CMOS
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高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計
0 引言 電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對低壓差線性穩(wěn)壓器進行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個基
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Luxtera SC09展示40G低功耗主動光纜產(chǎn)品
11/16/2009，CMOS光子器件開發(fā)商Luxtera公司在波特蘭舉辦的3C09超級計算大會上宣布推出一款低功耗40Gbps主動光纜產(chǎn)品Blazar。Luxtera宣稱這一產(chǎn)品是業(yè)界最低功耗的主動光纜產(chǎn)品，其功耗比競爭對手產(chǎn)品低30%以上。Bla
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采用0.18µm CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路
采用0.18µm CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路
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ST發(fā)布500萬像素CMOS影像傳感器開發(fā)藍圖
意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布在照相手機中的標(biāo)準(zhǔn)四分之一英寸光學(xué)格式500萬像素CMOS影像傳感器開發(fā)藍圖的細(xì)節(jié)。意法半導(dǎo)體最新的先進傳感器提供多種功能，是500萬像素級別中功能最豐富的傳感器。 意法半導(dǎo)體的新傳感器產(chǎn)品為
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中芯國際將45納米工藝延伸至40納米及55納米
中芯國際(NYSE：SMI)日前宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。這些新工藝技術(shù)進一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場在內(nèi)。其
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0.18 µm CMOS制造工藝（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力，推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的0.18微米(µm) CMOS工藝技術(shù)。這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用
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基于ARM的便攜式系統(tǒng)的功耗管理
arm微處理器因其高性能和低功耗的特性，特別適合于便攜式系統(tǒng)的應(yīng)用。而系統(tǒng)級的問題對于有效的功耗管理也是非常重要的。本文主要對硬件及系統(tǒng)的功耗管理作一些介紹。 功耗管理電路能盡可能地降低便攜式系統(tǒng)的
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基于ARM的便攜式系統(tǒng)的功耗管理
基于ARM的便攜式系統(tǒng)的功耗管理
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采用0.18µm CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路
本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)模混合的方法進行設(shè)計，第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
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CMOS升壓型DC/DC控制器（SII）
S-8365/8366系列是精工電子有限公司(SII)開發(fā)的一種由基準(zhǔn)電壓電路、振蕩電路、誤差放大電路、相位補償電路、時鐘閂鎖式短路保護電路、PWM控制電路(S-8365系列)、PWM / PFM切換控制電路(S-8366系列)等構(gòu)成的CMOS升壓
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新興公司推出首款用于3G的CMOS功率放大器
無晶圓廠半導(dǎo)體公司Black Sand Technologies（德克薩斯/奧斯?。┬纪瞥鋈虻谝豢钣糜?G通信的CMOS射頻功率放大器。 該公司表示，通過采用專利的PA架構(gòu)，改進了器件的性能、成本、電池壽命和可靠性。Black Sand所推
