三星電子(Samsung Electronics)26日舉行年度Mobile Forum，揭示NAND型閃存(Flash)下世代42納米工藝技術(shù)，將提前于5月底送樣，第3季度步入量產(chǎn)，目前40納米世代NAND Flash工藝，新帝(SanDisk)和東芝(Toshiba)陣營動作最快，43納米工藝預(yù)計第2季度底前量產(chǎn)，至于海力士(Hynix)48納米工藝，以及英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營35納米工藝，都預(yù)計于第3季度量產(chǎn)，業(yè)界擔(dān)心第3季度之后NAND Flash產(chǎn)能傾巢而出，將再度重演價格戰(zhàn)。

NAND Flash大廠甫于2008年第1季度正式進入50納米工藝世代，但隨即進入40納米世代準備期，以目前4大陣營進度來看，新帝和東芝陣營43納米仍舊跑第1，預(yù)計第2季度底前進入量產(chǎn)，領(lǐng)先其它3大NAND Flash陣營。三星宣布提前42納米工藝進度，由原本計劃于第3季度送樣給廠商，提前至5月底至6月初，并有信心于第3季度步入量產(chǎn)，力圖與東芝一較高下。

由于海力士48納米工藝藍圖亦宣稱第3季度可量產(chǎn)，加上英特爾與美光陣營35納米工藝，亦計劃在第3季度底之前量產(chǎn)，因此，整個NAND Flash產(chǎn)業(yè)在2008年下半年正式步入新1代40和30納米工藝階段，恐引爆新一波大戰(zhàn)。

不過，過去在50納米工藝因良率提升不易，量產(chǎn)時程一再延后，這些NAND Flash大廠40納米以下工藝產(chǎn)品能否順利在第3季度量產(chǎn)，仍有待觀察。內(nèi)存廠表示，2007年整個NAND Flash產(chǎn)業(yè)，70納米工藝比重高達70％，50納米比重還不到20％，2008年第1季度50納米工藝才步上主流地位，盡管目前各家NAND Flash廠對于40和30納米工藝量產(chǎn)時間，都規(guī)劃得相當(dāng)漂亮，但屆時真正投片后良率可否如期提升，還是個疑問。

然內(nèi)存廠仍相當(dāng)憂心，若是各廠新1代工藝都真的如期在第3季度量產(chǎn)，屆時NAND Flash市場可能再度引發(fā)價格戰(zhàn)。事實上，目前NAND Flash價格處于恐怖平衡狀態(tài)，NAND Flash大廠產(chǎn)出都不算太多，蘋果(Apple)亦于5月開始備貨，但終端需求卻相當(dāng)?shù)兔?，?季度需求是否復(fù)蘇，仍待進一步觀察。