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聯(lián)發(fā)科并購晨星：成為臺灣年度最佳并購
訊：臺灣最重要的年度并購活動， 2013“臺灣并購金鑫獎”頒獎典禮暨并購實務(wù)研討會28日登場！將頒發(fā)“年度最具代表性獎”，由“聯(lián)發(fā)科并購晨星”、“國泰世華參股柬埔寨銀
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并購金鑫獎 贏家聯(lián)發(fā)科
臺灣最重要的年度并購活動， 2013「臺灣并購金鑫獎」頒獎典禮暨并購實務(wù)研討會今（28）日登場！將頒發(fā)「年度最具代表性獎」，由「聯(lián)發(fā)科并購晨星」、「國泰世華參股柬埔寨銀行」、「中鋼參股ArcelorMittal」、「美光
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ELG：2020年歐洲半導體產(chǎn)能增至全球產(chǎn)能20%
據(jù)外媒electronicsweekly報道，為實現(xiàn)歐盟副總裁委員NeelieKroes的目標，歐洲領(lǐng)導人集團（ELG）計劃到2020年提高歐洲半導體產(chǎn)能，達到全球半導體產(chǎn)值的20％。當歐洲三大半導體公司——意法半導體(ST)、英飛凌(Infine
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ELG：2020年歐洲半導體產(chǎn)能增至全球產(chǎn)能20%
據(jù)外媒electronicsweekly報道，為實現(xiàn)歐盟副總裁委員Neelie Kroes的目標，歐洲領(lǐng)導人集團(ELG)計劃到2020年提高歐洲半導體產(chǎn)能，達到全球半導體產(chǎn)值的20%。當歐洲三大半導體公司——意法半導體(ST)、英飛凌
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為量產(chǎn)10nm制程鋪路 ASML攜手IMEC建置APC
艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡，讓微影(Lithography)技術(shù)
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為量產(chǎn)10nm制程鋪路 ASML攜手IMEC建置APC
艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡，讓微影(Lithography)技術(shù)
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為量產(chǎn)10nm制程鋪路 ASML攜手IMEC建置APC
艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡，讓微影(Lithography)技術(shù)
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延續(xù)半導體量產(chǎn)經(jīng)濟效益 EUV成10奈米制程發(fā)展關(guān)鍵
半導體的發(fā)展隨著摩爾定律(Moore’s Law)演進，雖然是關(guān)關(guān)難過但還是關(guān)關(guān)過，其中在制程技術(shù)上，主要瓶頸在微影制程的要求不斷提高，目前主流曝光技術(shù)是采用波長193奈米(nm)的浸潤式曝光(Immersion)技術(shù)；然而，進入
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應(yīng)用材料公司與東京威力科創(chuàng)合并 市值近300億美元
全球兩大半導體設(shè)備供應(yīng)商──美商應(yīng)用材料公司(Applied Materials Inc.)與日本東京威力科創(chuàng)公司(Tokyo Electron Ltd.；TEL)日前宣布達成合并協(xié)議，雙方將攜手共創(chuàng)半導體和顯示器制造技術(shù)的新企業(yè)，透過股份轉(zhuǎn)換方式
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ASML提升新EUV機臺技術(shù)生產(chǎn)效率
微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每
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ASML新EUV機臺
微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每
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ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
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ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
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ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓
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16納米建置… 臺積電繼續(xù)沖
臺積電28納米制程預定第4季減產(chǎn)，也使臺積電有更多的資源及人力投入20納米及16納米等先進制程建置腳步，設(shè)備端感受到來自臺積電的先進制程設(shè)備訂單仍然強勁，但28納米制程相關(guān)耗材及設(shè)備將受影響。 臺積電強調(diào)，今
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EUV微影尚未功成 設(shè)備業(yè)者仍在努力
在日前于美國舊金山舉行的 Semicon West 半導體設(shè)備展上，仍在開發(fā)中的超紫外光(EUV)微影技術(shù)又一次成為討論焦點；歐洲微電子研究機構(gòu)IMEC總裁暨執(zhí)行長Luc Van den Hove在一場座談會中表示：「EUV仍然是半導體產(chǎn)業(yè)界
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一個西電研究生的半導體求職歷程
其實在我求職期間，就已經(jīng)萌發(fā)了在找到工作后寫一份求職經(jīng)歷總結(jié)的想法，所以我完完整整的保留了求職三個多月來的所有資料，使我能對這段經(jīng)歷做詳細到位的總結(jié)。也希望你能從我的這段真實經(jīng)歷中學到一點經(jīng)驗，少走彎
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ASML完成對Cymer的收購
ASML和Cymer上周五宣布，已經(jīng)完成此前宣布的兩家合并計劃，ASML成功收購了Cymer公司，作為該合并結(jié)果，Cymer普通股以20.00美元現(xiàn)金外加1.1502的 ASML普通股權(quán)益，ASML的股本也將因此增加大約3650萬股。
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臺積電組大同盟 設(shè)備廠樂透
晶圓代工龍頭臺積電（2330）為了加快產(chǎn)能布建速度，今年開始主導設(shè)備在地制造，要求設(shè)備供應(yīng)商需有一定比例的設(shè)備或零組件，是在臺灣當?shù)亟M裝生產(chǎn)。 國際設(shè)備大廠如應(yīng)用材料、艾司摩爾（ASML）、東京威力科創(chuàng)（TE
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Intel、臺積電、三星投資ASML研發(fā)450毫米晶圓 2018年將量產(chǎn)
全球最大的半導體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時，極紫外(EUV)光刻設(shè)備也
