CMOS
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微功耗LTC221有數(shù)據(jù)鎖存的四CMOS模擬開(kāi)關(guān)
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兩種CMOS系統(tǒng)直流電機(jī)控制開(kāi)關(guān)電路
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精密CMOS單模擬開(kāi)關(guān)電源電路圖
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三星擬再新增CMOS8寸廠
三星電子(SamsungElectronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴(kuò)充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動(dòng)擴(kuò)充產(chǎn)能機(jī)制，預(yù)計(jì)將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。據(jù)了解，三星原本已在韓國(guó)共有2座8寸廠、1座12寸廠
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再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠
三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴(kuò)充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動(dòng)擴(kuò)充產(chǎn)能機(jī)制，預(yù)計(jì)將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。據(jù)了解，三星原本已在韓國(guó)共有2座8寸廠、1座12寸
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Siemon采用Luxtera技術(shù)推出主動(dòng)光纜產(chǎn)品
2/1/2010，硅CMOS光子技術(shù)開(kāi)發(fā)商Luxtera宣布同布線系統(tǒng)廠商Siemon合作，利用Luxtera的40Gbps光模塊產(chǎn)品，Siemon將會(huì)推出Moray主動(dòng)光纜產(chǎn)品。Siemon表示他們選擇Luxtera的光模塊是看中了其硅CMOS光子技術(shù)和高性能，低
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三星擬再新增CMOS 8寸廠
三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴(kuò)充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動(dòng)擴(kuò)充產(chǎn)能機(jī)制，預(yù)計(jì)將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。據(jù)了解，三星原本已在韓國(guó)共有2座8寸廠、1座12寸
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超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)
隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA 等移動(dòng)設(shè)備的普及,對(duì)應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開(kāi)發(fā)越來(lái)越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、低噪聲、
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Vishay 推出循環(huán)壽命長(zhǎng)達(dá)兩百萬(wàn)次的面板電位計(jì)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經(jīng)濟(jì)、長(zhǎng)壽命的面板電位計(jì) --- P11L，該電位計(jì)具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。標(biāo)準(zhǔn)的低成本面板電位計(jì)的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長(zhǎng)達(dá)2百萬(wàn)次
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巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路
焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對(duì)比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對(duì)比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對(duì)比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對(duì)比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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CMOS系統(tǒng)電源接口－直流開(kāi)關(guān)電路
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CMOS系統(tǒng)電源接口－交流開(kāi)關(guān)電路圖
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安捷倫GoldenGate 4.4加速先進(jìn)CMOS RFIC設(shè)計(jì)
安捷倫科技(Agilent Technologies)宣布推出旗下RFIC仿真、驗(yàn)證與分析軟件的最新版本──GoldenGate 4.4。該軟件具備強(qiáng)化的效能、更高穩(wěn)定度與良率分析，以及RF-混合訊號(hào)仿真效能，可為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)RFIC設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高效能
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碩達(dá)今90元興柜掛牌
楊青山認(rèn)為，碩達(dá)已建構(gòu)優(yōu)異的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售體系，正朝全球最大的記憶卡代工、SIP系統(tǒng)級(jí)封裝模塊廠目標(biāo)邁進(jìn)。圖文/張秉鳳 小型記憶卡封測(cè)、模塊廠－碩達(dá)科技今（31）日以90元登錄興柜掛牌交易，興柜市場(chǎng)半導(dǎo)體
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東大等驗(yàn)證7μm的極薄晶圓也不會(huì)影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開(kāi)發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
IBM研究人員開(kāi)發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。在IEDM會(huì)議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長(zhǎng)，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場(chǎng)效應(yīng)管，IBM的工程
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第二期：傳感器賦予設(shè)備感知萬(wàn)物之力
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