提起GaN技術(shù),就不得不說起MACOM。近日北京召開的EDI CON上,MACOM展示了業(yè)界最頂尖的GaN技術(shù)。
TI正在設(shè)計(jì)基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計(jì)劃和相關(guān)的應(yīng)用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管(HEMT)。HEMT是一種場效應(yīng)晶體管(FET),會(huì)使導(dǎo)通電阻會(huì)低很多。它的開關(guān)頻率要比同等大小的硅功率晶體管要快。這些優(yōu)勢使得功率轉(zhuǎn)換的能效更高,并且能夠更加有效地使用空間。GaN可以安裝在硅基板上,這樣可充分利用硅制造能力,并實(shí)現(xiàn)更低的成本。然而,在使用新技術(shù)時(shí),需要驗(yàn)證這項(xiàng)技術(shù)的可靠性。這份白皮書的主題恰恰是G
作為電源工程師,我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級(jí)的場景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡單(圖1),以及平均電流的計(jì)算是多么地輕松,并且確定
市場研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出,隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品,2015年碳化矽(SiC)功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑,有望刺激市場加速采用;與此同時(shí),氮化鎵(GaN)功率半
汽車電子專家海拉,聯(lián)合領(lǐng)先的氮化鎵功率晶體管制造商氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),以及凱特琳大學(xué)先進(jìn)電力電子實(shí)驗(yàn)室充電技術(shù)領(lǐng)域?qū)W者成功研制了一臺(tái)兩電平電動(dòng)汽車充電
我國正投入數(shù)十億美元,大力推動(dòng)研發(fā)自己的微芯片。這項(xiàng)行動(dòng)可能會(huì)增強(qiáng)該國的軍事實(shí)力及其本土科技產(chǎn)業(yè)。在華盛頓,這些行動(dòng)已經(jīng)開始引起注意。據(jù)美國《紐約時(shí)報(bào)》網(wǎng)站2月5日?qǐng)?bào)道,一名專家和另一名參與了交易討論的
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說,理解
盡管我們現(xiàn)在看似生活在一個(gè)非常文明的時(shí)代,但是無奈依然還是有一些“不文明”的人存在,很不幸,我們經(jīng)常會(huì)看到女性朋友遭受攻擊,釀成悲劇,這一情況在印度特別的明顯。那么我們的女性朋友能怎么辦?出門隨身帶一個(gè)狼牙棒,一個(gè)哨子,還是說防狼噴霧,或者電擊器?
《無線電源手冊(cè)》第二版是全新增訂本,旨在幫助工程師如何發(fā)揮氮化鎵功率晶體管的卓越性能以設(shè)計(jì)出面向無線電源傳送系統(tǒng)的高效放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出《無線電源
Ampleon公司宣布,北京建廣資產(chǎn)有限公司成功收購恩智浦半導(dǎo)體的RF電源業(yè)務(wù)后,建立Ampleon公司的全球業(yè)務(wù)運(yùn)作。Ampleon公司負(fù)責(zé)整體射頻(RF)電源業(yè)務(wù)活動(dòng),包括LDMOS和GaN RF電源產(chǎn)品的銷售和支持,立即生效。Ample
Ampleon公司宣布,北京建廣資產(chǎn)有限公司成功收購恩智浦半導(dǎo)體的RF電源業(yè)務(wù)后,建立Ampleon公司的全球業(yè)務(wù)運(yùn)作。Ampleon公司負(fù)責(zé)整體射頻(RF)電源業(yè)務(wù)活動(dòng),包括LDMOS和GaN RF電源產(chǎn)品的銷售和支持,立即生效。Ampleon公司在世界各地的16個(gè)工程技術(shù)、銷售和制造設(shè)施擁有1,250名員工,公司總部位于荷蘭奈梅亨,憑借50多年的產(chǎn)品創(chuàng)新和卓越工程實(shí)力而建立。
據(jù)DIGITIMES網(wǎng)站報(bào)道,豐田首款量產(chǎn)型燃料電池汽車Mirai 的上市,使得燃料電池汽車受到廣泛關(guān)注。盡管燃料電池汽車的性能已經(jīng)適于商業(yè)化生產(chǎn),汽車產(chǎn)業(yè)仍然致力于解決大規(guī)
21ic訊,TDK 集團(tuán)最近推出了一款新型愛普科斯 (EPCOS) N59 鐵氧體磁材,其具有高頻低損耗的特性。該磁材專門為電源及變頻器(配備基于 GaN 的快速切換功率半導(dǎo)體)應(yīng)用而開發(fā),優(yōu)化后的頻率范圍為 700 kHz 至 2 MHz。
1997年,日亞化學(xué)成功研發(fā)世界首個(gè)發(fā)光波長為371 nm的GaN基紫外發(fā)光LED。2003年,美國SETi公司開發(fā)出波長為280 nm的A1GaN基深紫外LED。2014年10月24日,諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者之一天野浩在記者見面會(huì)上介紹了自己正在
美國公司Soraa計(jì)劃在紐約錫拉丘茲開設(shè)一家半導(dǎo)體制造工廠。該公司將與紐約州達(dá)成合作,共同新建一家先進(jìn)的氮化鎵基板(GaN on GaN)LED制造工廠。據(jù)悉,新工廠將雇用數(shù)百名工人。 在與紐約州立大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院的
隨著LED技術(shù)不斷發(fā)展,其發(fā)光波長已經(jīng)由可見光波段拓展到深紫外波段,其技術(shù)逐漸成熟和成本下降將使得紫外LED應(yīng)用更加廣泛,甚至可能超越目前的藍(lán)光LED。從深紫外LED的發(fā)光
2015中國LED供應(yīng)鏈大會(huì)在馬鞍山召開。本次大會(huì)以“推動(dòng)聯(lián)合、促進(jìn)創(chuàng)新”為主題,來自行業(yè)主管部門領(lǐng)導(dǎo)、協(xié)學(xué)會(huì)專家、企業(yè)高層的百余人圍繞一系列產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)問題進(jìn)行
根據(jù)IDC最新研究結(jié)果顯示,截至2020年,全球?qū)⒂?95億個(gè)裝置被連結(jié),進(jìn)而創(chuàng)造高達(dá)1.7兆美金的物聯(lián)網(wǎng)市場規(guī)模。其中,透過串接人、流程、事(裝置)與資料就能創(chuàng)造6,780億美金的市場商機(jī)。 IDC亞太區(qū)行動(dòng)化與物聯(lián)網(wǎng)研究
功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對(duì)于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。 RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù),由于其相對(duì)于硅材料所具有的優(yōu)勢,這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中,我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制,并討論波形監(jiān)視的必要性。
移動(dòng)設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo,Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出一系列創(chuàng)新產(chǎn)品,旨在加速高速有線電視 (CATV) DOCSIS 3.