日系存儲器大廠爾必達(Elpida)29日公布2010年第1季(會計年度4-6月)財報,單季營收為1,763億日圓(約20.28億美元),較上一季增加28%,較2009年同期增加103%,單季毛利率為35%,凈利為307億日圓(約3.52億美元),較上一季
半導(dǎo)體設(shè)備市場暌違兩年再現(xiàn)高峰,2010年市場規(guī)模將達325億美元,臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、聯(lián)電、全球晶圓(GlobalFoundries)全力擴產(chǎn)拼搶市占率,同時皆大幅擴充40納米以下先進制程,以往臺積電獨大的
半導(dǎo)體設(shè)備市場暌違兩年再現(xiàn)高峰,2010年市場規(guī)模將達325億美元,臺積電、三星電子(Samsung Electronics)、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)全力擴產(chǎn)拼搶市占率,同時皆大幅擴充40納米以下先進制程,以往臺積電獨大
微處理器大廠AMD總裁暨執(zhí)行長梅德克(Dirk Meyer)于上周五法說會中回答分析師提問時證實,代號為Ontario的次世代Fusion系列加速處理器(APU),將會交由 臺積電以40納米代工量產(chǎn),且有機會提前在今年第4季就開始出貨予O
繼三星電子(SamsungElectronics)宣布大手筆資本支出,臺系DRAM廠亦不甘示弱,臺塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入42及45納米制程,較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示,
繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出,臺系DRAM廠亦不甘示弱,臺塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入 42及45納米制程,較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示
全球晶圓(GlobalFoundries)加入晶圓代工戰(zhàn)局后動作頻頻,不僅合并特許半導(dǎo)體,并大幅擴產(chǎn),更積極布局先進制程,挑戰(zhàn)臺積電與聯(lián)電,市場預(yù)期,GlobalFoundries此次擴充德國廠45/40納米產(chǎn)能后,加上聯(lián)電40納米制程良率
GLOBALFOUNDRIES大股東先進科技投資公司(ATIC)執(zhí)行長lbrahimAjami1日表示,公司將在阿布扎比成立半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新聚落,未來這個新聚落將會以GLOBALFOUNDRIES為核心,借由阿布扎比充裕的資金實力以及完備的軟硬件設(shè)施建
全球晶圓(Global Foundries)加入晶圓代工戰(zhàn)局后動作頻頻,不僅合并特許半導(dǎo)體,并大幅擴產(chǎn),更積極布局先進制程,挑戰(zhàn)臺積電與聯(lián)電,市場預(yù)期,Global Foundries此次擴充德國廠45/40納米產(chǎn)能后,加上聯(lián)電40納米制程良
全球晶圓(Global Foundries)加入晶圓代工戰(zhàn)局后動作頻頻,不僅合并特許半導(dǎo)體,并大幅擴產(chǎn),更積極布局先進制程,挑戰(zhàn)臺積電與聯(lián)電,市場預(yù)期,Global Foundries此次擴充德國廠45/40納米產(chǎn)能后,加上聯(lián)電40納米制程良
全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量,由于浸潤式機臺(ImmersionScanner)遞延交貨之故,瑞晶已松口表示,原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進45納米制程的目標(biāo),將正式遞延至2011年第1季,其第1臺浸潤式機臺本周
據(jù)臺灣媒體報道,法銀巴黎證券指出,臺積電因12吋產(chǎn)能大缺貨,正與歐日國際整合組件大廠(IDM)洽談買下設(shè)備產(chǎn)能。臺積電打的如意算盤是一方面借由買下12吋產(chǎn)能直接掌握客戶訂單,另一方面則在接下來的20納米高端制程
在渡過困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風(fēng)向標(biāo)意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導(dǎo)扭虧為盈
力晶半導(dǎo)體(PowerchipSemiconductorCorporation,PSC)公司董事長黃崇仁(FrankHuang)日前透露,該公司將于2010年下半年正式開始量產(chǎn)出貨40納米制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品,同時他還指出力晶的閃存業(yè)務(wù)未來的工作重點
市場調(diào)研公司FBR分析師Hosseini關(guān)于臺積電與聯(lián)電的競爭態(tài)勢展望,認(rèn)為直到年底全球代工業(yè)仍是不錯, 尤其是高端代工。無論臺積電或者聯(lián)電它們的硅片出貨量都好于預(yù)期,2010 Q1臺積電Q/Q持平或者-2%及聯(lián)電為上升3%或者持
TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項電子設(shè)計自動化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計套件(iPDK)、工藝設(shè)計規(guī)
編者點評(莫大康 SEMI China顧問):中芯國際在高端技術(shù)中又有新的進步,值得慶賀,中芯國際在有限的條件下爭取進步是夠困難的,但是有時形勢逼迫我們,非進不可。中芯國際面臨的問題表面上看是個盈利問題,實際上反映
繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元,晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布,提高2010年資本支出達12億~15億美元,其中約有94%將用于擴充12寸先進制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,聯(lián)電65納米成長會非常迅速,45/40納米世代
繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元,晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布,提高2010年資本支出達12億~15億美元,其中約有94%將用于擴充12寸先進制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,聯(lián)電65納米成長會非常迅速,45/40納米世代
繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元,晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布,提高2010年資本支出達12億~15億美元,其中約有94%將用于擴充12寸先進制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,聯(lián)電65納米成長會非常迅速,45/40納米世代