CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

CMOS與ECL的互接口電路b

CMOS與ECL的互接口電路b

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

CMOS 接口電路集成電路數(shù)字邏輯電路
CMOS與ECL的互接口電路a

CMOS與ECL的互接口電路a

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

CMOS 接口電路集成電路數(shù)字邏輯電路
CMOS與HTL的互接口電路b

CMOS與HTL的互接口電路b

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

CMOS 接口電路
CMOS與HTL的互接口電路a

CMOS與HTL的互接口電路a

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

BSP CMOS 接口電路
TTL與CMOS的接口電路b

TTL與CMOS的接口電路b

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

電路 TTL CMOS 接口電路
TTL與CMOS的接口電路a

TTL與CMOS的接口電路a

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

TTL CMOS 接口電路
CMOS與開關(guān)放大器的接口電路c

CMOS與開關(guān)放大器的接口電路c

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

開關(guān) 放大器 CMOS 接口電路
CMOS與開關(guān)放大器的接口電路b

CMOS與開關(guān)放大器的接口電路b

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

開關(guān) 放大器 CMOS 接口電路
CMOS與開關(guān)放大器的接口電路a

CMOS與開關(guān)放大器的接口電路a

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

開關(guān) 放大器 CMOS 接口電路
AC-SSR應(yīng)用電路d

AC-SSR應(yīng)用電路d

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

應(yīng)用電路 AC BSP CMOS
AC-SSR應(yīng)用電路c

AC-SSR應(yīng)用電路c

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

應(yīng)用電路 AC BSP CMOS
AC-SSR應(yīng)用電路b

AC-SSR應(yīng)用電路b

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

應(yīng)用電路 AC BSP CMOS
AC-SSR應(yīng)用電路a

AC-SSR應(yīng)用電路a

基礎(chǔ)實用電路
2014-04-20

應(yīng)用電路 TTL AC CMOS
Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計創(chuàng)新會議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

這是產(chǎn)業(yè)界第一個可重構(gòu)射頻前端，將促成單一平臺設(shè)計并支持TDD-LTE網(wǎng)絡(luò)北京－電子設(shè)計創(chuàng)新會議（EDI CON 2014）─ 2014年4月9日─ Peregrine半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：PSMI ）是射頻SOI（絕緣體上硅）技術(shù)的創(chuàng)

半導(dǎo)體
2014-04-16

ACM GLOBAL ULTRA CMOS
Peregrine：CMOS將打破GaAs在RF的地位

Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系統(tǒng)解決方案，它采用Peregrine的130納米RF-SOI工藝技術(shù)的UItraCMOS 10工藝技術(shù)平臺。這是業(yè)界又一次對GaAs RF器件提出了挑戰(zhàn)。 Global 1集成了三通道多模多頻段功

21ic專訪
2014-04-15

砷化鎵 RF GLOBAL CMOS
Peregrine半導(dǎo)體場推出UltraCMOS Global 1射頻前端

Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計創(chuàng)新會議(EDI CON 2014)上，宣布UltraCMOS Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS Global 1是行業(yè)中第一個可重構(gòu)射頻前端( RFFE )系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所

通信技術(shù)
2014-04-14

ACM GLOBAL ULTRA CMOS
基于功耗限制的CMOS低曝聲放大器最優(yōu)化設(shè)計

　在無線射頻接收機(jī)中，射頻信號要經(jīng)過諸如濾波器、低噪聲放大器及中頻放大器等單元模塊進(jìn)行傳輸。由于每個單元都有固有噪聲，從而造成輸出信噪比變差。采用多級級聯(lián)的系統(tǒng)

功率器件
2014-04-11

低噪聲放大器放大器噪聲系數(shù) CMOS
國內(nèi)首顆可量產(chǎn)并具自主知識產(chǎn)權(quán)的CMOS GSM射頻前端芯片

中科漢天下致力于無線通信芯片及射頻前端芯片的研發(fā)。日前，該公司推出了國內(nèi)首顆可大規(guī)模量產(chǎn)并具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的CMOS GSM射頻前端芯片—HS8269。 HS8269采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，將全部電路（射頻功率放大器、

通信技術(shù)
2014-04-11

芯片射頻前端 GSM CMOS
專家觀點：FD SOI是20奈米節(jié)點最佳方案

全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D SOI)是 28奈米與 20奈米半導(dǎo)體制程節(jié)點的最佳解決方案，主要原因是該技術(shù)與塊狀CMOS制程技術(shù)相比，其成本與泄漏電流較低，性能表現(xiàn)則更高。同樣是100mm

模擬
2014-04-08

節(jié)點制程技術(shù) FINFET CMOS
3D IC 封測臺廠續(xù)布局

封測臺廠持續(xù)布局3D IC。智慧型手機(jī)用CMOS影像感測元件，可率先采用3D IC技術(shù)，預(yù)估到2016年，整合應(yīng)用處理器和記憶體的3DIC技術(shù)，有機(jī)會量產(chǎn)。媒體日前報導(dǎo)記憶體大廠美光(Micron)為布局3D IC技術(shù)，計劃透過華亞

模擬
2014-04-06

元件 IC CMOS

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CMOS與ECL的互接口電路b

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CMOS與HTL的互接口電路b

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TTL與CMOS的接口電路b

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CMOS與開關(guān)放大器的接口電路c

CMOS與開關(guān)放大器的接口電路b

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AC-SSR應(yīng)用電路d

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Peregrine：CMOS將打破GaAs在RF的地位

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3D IC 封測臺廠續(xù)布局

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