[導讀]隨著IC需求持續(xù)成長，市場研究機構Gartner再度上調2010年全球晶圓制造廠資本支出預測值。由于各大晶圓廠快速擴張45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉型至3x節(jié)點(3xnode)制程，該機構預測，2010年晶圓制造設備銷
隨著IC需求持續(xù)成長，市場研究機構Gartner再度上調2010年全球晶圓制造廠資本支出預測值。由于各大晶圓廠快速擴張45/40奈米制程，NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉型至3x節(jié)點(3xnode)制程，該機構預測，2010年晶圓制造設備銷售將大增113.3%，而2011年成長率上看7.2%。
Gartner副總裁KlausRinnen認為，2010年新世代制程的轉換將成推動半導體設備成長的動力之一。隨著45/40奈米制程設備需求快速擴張，相關資本支出亦大為成長。英特爾(Intel)的3x奈米制程投資、NANDFlash制造商加碼投資，及DDR3DRAM內存世代交替均為推動晶圓制造設備投資成長的部分因素。
據(jù)估計，2010年封裝設備投資成長率上看104.7%，2011年名目成長率約0.7%，較2009年的衰退32%大為好轉。Rinnen認為，隨著2010年進入尾聲，加上全球經(jīng)濟局勢改變，晶圓訂單漲幅將趨緩。盡管2011年晶圓制造設備將持續(xù)成長，但隨著半導體市場成長幅度趨緩，其投資支出漲幅亦將顯著下滑。
該機構預測，其中又以晶圓封裝、3D制程、TSV(ThroughSiliconVias；TSV)等先進制程需求漲幅最為顯著，而其檢測及品管工具需求成長幅度亦將超越市場平均。
!曾于2009年第1季跌至谷底的自動化測試設備(AutomatedTestEquipmen=FATE)市場2010年成長率上看133%。2010年第1季ATE市場快速成長，其漲勢可望持續(xù)至第3季，成為自2006年以來ATE年成長率首次由負轉正。2009年ATE市場跌至谷底，其內存測試市場規(guī)模曾一度跌破2億美元的水平。
Rinnen預估，隨著經(jīng)濟衰退告終，2010年半導體設備產(chǎn)業(yè)將展現(xiàn)強勁成長動能。但該成長動力可能于2011年消退，使使長久以來的景氣循環(huán)盛衰反差不大。
若半導體產(chǎn)能持續(xù)過度擴張，則2013年可能出現(xiàn)更嚴重的大規(guī)模景氣低潮。屆時，隨著市場景氣疲弱、平均產(chǎn)品價格(ASP)下滑，內存制造業(yè)者如何因應將決定市場能否避免落入大規(guī)模衰退的命運。
Gartner副總裁KlausRinnen認為，2010年新世代制程的轉換將成推動半導體設備成長的動力之一。隨著45/40奈米制程設備需求快速擴張，相關資本支出亦大為成長。英特爾(Intel)的3x奈米制程投資、NANDFlash制造商加碼投資，及DDR3DRAM內存世代交替均為推動晶圓制造設備投資成長的部分因素。
據(jù)估計，2010年封裝設備投資成長率上看104.7%，2011年名目成長率約0.7%，較2009年的衰退32%大為好轉。Rinnen認為，隨著2010年進入尾聲，加上全球經(jīng)濟局勢改變，晶圓訂單漲幅將趨緩。盡管2011年晶圓制造設備將持續(xù)成長，但隨著半導體市場成長幅度趨緩，其投資支出漲幅亦將顯著下滑。
該機構預測，其中又以晶圓封裝、3D制程、TSV(ThroughSiliconVias；TSV)等先進制程需求漲幅最為顯著，而其檢測及品管工具需求成長幅度亦將超越市場平均。
!曾于2009年第1季跌至谷底的自動化測試設備(AutomatedTestEquipmen=FATE)市場2010年成長率上看133%。2010年第1季ATE市場快速成長，其漲勢可望持續(xù)至第3季，成為自2006年以來ATE年成長率首次由負轉正。2009年ATE市場跌至谷底，其內存測試市場規(guī)模曾一度跌破2億美元的水平。
Rinnen預估，隨著經(jīng)濟衰退告終，2010年半導體設備產(chǎn)業(yè)將展現(xiàn)強勁成長動能。但該成長動力可能于2011年消退，使使長久以來的景氣循環(huán)盛衰反差不大。
若半導體產(chǎn)能持續(xù)過度擴張，則2013年可能出現(xiàn)更嚴重的大規(guī)模景氣低潮。屆時，隨著市場景氣疲弱、平均產(chǎn)品價格(ASP)下滑，內存制造業(yè)者如何因應將決定市場能否避免落入大規(guī)模衰退的命運。
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