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SOI與FinFET技術(shù)誰更優(yōu)
法國Soitec已實(shí)現(xiàn)FD-SOI晶園的高良率成熟量產(chǎn)，其300mm晶圓廠能夠支持28nm、22nm及更為先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上大規(guī)模采用FD-SOI技術(shù)。如今，全球有三家位于三大洲的公司能夠供應(yīng)FD-SOI晶圓，包括法國Soitec、日本信越半導(dǎo)體(SHE)、美國SunEdison。這三家公司均采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的SOI晶園制造技術(shù)，智能剝離(Smart Cut™)。
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Mentor Graphics 擴(kuò)展其產(chǎn)品系列，支持 TSMC 7nm 和 16FFC FinFET 工藝技術(shù)
Mentor Graphics 宣布 AFS 平臺、AFS Mega 和多個 Calibre® 產(chǎn)品已獲得 TSMC 16FFC FinFET V1.0 以及 TSMC 7nm FinFET 最新的 DRM 和 SPICE 版本的工藝技術(shù)和參考流程的認(rèn)證。此外，Mentor Graphics 還對 Calibre 產(chǎn)品進(jìn)行了優(yōu)化和擴(kuò)展，從而可支持成熟制程上的全新的設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
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FinFET 技術(shù)中的電路設(shè)計(jì)：演進(jìn)還是革命?
所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術(shù)為其最先進(jìn)的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點(diǎn)上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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7nm將成臺積電力壓英特爾主戰(zhàn)場
安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議，針對7奈米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方案。 這項(xiàng)協(xié)議延續(xù)先前采用
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ARM首款基于臺積電10納米FinFET技術(shù)芯片問世
ARM宣布首款采用臺積電(TSMC) 10奈米FinFET制程技術(shù)的多核心64位元ARMRv8-A處理器測試晶片問世......
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應(yīng)對FinFET挑戰(zhàn) 新思科技Customs Compiler簡化定制設(shè)計(jì)
隨著英特爾、三星和臺積電全面量產(chǎn)14/16納米工藝，且積極朝10納米、7納米邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已正式跨入FinFET時代。不過，F(xiàn)inFET工藝節(jié)點(diǎn)無論在設(shè)計(jì)上，還是制造端，都對工程師提出更多挑戰(zhàn)，特別是模擬與數(shù)字的混合電
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Synopsys的Custom Compiler通過TSMC 10-nm和7-nmFinFET工藝節(jié)點(diǎn)認(rèn)證
亮點(diǎn)：· Custom Compiler通過了TSMC的10nm和7nm FinFET工藝技術(shù)認(rèn)證· Custom Compiler支持軌跡模式和全著色流程等新FinFET要求· Custom Compiler支持行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的iPDK，可以基于大量TSMC工藝技術(shù)
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Custom Compiler開拓視覺輔助自動化新紀(jì)元
亮點(diǎn)：· Template Assistants幫助設(shè)計(jì)人員復(fù)用現(xiàn)有定制版圖知識累積· In-Design Assistants內(nèi)建設(shè)計(jì)規(guī)則檢查與寄生參數(shù)提取引擎，減少迭代次數(shù)· Layout Assistants采用用戶指導(dǎo)的版圖與繞線，提
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TSMC認(rèn)證Synopsys IC Compiler II適合10-nm FinFET生產(chǎn)，并開始7-nm工藝的初步設(shè)計(jì)
新思科技(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS)日前宣布：TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler™ II布局及布線解決方案，完成了在其最先進(jìn)的10-納米(nm)級FinFET v1.0技術(shù)節(jié)點(diǎn)上運(yùn)行Synopsys數(shù)字、驗(yàn)收及自定
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Mentor Graphics 增強(qiáng)對TSMC 7納米工藝初期設(shè)計(jì)開發(fā)和10納米工藝量產(chǎn)的支援
Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼：MENT)今天宣布，借由完成 TSMC 10 納米FinFET V1.0 認(rèn)證，進(jìn)一步增強(qiáng)和優(yōu)化Calibre®平臺和Analog FastSPICE™ (AFS)平臺。除此之外，Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺已
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Intel 的14nm OUT了，ARM拉上臺積電直奔7nm
ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術(shù)的長期戰(zhàn)略合作協(xié)議，涵蓋了未來低功耗，高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)
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Xilinx發(fā)貨業(yè)界首批高端FinFET FPGA：16nm Virtex UltraScale+器件
21ic訊 賽靈思公司今天宣布其 Virtex® UltraScale+™ FPGA面向首批客戶開始發(fā)貨，這是業(yè)界首款采用臺積公司(TSMC)16FF+工藝制造的高端FinFET FPGA。賽靈思在Ultra
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三星首款14nm FinFET單芯片SoC——Exynos 8890來襲
三星在大約兩周前披露了其下一代Exynos 8 Octa SoC，而現(xiàn)在，該公司又宣布了Exynos 8890將會是該家族首款成員的消息。
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臺積電16nm工藝再出新版本
最近，臺積電悄然推出了其16nm工藝的第三個版本：16nm FinFET Compact(16FFC)。2014年底，臺積電宣布了16nm FinFET(16FF)工藝，第一個客戶就是華為海思。2015年上半年又新增了16nm FinFET Plus(16FF+)，主要面向高性
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臺積電16nm A9處理器為何會勝過三星14nm呢?
最近在亞洲果迷們最沸沸揚(yáng)揚(yáng)的議題，非“iPhone6s臺積電與三星A9處理器的效能與續(xù)航力效能差異莫屬。網(wǎng)友針對臺積電與三星代工的A9處理器做測試，在效能的跑分或是手機(jī)的續(xù)航力表現(xiàn)，16納米的臺積電A9處理器明顯贏過14納米的Samsung A9處理器(測試狀況詳見這里 )，雖然蘋果官方已表示不同代工廠出貨的A9芯片都符合Apple標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)官方測試實(shí)際電池續(xù)航力，兩者差異僅在2-3%之間，不過似乎無法平息亞洲地區(qū)果迷們的疑慮，香港果粉甚至已醞釀?chuàng)Q機(jī)或退機(jī)風(fēng)潮。
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\"我伙呆\"—— A9處理器竟有14nm/16nm兩個版本
為了深度剖析新 iPhone 的內(nèi)部配置，在iPhone 6s系列上市后的數(shù)天內(nèi)它們就已經(jīng)被拆解完畢了，內(nèi)部的一些硬件細(xì)節(jié)也被公諸于世，除了電池、內(nèi)存等已經(jīng)確認(rèn)外，現(xiàn)在還發(fā)現(xiàn) A9 處理器竟然有兩個不同的版本。
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Mentor Graphics獲得TSMC 10nm FinFET工藝技術(shù)認(rèn)證
近日， Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼：MENT)今天宣布，Calibre® nmPlatform已通過TSMC 10nm FinFET V0.9 工藝認(rèn)證。此外，Mentor® Analog FastSPICE™ 電路驗(yàn)證平臺已完成了電路級和器件級認(rèn)證，O
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關(guān)于摩爾定律那些事，7nm是終點(diǎn)站嗎？
摩爾定律是什么?為什么引眾多半導(dǎo)體廠商競相競技、追逐。摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月
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為扭轉(zhuǎn)困局 AMD完全放棄20nm轉(zhuǎn)FinFET工藝
AMD今天度第二季度業(yè)績前景進(jìn)行了展望，不是很樂觀，收入可能會下滑8%至大約9.5億美元，比此前預(yù)計(jì)的下滑3%嚴(yán)重很多，同時非GAAP毛利率僅28%。更有趣的是，AMD在展望中透露了一些工藝方面的變化。本來呢，GF 32nm、
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FinFET對動態(tài)功耗的影響
現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng)紀(jì)錄的速度實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定，因?yàn)榕c平面器件相比，它們可以提供更低的功耗、更高的性能和更小的面積。這使得FinFET對智能手機(jī)、平板電腦及要求長電池壽命和高性能的其他產(chǎn)品來說極具吸引力。
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