CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

科學(xué)家研制單電子半加器助力未來(lái)計(jì)算需求

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，研究人員一直在努力降低硅基計(jì)算組件的尺度，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng) 的小規(guī)模、低能耗計(jì)算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過(guò)控制電壓來(lái)處理電子設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項(xiàng)新研究中

智能硬件
2012-11-26

電子電子晶體管邏輯電路 CMOS
科學(xué)家首次研制成功單電子半加器

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月21日?qǐng)?bào)道，研究人員一直在努力降低硅基計(jì)算組件的尺度，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的小規(guī)模、低能耗計(jì)算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過(guò)控制電壓來(lái)處理電子設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項(xiàng)新研

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-11-25

電子電子晶體管邏輯電路 CMOS
愛(ài)德萬(wàn)：接單低潮已在上季落底

全球測(cè)試設(shè)備大廠(chǎng)愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試(Advantest, NYSE: ATE)指出，本財(cái)年Q2(7-9月)測(cè)試設(shè)備的接單量雖遜于出貨量，惟愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試認(rèn)為，接單低潮可望在今年Q2落底，預(yù)期在2013財(cái)年(2013年4月起)，相關(guān)設(shè)備訂單即可望隨客戶(hù)資本

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2012-11-15

元件測(cè)試設(shè)備應(yīng)用處理器 CMOS
RFMD將收購(gòu)CMOS RF芯片公司Amalfi

21ic電子網(wǎng)，北京時(shí)間2012年11月14日訊 -- 據(jù)外電消息，RF Micro Devices公司決定以4.75千萬(wàn)美元現(xiàn)金收購(gòu)入門(mén)級(jí)智能手機(jī)CMOS RF和混合信號(hào)芯片供應(yīng)商——Amalfi半導(dǎo)體公司。Amalfi是一家總部設(shè)在加州的無(wú)晶

消費(fèi)電子
2012-11-14

混合信號(hào) RFMD RF芯片 CMOS
TTL、CMOS電平和OC門(mén)知識(shí)大全

一.TTLTTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(mén)(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。1.輸出高電平Uoh和輸出低電平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.輸入高電平和輸入低電平Uih≥2.0V，Uil

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2012-11-09

電平 TTL COM CMOS
淺談網(wǎng)絡(luò)高清攝像機(jī)優(yōu)勢(shì) CMOS是主流技術(shù)

網(wǎng)絡(luò)高清CCD主要是索尼，CMOS傳感器芯片供應(yīng)商比較多，高端的如索尼、松下，中端的如美光，中低端的如Omnivision(蘋(píng)果手機(jī)用的也是這種)。CCD和CMOS傳感器在網(wǎng)絡(luò)高清上的表現(xiàn)主要由他們不同的處理技術(shù)決定，CCD采用全

消費(fèi)電子
2012-11-08

攝像機(jī) HD-SD CMOS
采用互補(bǔ)晶體管和CMOS驅(qū)動(dòng)級(jí)的推扭電路圖

采用互補(bǔ)晶體管和CMOS驅(qū)動(dòng)級(jí)的推扭電路圖如下：

電源電路
2012-11-06

晶體管電路圖 MOS驅(qū)動(dòng) CMOS
積層式傳感器ISX014首次商用索尼手機(jī)用CMOS亮相

在今年年初，索尼發(fā)布了大量關(guān)于積層傳感器的專(zhuān)利以及消息，在這一期的CX-PAL，索尼正式公布了第一款可以量產(chǎn)上市的積層式傳感器ISX014，我們可以看到索尼這一次連代號(hào)都修改了(過(guò)去的CCD為ICX，CMOS為IMX)，顯然這是

工業(yè)控制
2012-11-06

索尼傳感器 CMOS
高線(xiàn)性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

引言本文采用±5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線(xiàn)性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的

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2012-10-26

電路技術(shù) 線(xiàn)性調(diào)幅電路 CMOS
京元電前三季EPS0.96元

京元電單季營(yíng)收35.53億元，季增13.6%，單季稅后純益5億9882萬(wàn)元、每股純益0.51元，較前一季大幅成長(zhǎng)49.0%，更較去年同期激增近4倍，毛利率受產(chǎn)能利用率提高而躍增為31.33%；累計(jì)前三季稅后純益11.39億元、每股純益0.

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2012-10-26

元件 EPS CMOS
矽中介層制造商漸增 2.5D芯片成本將下滑

賽靈思Virtex-7SSI技術(shù)賽靈思(Xilinx)以堆疊式矽晶封裝互連技術(shù)(Stacked Silicon Interconnect Technology, SSIT)為基礎(chǔ)，推出現(xiàn)場(chǎng)可程式邏輯閘陣列(FPGA)系列--Virtex-7 2000。過(guò)去一年半，賽靈思不斷主打其各種不同

消費(fèi)電子
2012-10-24

芯片 Virtex 封裝 CMOS
意法半導(dǎo)體與Soitec攜手通過(guò)CMP提供28納米FD－SOI CMOS制程

半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)意法半導(dǎo)體、 Soitec與CMP攜手為大學(xué)院校、研究實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)企業(yè)設(shè)計(jì)下一代系統(tǒng)級(jí)芯片并提供工程流片服務(wù)2012年10月22日，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）、Soitec（歐洲證券交易所）與

消費(fèi)電子
2012-10-23

晶圓意法半導(dǎo)體 TE CMOS
ST與Soitec攜手通過(guò)CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

21ic訊意法半導(dǎo)體、Soitec與CMP (Circuits Multi Projets®) 共同宣布，現(xiàn)在大學(xué)院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)企業(yè)可通過(guò)CMP的硅中介服務(wù)使用意法半導(dǎo)體的CMOS 28納米全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)制程進(jìn)行工程流片，意法

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-10-22

意法半導(dǎo)體 ST TE CMOS
突破精度限制——了解運(yùn)算放大器的精度挑戰(zhàn)

摘要在精密測(cè)量過(guò)程中，系統(tǒng)工程師們面臨的第一個(gè)挑戰(zhàn)便是如何選擇具備最佳性能的運(yùn)算放大器以及安裝在其周?chē)钠渌M件。這項(xiàng)工作很重要。在一些有空間限制的應(yīng)用中，工程師們常常會(huì)尋求體積最小的封裝，但是這種小

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2012-10-19

精度封裝運(yùn)算放大器 CMOS
X-FAB投入超過(guò)5000萬(wàn)美金在MEMS的運(yùn)營(yíng)上

德國(guó)艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries，日前宣布為了MEMS的營(yíng)運(yùn)將在未來(lái)的三年投資5000萬(wàn)美金以上在無(wú)塵室、新設(shè)備、研發(fā)與人員，這些投資也反映X-FAB意義深遠(yuǎn)地聚焦在MEMS以因應(yīng)預(yù)期中MEMS的成長(zhǎng)。新品牌”X-FA

消費(fèi)電子
2012-10-17

慣性傳感器 MEMS FAB CMOS
X-FAB在MEMS的運(yùn)營(yíng)上投入超過(guò)5000萬(wàn)美金

X-FAB Silicon Foundries近日宣布為了MEMS的營(yíng)運(yùn)將在未來(lái)的三年投資5000萬(wàn)美金以上在無(wú)塵室、新設(shè)備、研發(fā)與人員，這些投資也反映X-FAB意義深遠(yuǎn)地聚焦在MEMS以因應(yīng)預(yù)期中MEMS的成長(zhǎng)。新品牌”X-FAB MEMS Foundry”在

消費(fèi)電子
2012-10-12

慣性傳感器 MEMS FAB CMOS
1Hz分辨率 50MHz電路圖

對(duì)數(shù)字頻率計(jì)數(shù)器來(lái)說(shuō)，CMOS和TTL器件的連接降低了芯片總數(shù)，提供1Hz解決方案將原來(lái)低于20Hz提高到50MHz。采用文中給出的10:1預(yù)定標(biāo)器，將范圍擴(kuò)大到大于300MHz，解決方案10Hz。

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2012-10-11

電路圖 TTL HZ CMOS
富威集團(tuán)推出Aptina CMOS Sensor 汽車(chē)安全領(lǐng)域應(yīng)用方案

21ic訊 CMOS Sensor在汽車(chē)安全領(lǐng)域中越來(lái)越多不同的應(yīng)用，現(xiàn)階段除了倒車(chē)攝影之外更多了許多不同功能，下圖是由Aptina 所提出的設(shè)計(jì)應(yīng)用：可分兩大項(xiàng)目：1. Scene Processing:應(yīng)用如:1. LDW車(chē)軌偏移2. 車(chē)大燈的感應(yīng)

汽車(chē)電子
2012-10-09

汽車(chē)安全 APTINA SENSOR CMOS
閱報(bào)秘書(shū)／3D鰭式晶體管

3D鰭式晶體管（FinFET）是1種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管，能讓芯片技術(shù)發(fā)展到10納米以下，晶圓代工業(yè)者若能擁有此技術(shù)，更能凸顯其優(yōu)勢(shì)與競(jìng)爭(zhēng)力。傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過(guò)閘門(mén)，只能選擇在閘門(mén)的一

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2012-09-29

半導(dǎo)體晶體管閘門(mén) CMOS
RFaxis開(kāi)始批量生產(chǎn)二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案 RFaxis開(kāi)始為智能手機(jī)和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍(lán)牙、WLAN 11a/n/ac、無(wú)線(xiàn)音頻、ZigBee和智能能源/家庭自動(dòng)化等市場(chǎng)批

消費(fèi)電子
2012-09-26

集成電路射頻前端 RF CMOS

首頁(yè) 上一頁(yè) 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 下一頁(yè) 尾頁(yè)

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CMOS

科學(xué)家研制單電子半加器助力未來(lái)計(jì)算需求

科學(xué)家首次研制成功單電子半加器

愛(ài)德萬(wàn)：接單低潮已在上季落底

RFMD將收購(gòu)CMOS RF芯片公司Amalfi

TTL、CMOS電平和OC門(mén)知識(shí)大全

淺談網(wǎng)絡(luò)高清攝像機(jī)優(yōu)勢(shì) CMOS是主流技術(shù)

采用互補(bǔ)晶體管和CMOS驅(qū)動(dòng)級(jí)的推扭電路圖

積層式傳感器ISX014首次商用索尼手機(jī)用CMOS亮相

高線(xiàn)性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

京元電前三季EPS0.96元

矽中介層制造商漸增 2.5D芯片成本將下滑

意法半導(dǎo)體與Soitec攜手通過(guò)CMP提供28納米FD－SOI CMOS制程

ST與Soitec攜手通過(guò)CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

突破精度限制——了解運(yùn)算放大器的精度挑戰(zhàn)

X-FAB投入超過(guò)5000萬(wàn)美金在MEMS的運(yùn)營(yíng)上

X-FAB在MEMS的運(yùn)營(yíng)上投入超過(guò)5000萬(wàn)美金

1Hz分辨率 50MHz電路圖

富威集團(tuán)推出Aptina CMOS Sensor 汽車(chē)安全領(lǐng)域應(yīng)用方案

閱報(bào)秘書(shū)／3D鰭式晶體管

RFaxis開(kāi)始批量生產(chǎn)二代純CMOS射頻前端集成電路

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