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Sony把 DRAM 內(nèi)存夾入 以后手機可拍攝1000幀/秒超慢動作效果
不久前 Sony 才發(fā)布了一款比米粒還小的微型感光元件，近日則進一步發(fā)布拍攝幀率可達 1,000fps 的超高速 CMOS 感光元件，可見近期 Sony 在感光元件的研發(fā)上已不局限于傳統(tǒng)的畫質(zhì)、感光度等需求，而是往更多面向在研發(fā)新的感光元件科技。
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美光計劃出售 NOR Flash 業(yè)務 點名華邦電接手
近年來，企業(yè)加速整合并購，有一些企業(yè)也自我斷臂修整，以讓關(guān)鍵業(yè)務盈利能力更強，由于經(jīng)濟效益不明顯，美光計劃出售Nor Flash業(yè)務，全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據(jù)
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存儲器產(chǎn)業(yè)大熱 如何應對高風險
存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設，同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設當中。
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漲漲漲!DRAM內(nèi)存顆粒價格創(chuàng)18月新高
專業(yè)存儲調(diào)研機構(gòu)集邦科技(DRAMeXchange)的數(shù)據(jù)顯示，DRAM內(nèi)存顆粒的市場現(xiàn)貨價格已經(jīng)達到最近18個月以來的最高值，漲漲漲的趨勢依然在繼續(xù)...
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一篇文章帶你看穿存儲產(chǎn)業(yè)的顛覆者—3D Xpoint
目前英特爾和美光對3D XPoint應用的物理特性閉口不談，資料更是匱乏。一些不具名的介紹資料顯示，3D XPoint使用的標記數(shù)據(jù)狀態(tài)的物理值不是業(yè)內(nèi)常用的電壓、也不是電流...
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瘋狂的存儲器 繼DRAM、NAND之后，NOR也漲瘋了
最近幾年存儲器市場大熱，儲存型快閃存儲、DARM在淡季爆出“大冷門”，飆出歷年最大漲幅后，編碼型快閃存儲也緊隨其后，在蟄伏4年后，首次漲價，首季調(diào)漲5~7%不等，下季漲幅更大，估計會超過10%。
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DRAM市況走出瓶頸期 中國進軍存儲器能否順利
2016年DRAM市場情況可謂是“跌宕起伏”，上半年需求不振，持續(xù)跌價，第三季后，在中國智慧行手機出貨多，筆電出貨回溫的前提下，DRAM的平均銷售單價開始大幅度上揚。
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我國為何把3D NAND作為入局半導體的最佳切入點？
長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟不足導致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一，但不是全部。
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三星移動AP首次進軍汽車領(lǐng)域 向奧迪供應內(nèi)存芯片
據(jù)知名爆料人士的消息，三星已與奧迪簽訂合同，將從2018年開始供應Exynos處理器，這是三星移動AP首次進軍汽車領(lǐng)域。
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2017 年 DRAM 價格將持續(xù)攀高
2016 年 DRAM 產(chǎn)業(yè)市況轉(zhuǎn)折相當大，歷經(jīng)上半年需求不振，持續(xù)跌價的態(tài)勢，至第三季后，才在中國智能手機出貨暢旺、筆電出貨回溫下，DRAM 的平均銷售單價開始大幅上揚。展望未來，TrendForce 旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預估，2017 年整體 DRAM 供給位成長將小于 20%，為歷年來最低，在需求面沒有明顯轉(zhuǎn)弱的前提下，預估全年度 DRAM 供給成長將小于需求成長，可望帶動 DRAM 價格持續(xù)攀高，維持供應商全面獲利的狀態(tài)。
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VLT技術(shù)顛覆傳統(tǒng)DRAM結(jié)構(gòu)
DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會導致數(shù)據(jù)出錯，因此電容必須被周期性的刷新，這也是DRAM的一大特點。而且電容的充放電需要一個過
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在201
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DRAM頹勢，美光收購華亞科恐生變數(shù)
最近幾年半導體行業(yè)可謂是風云變幻，并購案一波未平一波又起。美光本來應該在2016年7月底完成對華亞科的收購，但卻宣布無法在預定時間內(nèi)完成收購，一時讓市場紛紛猜測美光收購華亞科項目恐生變數(shù)。
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DRAM三大廠Q2營收頗微，Q3同步調(diào)整轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存
伴隨第三季強勁的旺季備貨需求到來，DRAMeXchange預估第三季全球DRAM總營收將出現(xiàn)較顯著的增長。第二季筆記本電腦及服務器相關(guān)產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動式內(nèi)存轉(zhuǎn)進。
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美光處境不妙，被英特爾并購是互利互惠還是雪上加霜？
目前全球DRAM市場主要由三星、SK海力士和美光所壟斷，三家企業(yè)占有超過九成的市場份額，不過份額正在往三星和SK海力士兩家韓國企業(yè)集中，而美光的市場份額出現(xiàn)下降勢頭。不禁讓業(yè)界為其擔憂。
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展望下半年，DRAM將完勝上半年
展望營運后市，南亞科指出，受惠旺季效應，記憶體需求將增溫，價格走穩(wěn)，三大廠減少標準型DRAM產(chǎn)品轉(zhuǎn)向生產(chǎn)儲存型快閃記憶體，整體DRAM供給減少，相較上半年，下半年DRAM市況穩(wěn)定并好轉(zhuǎn)。
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DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總
問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM?答：名詞解釋如下DRAM--------動態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復用的，許多都有頁模式SRAM--------靜態(tài)的隨
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英脫歐與DRAM需求疲軟 半導體市場成長率將下滑
長久以來，半導體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟成長息息相關(guān)，很少有強大的半導體市場，沒有好的世界經(jīng)濟在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報告中，市調(diào)機構(gòu)ICInsights預測，今年全球GDP成長率僅2.3%，低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%...
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數(shù)據(jù)中心服務器，高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
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又一壯舉：三星成為全球首家量產(chǎn)10nm級內(nèi)存的公司
三星電子近日宣布，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實現(xiàn)了10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，也是繼2014年首個量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。
