因此,可以明確地看到為什么5G對(duì)電力需求如此之高。一些5G網(wǎng)絡(luò)提供商在搭建網(wǎng)絡(luò)和提供服務(wù)時(shí)對(duì)于MIMO苦不堪言,甚至在討論是否可以將基站的收發(fā)器數(shù)量降低為32T32R以節(jié)省功率,但這樣會(huì)極大地限制網(wǎng)絡(luò)容量。
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,LED技術(shù)也在不斷發(fā)展,為我們的生活帶來(lái)各種便利,為我們提供各種各樣生活信息,造福著我們?nèi)祟悺.a(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和東北大學(xué)于2019年7月宣布,他們開(kāi)發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。他們?cè)囎龅腉aN Micro LED尺寸僅為6μm見(jiàn)方,如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話,就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。
繁華的城市離不開(kāi)LED燈的裝飾,相信大家都見(jiàn)過(guò)LED,它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個(gè)地方,也照亮著我們的生活。只有想不到的,沒(méi)有做不到的,LED領(lǐng)域*近都有哪些新技術(shù)值得關(guān)注?GaN Micro LED年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)43.5%。氮化鎵(GaN)化合物半導(dǎo)體曾經(jīng)被推廣到LED芯片當(dāng)作襯底,盡管LED已屬成熟市場(chǎng),但這些技術(shù)在功率電子和LED照明仍具備很大增長(zhǎng)空間。
隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步,技術(shù)的不斷發(fā)展,科技產(chǎn)品也日新月異,產(chǎn)品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的設(shè)計(jì)者來(lái)設(shè)計(jì),功率器件對(duì)電子產(chǎn)品是功不可沒(méi)的。分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。
采用GaN Systems的650 V,30 A GaN E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820高速柵極驅(qū)動(dòng)器,共同組成了一套高速半橋GaN系統(tǒng)評(píng)估板。該套件采用25mm x 25mm的布局
現(xiàn)在大街上隨處可見(jiàn)的LED顯示屏,還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈,處處可見(jiàn)LED燈的身影,LED已經(jīng)融入到生活中的每一個(gè)角落。氮化鎵技術(shù)(GaN)在LED應(yīng)用中早已不是什么新鮮事兒,最早GaN的開(kāi)發(fā)初衷就是為L(zhǎng)ED而生,之后的科研人員才開(kāi)始基于GaN的高頻特性,陸續(xù)在射頻、功率等領(lǐng)域進(jìn)行探索。
Navitas 納微半導(dǎo)體近日宣布將于2019年11月1日至4日在中國(guó)深圳舉行的中國(guó)電源學(xué)會(huì)(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動(dòng)的手機(jī)快速充電器。
行業(yè)認(rèn)可首款用于GaN功率開(kāi)關(guān)的高性能、650V高壓半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步,技術(shù)的不斷發(fā)展,科技產(chǎn)品也日新月異,產(chǎn)品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的設(shè)計(jì)者來(lái)設(shè)計(jì),功率器件對(duì)電子產(chǎn)品是功不可沒(méi)的。2015年3月20日,德國(guó)慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布,兩家公司已達(dá)成協(xié)議,將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu),與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。
在日常生活中,電子產(chǎn)品處處可見(jiàn),大家都知道如何使用,但是都不會(huì)去了解電子產(chǎn)品里面有什么,其實(shí)里面很重要的是功率器件。更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以跟上需求,其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%,也占總溫室氣體排放量的2%,與航空業(yè)的碳排放量相同。
據(jù)報(bào)道,北京大學(xué)東莞光電研究院現(xiàn)有在孵企業(yè)32家,2018年度在孵企業(yè)營(yíng)業(yè)總收入12.78億元。光電研究院成立于2012年8月,由北京大學(xué)與東莞市人民政府共同組建,是廣東省首批新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院擁有
在EDI CON2019上,21ic專訪了MACOM的無(wú)線產(chǎn)品中心資深總監(jiān)成鋼 (Echo Cheng)和射頻和微波解決方案銷售總監(jiān)孟愛(ài)國(guó) (Michael Meng)。兩位對(duì)于5G產(chǎn)品形態(tài)、市場(chǎng)和更多GaN藍(lán)海機(jī)遇進(jìn)行了講解。
作者:宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)Michael A. de Rooij博士及張遠(yuǎn)哲博士面向不同種類的家電,eGaN FET技術(shù)在推動(dòng)無(wú)線充電市場(chǎng)的發(fā)展扮演著重要的角色 這里展示出由無(wú)線充電推動(dòng)
氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料,應(yīng)用范圍非常廣,包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等,而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。不久前,Anker推出了全球首款采用氮化鎵材料的充電器,型號(hào)“P
陳鈺林透露,國(guó)產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展,100V、150V、650V三個(gè)GaN新品將于2018年12月底試產(chǎn),2019年正式量產(chǎn)。目前,英諾賽科已有5個(gè)產(chǎn)品(40V、60V、100V等)實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)并有接到訂單,這些產(chǎn)品均采用了目前行業(yè)領(lǐng)先的8寸Fab產(chǎn)線制造。
SiC和GaN并不是終點(diǎn),最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)。
硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸,但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下,硅材料無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò),以及未來(lái)的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù),功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。
更高功率密度是目前電源IC廠商的一致目標(biāo),近日TI發(fā)布了全新的DC/DC降壓器和高壓GaN電源產(chǎn)品,將功率密度提升到新的高度。
目前,功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn),將來(lái)也會(huì)快速發(fā)展,從簡(jiǎn)單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn),比如,生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。這也意味著,要用更高的工作電壓來(lái)管理更高的功率,卻不能增加重量和尺寸,比如,太陽(yáng)能串式逆變器和電動(dòng)汽車牽引電機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)合。