據(jù)知情人士透露,由于智能手機(jī)廠商對成像感應(yīng)器的需求不斷增長,索尼可能會收購瑞薩電子(RenesasElectronics)在日本的一家生產(chǎn)廠以提高其成像感應(yīng)器的產(chǎn)量。知情人士稱,目前雙方仍在進(jìn)行談判,尚未達(dá)成最終交易。
Sony公司據(jù)傳正計(jì)劃以9,600萬美元收購日本瑞薩電子(Renesas Elctronics)旗下晶圓廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo),Sony計(jì)劃擴(kuò)展其互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)影像感測器產(chǎn)能。目前該公司在這個市場已經(jīng)擁有大約30%的市占率了。兩家公司預(yù)
據(jù)以色列媒體報(bào)道,以色列塔爾半導(dǎo)體有限公司(TowerSemiconductorLtd.)與上海市集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心近日簽訂備忘錄,建立獨(dú)家合作伙伴關(guān)系。塔爾半導(dǎo)體公司將向上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心的客戶提供其
1.引言在電機(jī)驅(qū)動、UPS等系統(tǒng)中電壓的穩(wěn)定尤為重要,欠壓、過壓保護(hù)是必不可少的,因此通過在芯片內(nèi)部集成過壓、欠壓保護(hù)電路來提高電源的可靠性和安全性。對功率集成電路,
Sony公司據(jù)傳正計(jì)劃以9,600萬美元收購日本瑞薩電子(RenesasElctronics)旗下晶圓廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo),Sony計(jì)劃擴(kuò)展其互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)影像感測器產(chǎn)能。目前該公司在這個市場已經(jīng)擁有大約30%的市占率了。兩家公司預(yù)
Sony公司據(jù)傳正計(jì)劃以9,600萬美元收購日本瑞薩電子(Renesas Elctronics)旗下晶圓廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo),Sony計(jì)劃擴(kuò)展其互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器產(chǎn)能。目前該公司在這個市場已經(jīng)擁有大約30%的市占率了。兩家公司預(yù)
據(jù)外媒EETasia報(bào)道,統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)HIS預(yù)測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達(dá)到40%,目前該種LED市場占有率僅為1%據(jù)HIS的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2
Sony公司據(jù)傳正計(jì)劃以9,600萬美元收購日本瑞薩電子(Renesas Elctronics)旗下晶圓廠。 根據(jù)報(bào)導(dǎo),Sony計(jì)劃擴(kuò)展其互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)影像感測器產(chǎn)能。目前該公司在這個市場已經(jīng)擁有大約30%的市占率了。 兩家
新加坡南洋理工大學(xué)助理教授 Wang Qijie 和他的研究小組精心研制了一片石墨烯傳感器。這一新研發(fā)的傳感器將有機(jī)會應(yīng)用于紅外拍攝、交通超速拍照、衛(wèi)星地圖等等許多相關(guān)設(shè)備。研究團(tuán)隊(duì)正致力于將其開發(fā)成為商業(yè)產(chǎn)品。
隨著智能手機(jī)和平板電腦需求的不斷增長,市場對于成像感應(yīng)器的需求也是越來越高。據(jù)Techno Systems Research的預(yù)計(jì),全球CMOS感應(yīng)器市場的規(guī)模將在未來5年增長60%,達(dá)到122.8億美元。為了提高成像感應(yīng)器的產(chǎn)量,近日
【導(dǎo)讀】中國大陸TD-LTE手機(jī)市場戰(zhàn)火快速延燒。中國大陸政府即將對叁大電信商釋出TD-LTE牌照,激勵品牌廠加碼投入TD-LTE手機(jī)研發(fā),因此基帶芯片商及功率放大器等業(yè)者,皆已展開供應(yīng)鏈搶單大戰(zhàn),卡位TD-LTE市場商機(jī)。
我們知道,在電路系統(tǒng)的各個子模塊進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時可能會存在一些問題導(dǎo)致信號無法正常、高質(zhì)量地“流通”,例如有時電路子模塊各自的工作時序有偏差(如CPU與外設(shè))或者各自的信號類型不一致(如傳感器檢測光
圖像傳感器包括CCD與CMOS兩種。其中,CCD是“電荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的簡稱,CMOS是“互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的簡稱。CCD是1970年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的W·B·B
CMOS的555(ICM7555)構(gòu)成的定時電路b
CMOS的555(ICM7555)構(gòu)成的定時電路a
國家知識產(chǎn)權(quán)局今日在網(wǎng)上公布了《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告(2013年11月15日)》,布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)就是布圖設(shè)計(jì)的創(chuàng)作人或者其他權(quán)利人對布圖設(shè)計(jì)所享有的權(quán)利,具體來說,就是指國家依據(jù)有關(guān)集成電路的法律規(guī)
比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下,以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物
比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下,以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。隨著
比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下,以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物
訊:比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下,以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化