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[導(dǎo)讀]40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布,4大陣營新世代產(chǎn)線起跑 3Q價格大戰(zhàn)一觸即發(fā)。

三星電子(Samsung Electronics)26日舉行年度Mobile Forum,揭示NAND型閃存(Flash)下世代42納米工藝技術(shù),將提前于5月底送樣,第3季度步入量產(chǎn),目前40納米世代NAND Flash工藝,新帝(SanDisk)和東芝(Toshiba)陣營動作最快,43納米工藝預(yù)計第2季度底前量產(chǎn),至于海力士(Hynix)48納米工藝,以及英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營35納米工藝,都預(yù)計于第3季度量產(chǎn),業(yè)界擔(dān)心第3季度之后NAND Flash產(chǎn)能傾巢而出,將再度重演價格戰(zhàn)。

NAND Flash大廠甫于2008年第1季度正式進入50納米工藝世代,但隨即進入40納米世代準備期,以目前4大陣營進度來看,新帝和東芝陣營43納米仍舊跑第1,預(yù)計第2季度底前進入量產(chǎn),領(lǐng)先其它3大NAND Flash陣營。三星宣布提前42納米工藝進度,由原本計劃于第3季度送樣給廠商,提前至5月底至6月初,并有信心于第3季度步入量產(chǎn),力圖與東芝一較高下。

由于海力士48納米工藝藍圖亦宣稱第3季度可量產(chǎn),加上英特爾與美光陣營35納米工藝,亦計劃在第3季度底之前量產(chǎn),因此,整個NAND Flash產(chǎn)業(yè)在2008年下半年正式步入新1代40和30納米工藝階段,恐引爆新一波大戰(zhàn)。

不過,過去在50納米工藝因良率提升不易,量產(chǎn)時程一再延后,這些NAND Flash大廠40納米以下工藝產(chǎn)品能否順利在第3季度量產(chǎn),仍有待觀察。內(nèi)存廠表示,2007年整個NAND Flash產(chǎn)業(yè),70納米工藝比重高達70%,50納米比重還不到20%,2008年第1季度50納米工藝才步上主流地位,盡管目前各家NAND Flash廠對于40和30納米工藝量產(chǎn)時間,都規(guī)劃得相當(dāng)漂亮,但屆時真正投片后良率可否如期提升,還是個疑問。

然內(nèi)存廠仍相當(dāng)憂心,若是各廠新1代工藝都真的如期在第3季度量產(chǎn),屆時NAND Flash市場可能再度引發(fā)價格戰(zhàn)。事實上,目前NAND Flash價格處于恐怖平衡狀態(tài),NAND Flash大廠產(chǎn)出都不算太多,蘋果(Apple)亦于5月開始備貨,但終端需求卻相當(dāng)?shù)兔?,?季度需求是否復(fù)蘇,仍待進一步觀察。
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