艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術關卡，讓微影(Lithography)技術及其設備更臻成熟，加速制程微縮技術的商用化。

ASML總裁暨執(zhí)行長Martin van den Brink表示，長期以來，該公司與IMEC的合作，已促成半導體制程發(fā)展不斷突破;而此次的合作案，預期將進一步加快先進奈米制程技術及其相關設備的進展。

據(jù)了解，ASML和IMEC為確保未來10奈米以下制程中，關鍵晶圓尺寸的一致性和曝光重疊(Overlay)控制符合要求，將聯(lián)手研究在曝光制程中不同步驟的相互影響性;并將于先進曝光中心導入實際的元件，藉此分析和最佳化制程步驟，以及材料和元件結構的選擇。

IMEC總裁暨執(zhí)行長Luc Van den hove強調，雙方的合作將加快擴充10奈米制程的微影技術知識庫(Knowledge Base)，并獲取最先進的10奈米以下曝光制程技術，其將成為日后解決制程微縮和基礎建設(Infrastructure)窒礙的關鍵。

據(jù)悉，先進曝光中心將集結ASML和IMEC的專長、工程能力及曝光基礎建設，以因應投入研發(fā)過程中面臨的窒礙、基礎建設投資及所需的曝光知識。其中，ASML將支援先進曝光中心的先進掃描機、量測系統(tǒng)(Metrology System)及全面微影(Holistic Lithography)方案。

至于IMEC則將偕同材料和設備供應商、整合元件制造商(IDM)、晶圓代工廠和無晶圓(Fabless)廠等合作夥伴網(wǎng)絡，協(xié)助打造全球領先的潔凈室基礎設備(完整的300毫米晶圓試產(chǎn)線，并可延伸至450毫米晶圓)。

該中心將設在位于比利時魯汶(Leuven)的IMEC園區(qū)內，預計未來幾年工程師數(shù)量將擴增至近一百位。