CMOS
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CMOS-IC電路
CMOS-IC電路金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CM
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一種應(yīng)用于D類音頻放大器的CMOS振蕩器的設(shè)計(jì)
摘要：文中介紹了一種應(yīng)用于低D類音頻功放的CMOS振蕩器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，用于對(duì)音頻信號(hào)的調(diào)制。振蕩器采用內(nèi)部正反饋的遲滯比較器設(shè)計(jì)，大大降低了電源電壓和環(huán)境溫度時(shí)CMOS振蕩器振蕩頻率的影響。理論分析及仿真結(jié)果表明，
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簡(jiǎn)單的三相無刷步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
簡(jiǎn)單的三相無刷步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
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了解高速ADC的數(shù)字輸出選擇
要點(diǎn)1.高端儀表促進(jìn)了更快的ADC速度和更多的通道數(shù)與密度，設(shè)計(jì)者必須評(píng)估轉(zhuǎn)換器的輸出格式，以及基本的轉(zhuǎn)換性能。2.主要的輸出選項(xiàng)是CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)、LVDS(低
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TTL電平,CMOS電平,232/485電平，OC門,OD門基礎(chǔ)知識(shí)
1.RS232電平或者說串口電平，有的甚至說計(jì)算機(jī)電平，所有的這些說法，指得都是計(jì)算機(jī)9針串口 (RS232)的電平，采用負(fù)邏輯，-15v ~ -3v 代表1+3v ~ +15v 代表02.RS485電平 和 RS422電平由于兩者均采用差分傳輸(平衡傳輸
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TTL與COMS電平,特性,比較及注意事項(xiàng)
1.CMOS電平：'1'邏輯電平電壓接近于電源電壓，'0'邏輯電平接近于0V。噪聲容限很大2.TTL電平：輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高
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TLC5615的特點(diǎn)是什么？
試說明TLC5615的特點(diǎn)。答:10位CMOS電壓輸出;5 V單電源工作;與微處理器3線串行接口(SPI);最大輸出電壓是基準(zhǔn)電壓的2倍;輸出電壓具有和基準(zhǔn)電壓相同的極性;建立時(shí)間12.5μs;內(nèi)部上電復(fù)位;低功耗，最高為l.75 mW;引腳
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一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片上天線
摘要：采用標(biāo)準(zhǔn)0．18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長(zhǎng)1．6 nm的偶極子天線以及一對(duì)一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對(duì)該EBG結(jié)構(gòu)以及片上
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CMOS和TTL電路簡(jiǎn)單介紹
1，TTL電平：輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。2，CMOS電平：1邏輯電平電壓接近
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富士通半導(dǎo)體推出CMOS轉(zhuǎn)換器解決方案系列之首款28nm ADC產(chǎn)品
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的市場(chǎng)領(lǐng)軍供應(yīng)商富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)在高速ADC上取得最新突破，這將使得在世界范圍內(nèi)大規(guī)模部署單波長(zhǎng)100Gbps的光傳輸系統(tǒng)成為可能。結(jié)合富士通在混合
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意法半導(dǎo)體通過CMP提供130納米H9A模擬CMOS制程
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與CMP(Circuits Multi Projets®)攜手宣布即日起通過CMP向大學(xué)、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)企業(yè)提供意法半導(dǎo)體的H9A CMOS制程(130納米光刻技術(shù)節(jié)點(diǎn))，該樣片試制服務(wù)可提供大量模
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東芝擴(kuò)充CMOS-LDO穩(wěn)壓器集成電路陣容
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)已經(jīng)憑借300mA單輸出"TCR3DF系列"擴(kuò)充了其專為移動(dòng)設(shè)備打造的CMOS-LDO穩(wěn)壓器集成電路的陣容。"TCR3DF系列"具有低壓差、低輸出噪音和高速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)等特性。該系列的樣品將于
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佳能研發(fā)出以35mm CMOS為基礎(chǔ)的超高感度傳感器
盡管各廠現(xiàn)有的全片幅旗艦機(jī)在低光的表現(xiàn)都有著相當(dāng)恐怖的表現(xiàn)，但在錄像時(shí)由于受制于快門速度的限制，所以現(xiàn)有感光組件的低光能力，還是很難表現(xiàn)出幾近黑暗下的拍攝場(chǎng)合 -- 事實(shí)上，若是想要在低光下拍攝凝結(jié)的照片
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Aptina與LFoundry合作規(guī)劃CMOS成像傳感器未來
Aptina日前宣布與LFoundry建立牢固的戰(zhàn)略合作關(guān)系，LFoundry在收購Micron的半導(dǎo)體制造工廠后將繼續(xù)在意大利阿韋扎諾生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設(shè)備代工經(jīng)驗(yàn)與客戶至上的堅(jiān)定理念，以此來鞏固阿韋
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8TCMOS地位性飛躍 網(wǎng)絡(luò)高清助CMOS叫板CCD？
一直以來，關(guān)于CMOS與CCD在視頻成像領(lǐng)域里的爭(zhēng)論從未間斷。有人表示，以CMOS的資歷它根本無法撼動(dòng)CCD的，也有人認(rèn)為，CCD已經(jīng)成長(zhǎng)多年，太多的技術(shù)已經(jīng)形成定式，從而不利于它的更新?？傊?，伴隨著CCD與CMOS在傳感器
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Aptina與LFoundry攜手規(guī)劃CMOS成像未來
21ic訊 Aptina日前宣布與LFoundry建立牢固的戰(zhàn)略合作關(guān)系，LFoundry在收購Micron的半導(dǎo)體制造工廠后將繼續(xù)在意大利阿韋扎諾生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設(shè)備代工經(jīng)驗(yàn)與客戶至上的堅(jiān)定理念，以此來鞏
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EDI CON盛會(huì)3月登陸北京
由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波雜志》主辦的EDI CON(電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議)將于2013年3月12~14日首次登陸北京，在北京國(guó)際會(huì)議中心隆重舉行。EDI CON是為開發(fā)當(dāng)今的通信、計(jì)算、RFID、無線、導(dǎo)航、航空航
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CCD圖像傳感器逐漸被CMOS取代，市場(chǎng)份額被蠶食
CMOS傳感器和CCD圖像傳感器在安防領(lǐng)域具有重要應(yīng)用，并占據(jù)著一定的市場(chǎng)份額。盡管CCD圖像傳感器在安防市場(chǎng)中曾經(jīng)占有重要地位，但隨著市場(chǎng)發(fā)展需要，性能更好、成本更低、集成度更高的CMOS傳感器憑借諸多優(yōu)勢(shì)逐漸在
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PIC硬件死鎖問題
使用 PIC 單片機(jī) 去設(shè)計(jì)工控電路,最頭痛的問題,就是 PIC 單片機(jī)在受干擾后經(jīng)常硬件死鎖,大部份人歸咎于 “CMOS的可控硅效應(yīng)” 因而產(chǎn)生死鎖現(xiàn)象,一般都認(rèn)為 ‘死鎖后硬件復(fù)位都是無效的.只有斷電。&r
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GF推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM1.0
