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開關電源發(fā)展過程中的十個技術焦點
20世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發(fā)展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統(tǒng)的集成技術三個發(fā)展階段。 功
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IR推出超高速 600 V IGBT 系列IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF
21ic訊 國際整流器公司 (IR) 近日擴充堅固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽能、工業(yè)用電機及焊接應用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。IRGPS4067DPbF 和
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飛兆半導體獲頒伊頓亞太區(qū)最佳供應商獎
全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司獲頒伊頓亞太區(qū)2011年最佳供應商獎。伊頓(Eaton)公司總部位于美國，并在上海設有亞太區(qū)總部，該公司是為單相與三相UPS、電信
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護領域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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宏微“高壓大電流 NPT IGBT 和FRED芯片”達到世界先進水平
具有自主知識產權的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管（NPT IGBT）芯片系列產品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復二極管（FRED）芯片系列產品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會、
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護領域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護領域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設計
移相器簡介 兩個同頻信號，特別是工頻信號之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護領域中是一個模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。
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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達世界先進水平
具有自主知識產權的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復二極管(FRED)芯片系列產品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會、國家
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宏微“大電流NPT IGBT和FRED芯片”達世界先進水平
具有自主知識產權的“非穿透型高壓大電流絕緣柵雙極晶體管(NPT IGBT)芯片系列產品”和“高壓大電流外延型超快軟恢復二極管(FRED)芯片系列產品”項目2011年10月25日在常州通過來自中國電器工業(yè)協(xié)
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芯片制造應關注功率半導體
功率半導體器件的廣泛應用可以實現(xiàn)對電能的傳輸轉換及最佳控制，大幅度提高工業(yè)生產效率，大幅度節(jié)約電能、降低原材料消耗。 在過去的10年里，“18號文”推動中國半導體產業(yè)經歷了一個跨越式發(fā)展的時
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如何進行IGBT保護電路設計
本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關問題，并從實際應用中總結出各種保護方法，這些方法實用性強，保護效果好，是IGBT保護電路設計必備知識。 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學院微電子研究所IGBT團隊在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領域再次取得關鍵技術突破。由微電子所完全自主設計的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場
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IR 針對電動汽車和混合動力汽車應用推出600V車用IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應用進行了優(yōu)化。新器件適用的電流范圍很廣，提供最小為 5μs的短路
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學院微電子研究所IGBT團隊在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領域再次取得關鍵技術突破。由微電子所完全自主設計的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場
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IR推出超高速1200V IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產品為焊接、高功率整流等感應加熱和共振開關應用進行了優(yōu)化。 全新1200 V IGBT 器
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調制器設計
摘要：基于課題建設的需要，需對某型雷達脈沖調制器進行固態(tài)化改造，為達到經濟省時的目的，采用了設計與仿真的方法。應用新型功率開關器件IGBT替代電真空器件，設計了單片機控制的固態(tài)脈沖調制器?？朔死走_脈沖調
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IGBT電力電子裝置的應用詳解
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)
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IR 推出高可靠性超高速1200V IGBT
21ic訊 國際整流器公司 (簡稱IR) 近日推出針對感應加熱、不間斷電源（UPS）太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。全新超高速 1200V IGBT 系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術，可顯
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擺脫對存儲器市場的過度依賴 三星計劃明年第二季度量產IGBT芯片
三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產品，這是自1999年三星將電力半導體廠拋售給快捷半導體(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的電力芯片產品。據(jù)南韓電子新聞報導，三星2011年5月與
