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中頻電阻焊機(jī)電源的IGBT保護(hù)
引言 電阻焊是一種重要的焊接工藝，具有生產(chǎn)效率高、成本低、節(jié)省材料和易于自動化等特點(diǎn)。IGBT是一種用MOS管來控制晶體管的電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)。本文從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，總
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南通富士通日前成為SEMI會員
2012年12月，南通富士通作為擁有全球領(lǐng)先封測技術(shù)的代表性企業(yè)正式成為SEMI會員。自1997年10月成立至始終站在行業(yè)科技發(fā)展的前沿，堅(jiān)持以科技創(chuàng)新為宗旨，成功承擔(dān)并實(shí)施了“高集成度多功能芯片系統(tǒng)級封裝技
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南通富士通日前成為SEMI會員
2012年12月，南通富士通作為擁有全球領(lǐng)先封測技術(shù)的代表性企業(yè)正式成為SEMI會員。自1997年10月成立至始終站在行業(yè)科技發(fā)展的前沿，堅(jiān)持以科技創(chuàng)新為宗旨，成功承擔(dān)并實(shí)施了“高集成度多功能芯片系統(tǒng)級封裝技術(shù)研
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功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用
1. 引言 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
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IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理
摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、
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IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。 關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
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IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
IGBT及其子器件的四種失效模式介紹
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IGBT及其子器件的四種失效模式比較
摘要：本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。 關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
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中科院微電子所IGBT芯片研制:80后的跨越
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們設(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進(jìn)行超高壓測試。之所以緊張，是因?yàn)樗麄儧]有像
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上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動代工
先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。 當(dāng)時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。 由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，
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上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動代工
先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。當(dāng)時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之前發(fā)展的保守與缺乏戰(zhàn)略，從2006年上市后到2009年，這
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上海先進(jìn)半導(dǎo)體：孵化國內(nèi)芯片設(shè)計(jì)告別被動代工
上海先進(jìn)半導(dǎo)體：告別被動代工，孵化國內(nèi)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)先進(jìn)半導(dǎo)體是全球歷史最為悠久的模擬電子芯片代工廠之一，其前身是1988年成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司。當(dāng)時，這家位于上海市漕河涇的工廠，產(chǎn)品基本出口。由于之
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開關(guān)電源發(fā)展過程中的十個技術(shù)焦點(diǎn)
20世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。 功
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IR推出超高速 600 V IGBT 系列IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF
21ic訊 國際整流器公司 (IR) 近日擴(kuò)充堅(jiān)固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能、工業(yè)用電機(jī)及焊接應(yīng)用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。IRGPS4067DPbF 和
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飛兆半導(dǎo)體獲頒伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司獲頒伊頓亞太區(qū)2011年最佳供應(yīng)商獎。伊頓(Eaton)公司總部位于美國，并在上海設(shè)有亞太區(qū)總部，該公司是為單相與三相UPS、電信
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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宏微“高壓大電流 NPT IGBT 和FRED芯片”達(dá)到世界先進(jìn)水平
具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管（NPT IGBT）芯片系列產(chǎn)品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復(fù)二極管（FRED）芯片系列產(chǎn)品”項(xiàng)目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會、
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
