CMOS
-
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料
比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮 CMOS 至 7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合 CMOS-RF 與 CMOS 光電元件的化
-
國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月8日）
訊：11月8日，國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公布了《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告(2013年11月8日)》，據(jù)悉，世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織于1989年5月通過了《關(guān)于集成電路的知識(shí)產(chǎn)權(quán)條約》。以下是國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)
-
模擬計(jì)數(shù)器電路圖
如圖所示，這個(gè)簡單的電路在電平檢測器中使用一個(gè)LM311，并且用一個(gè)CMOS模擬電門來釋放電容。這種計(jì)數(shù)器的一大特點(diǎn)就是數(shù)可以改變。只有當(dāng)比較器運(yùn)行地較快時(shí)才需要改變電壓的大小。用相同的道理可以設(shè)計(jì)出一個(gè)價(jià)格便
-
Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出
-
Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)
器件導(dǎo)通電阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生電容、100ns的開關(guān)時(shí)間和0.033μW的功耗21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低導(dǎo)
-
FD SOI與FinFET的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)之戰(zhàn)
FD SOI（全耗盡型SOI）最近重新進(jìn)入業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。Intel、TSMC等企業(yè)已決定在22、14nm節(jié)點(diǎn)走向FinFET之路；而作為FD SOI技術(shù)的主要支持者，如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等，認(rèn)為在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FD SOI
-
新日本無線推出超低功耗CMOS運(yùn)放NJU77806
新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運(yùn)放 NJU77806 的獨(dú)特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強(qiáng)RF噪聲
-
淺析CMOS電路
CMOS問世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢。1、組成結(jié)構(gòu)CMOS電路是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場效應(yīng)晶體管組成，由于只有
-
ULN2003和ULN2004有哪些區(qū)別？
ULN2003和ULN2004有哪些區(qū)別?這個(gè)ULN2003A和ULQ2003A有2.7 -kΩ系列為每個(gè)達(dá)靈頓基地電阻對(duì)操作直接與TTL或5 v CMOS設(shè)備。這個(gè)ULN2004A和ULQ2004A有10.5 -kΩ系列基礎(chǔ)電阻器允許操作直接從CMOS設(shè)備使用供應(yīng)
-
名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件已研發(fā)成功
眾所周知，晶體管要分成多種類型。其中，MOSFET作為基礎(chǔ)器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應(yīng)用。但是目前使用的場效應(yīng)管存在兩個(gè)被學(xué)術(shù)界稱為PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。正常工作時(shí)源極和襯底間的PN結(jié)始終處于正向?qū)顟B(tài)，所以在一
-
單晶粒整合CMOS/MEMS技術(shù) CMEMS振蕩器減小溫度漂移
以CMEMS技術(shù)生產(chǎn)的振蕩器，正逐漸在市場上嶄露頭角。CMEMS技術(shù)系在單晶粒中整合CMOS和MEMS電路，以實(shí)現(xiàn)更高整合度的MEMS振蕩器，可消除傳統(tǒng)雙晶粒MEMS振蕩器和石英振蕩器的諸多缺陷，并提高溫度和頻率穩(wěn)定性，因而備
-
土豪金到底值不值萬金？ iPhone 5s深度拆解（圖文）
和 iPhone 5c 相比，iPhone 5s 的升級(jí)更有誠意：64 位 A7 芯片、M7 協(xié)處理器和 Touch ID 指紋傳感器都能激起人們的期待。iFixit 提前拿到機(jī)器，一份翔實(shí)的拆機(jī)報(bào)告趕在 iPhone 5s 發(fā)售時(shí)出爐。來了解下 iPhone
-
TTL與CMOS 高低電平 電路區(qū)別比較
一.TTLTTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。1.輸出高電平Uoh和輸出低電平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.輸入高電平和輸入低電平Uih≥2.0V，Uil
-
一種新型的高性能CMOS電流比較器電路
分析了目前幾種高性能連續(xù)時(shí)間CMOS 電流比較器的優(yōu)缺點(diǎn)， 提出了一種新型CMOS 電流比較器電路。 它包含一組具有負(fù)反饋電阻的CMOS 互補(bǔ)放大器、兩組電阻負(fù)載放大器和兩組CMOS 反相器。 由于CMOS 互補(bǔ)放大器的負(fù)反饋電阻降低了它的輸入、輸出阻抗， 從而使電壓的變化幅度減小， 所以該電流比較器具有較短的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間和較快的速度。 電阻負(fù)載放大器的使用減小了電路的功耗。 利用112Lm CMOS 工藝HSP ICE 模型參數(shù)對(duì)該電流比較器的性能進(jìn)行了模擬， 結(jié)果表明該電路的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間達(dá)到目前最快的
-
CMOS/GaAs PA方案決戰(zhàn)中低價(jià)手機(jī)市場
互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)與砷化鎵(GaAs)PA方案戰(zhàn)火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優(yōu)勢于中低價(jià)手機(jī)市場攻城掠地，市占可望提升至15%～20%，而GaAs PA廠商為進(jìn)一步防堵對(duì)手攻勢，將全面啟動(dòng)輕晶圓
-
LED封裝市場持續(xù)增長 2018年將達(dá)160億美元
2012通用照明成為最大的LED封裝應(yīng)用領(lǐng)域，LED這種取代性技術(shù)將是增長趨勢延續(xù)到2018年。除了照明領(lǐng)域，其他LED應(yīng)用市場也在快速發(fā)展。當(dāng)下，封裝LED市場為139億美元，未來五年增速平緩，并將在2018年達(dá)到峰值——160
-
2018年LED封裝市場將達(dá)到160億美元
2012通用照明成為最大的LED封裝應(yīng)用領(lǐng)域，LED這種取代性技術(shù)將是增長趨勢延續(xù)到2018年。除了照明領(lǐng)域，其他LED應(yīng)用市場也在快速發(fā)展。 2018年LED封裝市場將達(dá)到160億美元 當(dāng)下，封裝LED市場為139億美元，未來五年增速
-
ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么?高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)
-
ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)
高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么？ 高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能
-
京元電8月營收 今年高點(diǎn)
IC晶圓和成品測試廠京元電(2449)自結(jié)8月合并營收新臺(tái)幣13.05億元，月增0.3%，續(xù)創(chuàng)今年以來高點(diǎn)；累計(jì)今年前8月自結(jié)合并營收97.64億元，年增2.59%。 京元電自結(jié)8月合并營收比7月13.01億元微增0.3%，較去年同期約13
