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李志村：臺(tái)勝科全年滿載，產(chǎn)品漲價(jià)，逐季成長(zhǎng)
臺(tái)塑集團(tuán)旗下的半導(dǎo)體硅晶圓廠商臺(tái)勝科(3532)于28日召開股東常會(huì)，董事長(zhǎng)李志村表示，臺(tái)勝科今年以來不論在八吋廠或十二吋廠都是滿載生產(chǎn)，但目前還不夠的是「價(jià)格還需要再上漲」，李志村表示，臺(tái)勝科自今年1月起就恢
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蔡力行：臺(tái)日連手 搶進(jìn)大陸
因應(yīng)大陸由世界工廠轉(zhuǎn)為全球市場(chǎng)，臺(tái)灣半導(dǎo)體協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)暨臺(tái)積電新事業(yè)總經(jīng)理蔡力行昨（25）日表示，臺(tái)灣居于有利地位，尤其臺(tái)灣半導(dǎo)體有很強(qiáng)的垂直整合供應(yīng)鏈，日本則具備先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢(shì)，臺(tái)日連手有助搶進(jìn)大陸市場(chǎng)
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借世界杯3D概念熱潮 3D芯片聯(lián)盟誕生
又一個(gè)3D(三維)芯片聯(lián)盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一項(xiàng)3D多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù)，以Tezzaron公司的3D芯片技術(shù)和GlobalFoundries公司的130納米CMOS代工工藝為基礎(chǔ)。多年以來，Tezzaron一直在致力于研發(fā)
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今年晶圓設(shè)備銷售成長(zhǎng)率上看113%
隨著IC需求持續(xù)成長(zhǎng)，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner再度上調(diào)2010年全球晶圓制造廠資本支出預(yù)測(cè)值。由于各大晶圓廠快速擴(kuò)張45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉(zhuǎn)型至3x節(jié)點(diǎn)(3xnode)制程，該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2010年晶圓制造設(shè)備銷
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Gartner：今年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)急速膨脹
進(jìn)入2010年后，全球半導(dǎo)體接連擴(kuò)大設(shè)備投資，將使半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)急速膨脹。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測(cè)統(tǒng)計(jì)，因全球半導(dǎo)體企業(yè)自2009年底開始為因應(yīng)逐漸轉(zhuǎn)好的市場(chǎng)情況，紛紛進(jìn)行大規(guī)模投資，2010年如光學(xué)設(shè)備等半導(dǎo)體制造
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爾必達(dá)將與聯(lián)華電子將研發(fā)新技術(shù)
「日本經(jīng)濟(jì)新聞」報(bào)導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá)公司將與臺(tái)灣的聯(lián)華電子及力成科技共同研發(fā)最尖端的「銅硅穿孔（TSV）」加工技術(shù)。報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體的微細(xì)化技術(shù)已快達(dá)到極限，將來的研發(fā)焦點(diǎn)聚焦在芯片的垂直堆棧技術(shù)。
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新創(chuàng)公司企圖以STT-RAM取代今日主流內(nèi)存
今日主流內(nèi)存技術(shù)的末日即將來臨？一家專精自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取內(nèi)存(spin transfer torque random access memory， STT-RAM)的美國(guó)硅谷新創(chuàng)公司 Grandis 日前發(fā)表了更新的產(chǎn)品藍(lán)圖，并宣示以這種新一代 MARM 取代 D
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聯(lián)電私募 傳爾必達(dá)策略結(jié)盟
聯(lián)電昨日與爾必達(dá)、力成簽訂直通硅晶穿孔（TSV）技術(shù)合作開發(fā)合約，市場(chǎng)則再度傳出，爾必達(dá)將是聯(lián)電私募案引進(jìn)策略合作伙伴的口袋名單之一，且雙方未來不排除朝向交叉持股的合作方向進(jìn)行。唯聯(lián)電及爾必達(dá)對(duì)此一市場(chǎng)消
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聯(lián)電爾必達(dá)力成 合攻3D IC
聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）及力成（6239）昨（21）日宣布，三方將結(jié)合在三維（3D）IC的設(shè)計(jì)、制造與封裝等優(yōu)勢(shì)，投入開發(fā)整合邏輯芯片及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的3D IC完整解決方案，并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生
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聯(lián)電與力成及爾必達(dá)28奈米TSV技術(shù)合作 最快2012年量產(chǎn)
晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(dá)(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對(duì)包括28奈米先進(jìn)制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進(jìn)行合作。 聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，有鑒于摩爾定律的成長(zhǎng)已經(jīng)趨緩
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簽訂3D IC技術(shù)合約 蔡篤恭：技術(shù)到位后自然有市場(chǎng)需求
力成董事長(zhǎng)蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段，市場(chǎng)需求自然會(huì)浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(dá)(6665-JP)，臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測(cè)大廠力成(6239-TW)今(21
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力晶首季銷售激增逾8成躍居全球第5大DRAM供應(yīng)商
研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，力晶2010年首季銷售季成長(zhǎng)81%，已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠。全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營(yíng)收比前1季成長(zhǎng)8.8%，根據(jù)iSuppli的資料，前5大DRAM廠約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的91%，前2大廠三星電子(SamsungEl
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海力士：無錫封測(cè)廠可月產(chǎn)1億顆1GB DRAM
全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布，該公司已與大陸廠商無錫太極實(shí)業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無錫市建成第二座內(nèi)存廠房，名稱為「高科技半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司(HitechSemiconductorPackage
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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片
聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對(duì)銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對(duì)3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作
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海力士中國(guó)大陸第2座存儲(chǔ)器封測(cè)工廠落成
韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix Semiconductor)在中國(guó)大陸的第2座存儲(chǔ)器封測(cè)工廠已落成。這座廠房名為Hitech半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司，位于江蘇無錫，是與無錫太極實(shí)業(yè)合資的企業(yè)，由海力士持有45%股權(quán)，太極實(shí)業(yè)擁有剩
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南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入全面反制三星大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫
繼三星電子(SamsungElectronics)宣布大手筆資本支出，臺(tái)系DRAM廠亦不甘示弱，臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入42及45納米制程，較原訂計(jì)畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示，
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南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入 全面反制三星大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫
繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出，臺(tái)系DRAM廠亦不甘示弱，臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入 42及45納米制程，較原訂計(jì)畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示
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2010年即將過半，分析師電子產(chǎn)業(yè)的十大看點(diǎn)
到目前為止，各種跡象都顯示今年電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景樂觀，而且成長(zhǎng)幅度會(huì)很大；但總是還有一些令人憂慮的地方……以下是EETimes美國(guó)版資深編輯MarkLaPedus對(duì)2010年“一則以喜、一則以憂”的十個(gè)看點(diǎn)。1.IC市場(chǎng)火熱……
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世界先進(jìn)產(chǎn)品線
世界先進(jìn)首季營(yíng)收比重中，邏輯產(chǎn)品占營(yíng)收比重89%，DRAM11%。在邏輯產(chǎn)品線中，由于電視、PC及手機(jī)等帶動(dòng)需求，大尺寸驅(qū)動(dòng)IC營(yíng)收季增49%，占邏輯產(chǎn)品50%，小尺寸占邏輯產(chǎn)品線比重16%，營(yíng)收也比上季增加47%。此外，電源
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移動(dòng)DDR2 DRAM將把DRAM擴(kuò)展到手機(jī)以外領(lǐng)域
據(jù)iSuppli公司，雙倍數(shù)據(jù)率(DDR2)DRAM將迅速占領(lǐng)手機(jī)市場(chǎng)，這種新一代DRAM預(yù)計(jì)將取代傳統(tǒng)DDR，在2011年以前成為主流移動(dòng)DRAM技術(shù)。在2010年總體移動(dòng)DRAM出貨量中，預(yù)計(jì)約有80%是DDR。但是，隨著DDR2在2011年下半年成
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