0 引言半導(dǎo)體功率器件按材料劃分大體經(jīng)歷了三個(gè)階段。第一代半導(dǎo)體功率器件以Si雙極型功率晶體管為主要代表,主要應(yīng)用在S波段及以下波段中。Si雙極型功率晶體管在L波段脈沖
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、G
目前,功率轉(zhuǎn)換器市場快速演進(jìn),將來也會快速發(fā)展,從簡單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn),比如,生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。
第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)和金剛石等
任何電源管理系統(tǒng)的核心是開關(guān),可以打開和關(guān)閉電源。它就像墻上的照明開關(guān)一樣,但是速度會數(shù)百萬倍地快,尺寸會數(shù)百萬倍地小。效率(低損耗)、可靠性、集成度和可負(fù)擔(dān)性是半導(dǎo)體電源開關(guān)的關(guān)鍵屬性。
此次合作將充分發(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級性能與羅姆的GaN功率器件技術(shù)優(yōu)勢及豐富的電子元器件設(shè)計(jì)/制造綜合實(shí)力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術(shù)和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術(shù),聯(lián)合開發(fā)最適合GaN器件的產(chǎn)品。這將能夠最大限度地挖掘并發(fā)揮GaN器件的潛力。另外,雙方通過提供兼容產(chǎn)品,將能夠?yàn)殡p方的客戶穩(wěn)定地供應(yīng)GaN器件。
固態(tài)射頻能量應(yīng)用正在逐漸興起,可預(yù)見這將成為功率晶體管的又一巨大市場。很多LDMOS晶體管廠商譬如NXP、英飛凌等等都已經(jīng)開始發(fā)力。而MACOM一直以硅基GaN見長, GaN的性能優(yōu)勢也使得其能在固態(tài)射頻能量應(yīng)用上獲得更
專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 (IMS) 評估平臺。
材料、信息、能源構(gòu)筑的當(dāng)代文明社會,缺一不可。半導(dǎo)體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵,而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下,可謂是“最有料”的材料。在不久的將來,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用,無論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場,都是世界各國爭奪的戰(zhàn)略陣地。
未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機(jī)市場,還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場機(jī)遇。
2022年,GaN RF器件的市場營收預(yù)計(jì)將達(dá)到11億美元,約占整個(gè)RF 功率市場的45%...
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,該晶體管系列可以提高性能、增強(qiáng)功能,并加快任務(wù)關(guān)鍵型戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺的開發(fā)速度。這些晶體管針對寬帶應(yīng)用進(jìn)行過輸入匹配處理,并且尺寸小巧,可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小的新一代通信設(shè)備。
電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn),從那時(shí)起,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級別。
北京2017年6月6日電 /美通社/ -- Analog Devices, Inc. (ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,近日推出一款寬帶氮化鎵(GaN)功率放大器HMC8205,其設(shè)計(jì)緊湊,在同類產(chǎn)品中性能最佳。
繼第一代元素半導(dǎo)體材料(si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料后,第三代禁帶寬度半導(dǎo)體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經(jīng)在獲得了眾多半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速
這是一個(gè)數(shù)據(jù)的時(shí)代,每個(gè)人都身處在龐大的數(shù)據(jù)中,并且隨著物聯(lián)網(wǎng)和5G等技術(shù)的逐步實(shí)現(xiàn),數(shù)據(jù)的吞吐量正在極速增長中。據(jù)Cisco預(yù)測,2016年數(shù)據(jù)中心的流量已達(dá)5.8ZB;據(jù)愛立信報(bào)告指明,到2022年全球超過90%數(shù)據(jù)流量
今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。
實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.日前宣布,推出兩款全新的功率放大器(PA),包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款500W L頻段PA和一款450W S頻段PA。
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),專門設(shè)計(jì)用于優(yōu)
氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì),近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率,從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾?,CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半,同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因,并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被構(gòu)造