Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計

領(lǐng)先的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件

GaN在軍事中的應(yīng)用

雷達(dá)，電子戰(zhàn)（EW）和通信系統(tǒng)越來越多地利用氮化鎵（GaN）技術(shù)來滿足對高性能，高功率和長壽命周期的嚴(yán)格要求。與此同時，產(chǎn)量上升會導(dǎo)致價格下降，也使GaN可以跨越多個市場。

GaN克服得了5G基站耗電巨大？

進(jìn)入2020年，將是移動通訊的巨大機(jī)遇期，移動通信領(lǐng)域正在發(fā)生巨大變化：第五代蜂窩網(wǎng)絡(luò)技術(shù)(也稱為5G)服務(wù)在陸續(xù)推出。消費(fèi)者目前已經(jīng)開始體驗5G技術(shù)的優(yōu)勢，它不僅能夠憑

5G基站耗電巨大

因此，可以明確地看到為什么5G對電力需求如此之高。一些5G網(wǎng)絡(luò)提供商在搭建網(wǎng)絡(luò)和提供服務(wù)時對于MIMO苦不堪言，甚至在討論是否可以將基站的收發(fā)器數(shù)量降低為32T32R以節(jié)省功率，但這樣會極大地限制網(wǎng)絡(luò)容量。

高效發(fā)光的GaN Micro LED

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LED技術(shù)也在不斷發(fā)展，為我們的生活帶來各種便利，為我們提供各種各樣生活信息，造福著我們?nèi)祟?。產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和東北大學(xué)于2019年7月宣布，他們開發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。他們試做的GaN Micro LED尺寸僅為6μm見方，如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話，就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。

基于GaN器件技術(shù)的LED

繁華的城市離不開LED燈的裝飾，相信大家都見過LED，它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個地方，也照亮著我們的生活。只有想不到的，沒有做不到的，LED領(lǐng)域*近都有哪些新技術(shù)值得關(guān)注?GaN Micro LED年復(fù)合增長率將達(dá)43.5%。氮化鎵(GaN)化合物半導(dǎo)體曾經(jīng)被推廣到LED芯片當(dāng)作襯底，盡管LED已屬成熟市場，但這些技術(shù)在功率電子和LED照明仍具備很大增長空間。

氮化鎵功率器件解析

隨著社會的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計，功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。

GaN Systems和安森美共同發(fā)布半橋評估板

采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820高速柵極驅(qū)動器，共同組成了一套高速半橋GaN系統(tǒng)評估板。該套件采用25mm x 25mm的布局

LED中的氮化鎵技術(shù)

現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏，還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈，處處可見LED燈的身影，LED已經(jīng)融入到生活中的每一個角落。氮化鎵技術(shù)(GaN)在LED應(yīng)用中早已不是什么新鮮事兒，最早GaN的開發(fā)初衷就是為LED而生，之后的科研人員才開始基于GaN的高頻特性，陸續(xù)在射頻、功率等領(lǐng)域進(jìn)行探索。

Navitas納微半導(dǎo)體在亞洲高級電力電子會議上展示在GaN（氮化鎵）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

Navitas 納微半導(dǎo)體近日宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學(xué)會(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動的手機(jī)快速充電器。

安森美半導(dǎo)體的NCP51820高速氮化鎵(GaN)門極驅(qū)動器在中國獲2019年度“Top 10電源產(chǎn)品獎”

行業(yè)認(rèn)可首款用于GaN功率開關(guān)的高性能、650V高壓半橋門極驅(qū)動器

高性能GaN器件

隨著社會的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計，功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。

安森美的SiC及GaN產(chǎn)品

在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實里面很重要的是功率器件。更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%，也占總溫室氣體排放量的2%，與航空業(yè)的碳排放量相同。

北大東莞光電研究院有望突破高質(zhì)量GaN單晶襯底制備難題

據(jù)報道，北京大學(xué)東莞光電研究院現(xiàn)有在孵企業(yè)32家，2018年度在孵企業(yè)營業(yè)總收入12.78億元。光電研究院成立于2012年8月，由北京大學(xué)與東莞市人民政府共同組建，是廣東省首批新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院擁有

5G冰山之下，潛藏著你未意識到的GaN應(yīng)用巨大機(jī)遇

在EDI CON2019上，21ic專訪了MACOM的無線產(chǎn)品中心資深總監(jiān)成鋼 (Echo Cheng)和射頻和微波解決方案銷售總監(jiān)孟愛國 (Michael Meng)。兩位對于5G產(chǎn)品形態(tài)、市場和更多GaN藍(lán)海機(jī)遇進(jìn)行了講解。

ANADIGICS推出新型GaN線路放大器

我們?nèi)绾卧O(shè)計一部以無線方式供電的電視機(jī)

作者：宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）Michael A. de Rooij博士及張遠(yuǎn)哲博士面向不同種類的家電，eGaN FET技術(shù)在推動無線充電市場的發(fā)展扮演著重要的角色 這里展示出由無線充電推動

Anker推出全球首款氮化鎵充電器：最大輸出功率達(dá)27W功率

氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。不久前，Anker推出了全球首款采用氮化鎵材料的充電器，型號“P

國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展，本月底試產(chǎn)，明年正式量產(chǎn)！

陳鈺林透露，國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展，100V、150V、650V三個GaN新品將于2018年12月底試產(chǎn)，2019年正式量產(chǎn)。目前，英諾賽科已有5個產(chǎn)品(40V、60V、100V等)實現(xiàn)小批量生產(chǎn)并有接到訂單，這些產(chǎn)品均采用了目前行業(yè)領(lǐng)先的8寸Fab產(chǎn)線制造。

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。