CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

GLOBALFOUNDRIES 推出先進 55nm CMOS 邏輯制程

GLOBALFOUNDRIES 宣布將公司的 55 奈米 (nm) 低功率強化 (LPe) 制程技術(shù)平臺持續(xù)向上提升，推出具備 ARM 合格的新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是業(yè)界首創(chuàng)唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實體 I

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2013-02-22

CMOS GLOBALFOUNDRIES 5NM 晶片
東芝開發(fā)出智能手機用CMOS功率放大器的電源控制技術(shù)

東芝于日前宣布開發(fā)出了智能手機CMOS功率放大器的電源控制技術(shù)，能夠用來改善智能手機發(fā)送WCDMA及LTE等信號時所必需的 CMOS功率放大器的電力效率。該技術(shù)可根據(jù)發(fā)送功率水平

消費電子
2013-02-21

功率放大器智能手機東芝 CMOS
1Hz分辨率 50MHz電路圖

對數(shù)字頻率計數(shù)器來說，CMOS和TTL器件的連接降低了芯片總數(shù)，提供1Hz解決方案將原來低于20Hz提高到50MHz。采用文中給出的10:1預(yù)定標(biāo)器，將范圍擴大到大于300MHz，解決方案10Hz。

基礎(chǔ)實用電路
2013-02-21

電路圖 TTL HZ CMOS
GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程

GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術(shù)平臺進行了最新技術(shù)強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V?！?5nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM1.0/1.2V物理I

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2013-02-21

存儲器 ARM CMOS GLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIES推強化型55納米CMOS邏輯制程

近日，GLOBALFOUNDRIES宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術(shù)平臺進行了最新技術(shù)強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯

電子設(shè)計自動化
2013-02-21

存儲器 ARM CMOS GLOBALFOUNDRIES
GF推出強化型55納米CMOS邏輯制程

GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術(shù)平臺進行了最新技術(shù)強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一

模擬
2013-02-21

存儲器 ARM CMOS 5NM
GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程

GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術(shù)平臺進行了最新技術(shù)強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一

電子設(shè)計自動化
2013-02-21

存儲器 ARM CMOS GLOBALFOUNDRIES
索尼傳感器業(yè)務(wù)增勢迅猛，將繼續(xù)擴大市場占有率

與索尼的整體財政困難來說，索尼的傳感器業(yè)務(wù)可謂是增長快速，市場占有率處于領(lǐng)先地位。索尼傳感器業(yè)務(wù)的迅猛增長，從去年的數(shù)據(jù)中就能體現(xiàn)出來，索尼2011年第四季度占據(jù)傳感器市場的37.3%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)將其他競爭對手甩在后

測試測量
2013-02-20

索尼傳感器 CCD CMOS
寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析

寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析

嵌入式教程
2013-02-20

DSP 監(jiān)控攝像機 CCD CMOS
PIC硬件死鎖問題

PIC硬件死鎖問題

嵌入式軟件
2013-02-20

硬件單片機 PIC CMOS
Diodes擴充通用低壓CMOS邏輯系列

21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 繼續(xù)擴展其標(biāo)準(zhǔn)邏輯產(chǎn)品線，為四大系列的高速CMOS器件帶來更多封裝選擇。這些四路及六路配置的HC、HCT、AHC與AHCT系列邏輯器件采用SO14和TSSOP14封裝，提供十項最常用的邏輯

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2013-02-18

低壓 HC DIODES CMOS
半導(dǎo)體應(yīng)用不斷擴大，下個目標(biāo)是人體

對于已經(jīng)開辟出多種用途的半導(dǎo)體技術(shù)來說，尚未開拓的應(yīng)用領(lǐng)域之一就是人體?？赡７麓竽X活動進行靈活的運算處理，或者由芯片刺激神經(jīng)以抑制疾病的發(fā)作——這類與人體相關(guān)的技術(shù)開發(fā)越來越活躍。通過固體元件制作神經(jīng)

半導(dǎo)體
2013-02-03

半導(dǎo)體元件 RAM CMOS
最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

　最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進的制造工藝還實現(xiàn)了更低的成本。此外，創(chuàng)新架構(gòu)也正在給電路設(shè)計帶來更大的靈活性和通用性?！　∑浣Y(jié)果是，

工業(yè)控制
2013-01-22

CMOS圖像傳感器 CCD圖像傳感器 TIMES CMOS
臺積電估Q1營收僅減1-3%，毛利率43.5-45.5%

臺積電(2330)今(17日)召開法說會，臺積電財務(wù)長何麗梅表示，因市場對臺積產(chǎn)品的需求高于預(yù)期，去年Q4的成績超乎財測，尤其是CMOS和基頻晶片等通訊需求續(xù)強，成為各應(yīng)用別中唯一逆勢成長者。而今年Q1 半導(dǎo)體的庫存天

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2013-01-17

通訊臺積電 EPS CMOS
CMOS型555電路內(nèi)部電路

CMOS型555電路內(nèi)部電路

基礎(chǔ)實用電路
2013-01-11

555電路 CMOS
通訊晶片測試放緩，京元電/矽格上月營收降

測試廠京元電 (2449)、矽格 (6257)雙雙公布12月營收，時逢電子業(yè)傳統(tǒng)淡季，再加上季底通訊晶片客戶需求有放緩跡象，導(dǎo)致京元電與矽格的12月營收均較11月有所下滑，但都比前年同期成長；累計2012全年，受惠于行動通訊

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2013-01-08

通訊測試機 CMOS 晶片
中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET

中國科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國本土設(shè)計與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)？？

消費電子
2012-12-30

元件 MOSFET 中科院 CMOS
DI CON盛會3月登陸北京

由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波雜志》主辦的EDI CON(電子設(shè)計創(chuàng)新會議)將于2013年3月12~14日首次登陸北京，在北京國際會議中心隆重舉行。 EDI CON是為開發(fā)當(dāng)今的通信、計算、RFID、無線、導(dǎo)航、

消費電子
2012-12-29

半導(dǎo)體電子設(shè)計高速數(shù)字設(shè)計 CMOS
京元電明年資本支出增3成

測試大廠京元電子（2449）昨（24）日召開董事會，決議明年資本支出將拉高到49.89億元，較今年的38億元增加約31％，主要將用來購置機器設(shè)備，以及興建苗栗銅鑼科學(xué)園區(qū)新廠。京元電董事長李金恭對明年景氣看法樂觀，庫

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2012-12-25

影像傳感器芯片測試驅(qū)動IC CMOS
中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進展，首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國際自主開發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶

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2012-12-24

中芯國際晶圓代工傳感技術(shù) CMOS

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CMOS

GLOBALFOUNDRIES 推出先進 55nm CMOS 邏輯制程

東芝開發(fā)出智能手機用CMOS功率放大器的電源控制技術(shù)

1Hz分辨率 50MHz電路圖

GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程

GLOBALFOUNDRIES推強化型55納米CMOS邏輯制程

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