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臺(tái)積電承認(rèn)40納米工藝遭遇障礙
在公布最新季度財(cái)報(bào)的同時(shí)，臺(tái)積電也第一次公開(kāi)承認(rèn)，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。 臺(tái)積電在去年底基本準(zhǔn)時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線，并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1%的收入，高于預(yù)期水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)今年第二季度會(huì)達(dá)到2%左
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ARM與臺(tái)積電合作40納米實(shí)體IP
全球硅IP龍頭安謀(ARM)宣布與臺(tái)積電40納米泛用型制程合作實(shí)體IP。未來(lái)將鎖定磁碟機(jī)、機(jī)上盒、行動(dòng)運(yùn)算裝置、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、高傳真電視和繪圖處理器等芯片市場(chǎng)提供臺(tái)積電制程、安謀IP庫(kù)的制造服務(wù)。 安謀表示，與臺(tái)積電4
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臺(tái)積電投資未來(lái) 擴(kuò)充研發(fā)、設(shè)計(jì)核心部門(mén)
臺(tái)積電首場(chǎng)技術(shù)論壇率先在舊金山舉行，臺(tái)積電總執(zhí)行長(zhǎng)蔡力行以投資未來(lái)「Invest to the Future」為題表示，盡管目前確實(shí)看到客戶(hù)急單需求，但未來(lái)依然充滿(mǎn)挑戰(zhàn)，臺(tái)積電抱以謹(jǐn)慎樂(lè)觀態(tài)度。臺(tái)積電指出，在此時(shí)前景混沌
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ARM發(fā)布業(yè)界最廣泛的40納米G物理IP平臺(tái)
ARM公司近日宣布，開(kāi)始向臺(tái)積電的40納米G制造工藝提供業(yè)界最完善的IP平臺(tái)。這一最新的、已通過(guò)流片驗(yàn)證的物理IP能夠滿(mǎn)足性能驅(qū)動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品的高成本效率開(kāi)發(fā)；這些產(chǎn)品要求在不提高功耗的前提下提供先進(jìn)的功能。這一平
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臺(tái)積電投資未來(lái) 擴(kuò)充研發(fā)、設(shè)計(jì)核心部門(mén)
臺(tái)積電投資未來(lái) 擴(kuò)充研發(fā)、設(shè)計(jì)核心部門(mén)
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40納米G物理IP平臺(tái)（ARM）
40納米G物理IP平臺(tái)（ARM）
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三星研制出首款40納米內(nèi)存 年內(nèi)量產(chǎn)
繼05年率先開(kāi)發(fā)出60納米內(nèi)存、06年開(kāi)發(fā)出50納米內(nèi)存后，三星電子日前研發(fā)出了世界首款40納米1GDDR2動(dòng)態(tài)內(nèi)存(1納米等于十億分之一米)，今年第3季度將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 據(jù)了解，40納米內(nèi)存與目前普遍使用的50、60納米內(nèi)存相
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三星電子研發(fā)出世界首款40納米內(nèi)存
近日消息，三星電子研制開(kāi)發(fā)出了世界首款40納米工藝DDR2動(dòng)態(tài)內(nèi)存產(chǎn)品（1納米等于十億分之一米）。繼05年率先開(kāi)發(fā)出60納米內(nèi)存，06年開(kāi)發(fā)出50納米內(nèi)存后，09年伊始三星電子再次通過(guò)成功開(kāi)發(fā)40納米動(dòng)態(tài)內(nèi)存產(chǎn)品，向外界
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臺(tái)積電加速技術(shù)研發(fā)縮減兩成預(yù)算度寒冬
“我們明年將縮減20%資本支出，但并不減少在科研方面的投入。”11月25日，全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電代理發(fā)言人曾晉浩向本報(bào)表示，在經(jīng)濟(jì)衰退的當(dāng)口，臺(tái)積電以減少產(chǎn)能擴(kuò)張，加速技術(shù)研發(fā)來(lái)蓄勢(shì)待發(fā)，年研發(fā)支出仍維持
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臺(tái)積電再砍兩成投資預(yù)算
“我們明年將縮減20%資本支出，但并不減少在科研方面的投入。”11月25日，全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電代理發(fā)言人曾晉浩向本報(bào)表示，在經(jīng)濟(jì)衰退的當(dāng)口，臺(tái)積電以減少產(chǎn)能擴(kuò)張，加速技術(shù)研發(fā)來(lái)蓄勢(shì)待發(fā)，年研發(fā)
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傳Nvidia和ATI明年初將生產(chǎn)40納米GPU
據(jù)來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的報(bào)道稱(chēng)，Nvidia和AMD已經(jīng)同臺(tái)積電簽署了在2009年第一季度生產(chǎn)40納米芯片的合同。 Nvidia和AMD目前已經(jīng)在利用55納米工藝生產(chǎn)圖形處理器芯片。Nvidia預(yù)計(jì)將在2009年年初將其GeForce 200系
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臺(tái)積電率先量產(chǎn)40納米工藝
臺(tái)積電公司日前表示，40納米泛用型（40G）及40納米低耗電（40LP）工藝正式進(jìn)入量產(chǎn)，成為專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域唯一量產(chǎn)40納米工藝的公司。同時(shí)，也針對(duì)40納米泛用型及40納米低耗電工藝提供全備的設(shè)計(jì)服務(wù)，包括組
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低功耗、DFM及高速接口是65/40納米設(shè)計(jì)重點(diǎn)
近兩年，國(guó)際上大的半導(dǎo)體公司都推出了65納米產(chǎn)品，并開(kāi)始了45納米/40納米產(chǎn)品的研發(fā)，而國(guó)內(nèi)也已經(jīng)有五六家企業(yè)開(kāi)始了65納米的設(shè)計(jì)。但總體來(lái)說(shuō)，65納米/40納米設(shè)計(jì)目前仍然還是一個(gè)新生事物，企業(yè)要解決一系列的技
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中芯計(jì)劃明年投產(chǎn)45和40納米芯片
10月6日消息，中國(guó)芯片制造商中芯國(guó)際公布了該公司的生產(chǎn)工藝計(jì)劃。中芯國(guó)際計(jì)劃明年投產(chǎn)45和40納米工藝的芯片。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，中芯國(guó)際還希望2011年投產(chǎn)32納米工藝的芯片，并表示該公司正在與IBM談判有關(guān)許可32
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40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布
40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布，4大陣營(yíng)新世代產(chǎn)線起跑 3Q價(jià)格大戰(zhàn)一觸即發(fā)。
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