬范圍輸入、恒壓恒流輸出的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，電壓和電流連續(xù)可調(diào)，具有較

元器件創(chuàng)新成果亮相中國(guó)電子展 廠商主打節(jié)能牌

2011年，全球電子元器件市場(chǎng)起伏不定。從生產(chǎn)企業(yè)的產(chǎn)能負(fù)荷情況看，在去年第四季度，我國(guó)電子產(chǎn)品終端企業(yè)訂單數(shù)量明顯上升，這無(wú)疑將進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)電子元器件市場(chǎng)向好。作為行業(yè)內(nèi)最專(zhuān)注于電子制造領(lǐng)域配套元器件

馬達(dá)設(shè)計(jì)原理及元件安裝需考慮的因素

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動(dòng)電路都采用變頻器來(lái)調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會(huì)受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會(huì)受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物

一種新型礦用真空永磁控制器設(shè)計(jì)

摘要 針對(duì)各種礦用永磁機(jī)構(gòu)真空斷路器的控制需求，實(shí)現(xiàn)了基于CPLD的新型智能礦用真空永磁控制器。采用全電子電路無(wú)觸點(diǎn)軟件一體化設(shè)計(jì)，電源采用寬范圍輸入、恒壓恒流輸出的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，電壓和電流連續(xù)可調(diào)，具有較

馬達(dá)設(shè)計(jì)原理及元件安裝需考慮的因素

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動(dòng)電路都采用變頻器來(lái)調(diào)整輸出電流，以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會(huì)受到應(yīng)用的限制。在許多情況下，電路板與馬達(dá)靠得很近，而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會(huì)受限。另外，所用高功率半導(dǎo)體器件的物

應(yīng)用于工業(yè)牽引的軟穿通IGBT技術(shù)的大功率模塊

1　引言　　隨著軟穿通igbt技術(shù)的引入，產(chǎn)生了igbt設(shè)計(jì)上和特性上的新標(biāo)準(zhǔn)，特別適用于中等功率的市場(chǎng)。將傳統(tǒng)的npt（非穿通型）igbt的高強(qiáng)度和低損耗兩個(gè)特點(diǎn)相結(jié)合，已經(jīng)使spt-igbt成為1200v-1700v電壓范圍的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機(jī)遇：IGBT產(chǎn)業(yè)

IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT 器件（絕緣柵雙極型晶體管）是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導(dǎo)通

逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)詳解

這幾天沉下心來(lái)專(zhuān)門(mén)給逆變器的后級(jí)，也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子，用來(lái)深入了解相關(guān)的特性。大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說(shuō)，在逆變

BUCK電路拓?fù)浼捌涔ぷ髟?/a>

中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)

引言　　電阻焊是一種重要的焊接工藝，具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動(dòng)化等特點(diǎn)。IGBT是一種用MOS管來(lái)控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總