DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續(xù)供貨短缺，創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內存，更寫下史上最長漲勢。

內存業(yè)界表示，2008及2015年都出現(xiàn)過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發(fā)生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產能會排擠，很少看到兩大內存同漲。

這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價格上漲，主要來自數據中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，DRAM與NAND同時大漲，漲這么久，已寫下史上最長紀錄。

除DRAM、NAND Flash外，NOR Flash也因美國二大供貨商淡出，加上OLED面板必須導入作為儲存保持OLED面板顏色飽和度參數，以及物聯(lián)網及車用半導體等新應用大增，市場供應到明年都處于缺貨。

近期全球DRAM龍頭韓國三星電子通知相關電子委托制造廠，計劃調漲第4季移動內存合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，加上地緣政治緊張的預期心理，漲勢可望延續(xù)至今年第4季。

不少分析師預期DRAM價格將在本季創(chuàng)高峰，但受到美光桃園N2廠氮氣廠純化設備毀壞影響，DRAM缺貨不僅短期難解，價格漲勢也超乎預期。

稍早集邦調查，7月DRAM合約價單月漲幅達4.6%，雖然美光桃園N2廠已陸續(xù)恢復生產，美光也計劃在未來幾個月增產，彌補這段時間生產線影響的缺口。 但據調查，美光桃園N2廠這次受損及報廢的12寸DRAM晶圓估計達5萬片，且多數以供貨給蘋果手機和相關服務器用的低功耗移動DRAM，給全球最大移動內存供貨商三星填補缺口的機會，并決定在第4季各大手機和移動設備備貨旺季，調漲移動內存售價。