隨著半導(dǎo)體行業(yè)邁向后摩爾時(shí)代,先進(jìn)封裝技術(shù)正成為推動(dòng)芯片性能提升和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的核心驅(qū)動(dòng)力。在晶體管微縮逐漸逼近物理極限的背景下,先進(jìn)封裝通過(guò)異構(gòu)集成、3D堆疊和高密度互連等技術(shù),突破傳統(tǒng)封裝的瓶頸,實(shí)現(xiàn)更高性能、更低功耗和更小尺寸的芯片設(shè)計(jì)。
在數(shù)據(jù)中心、通信基站等高可靠性場(chǎng)景中,AC-DC電源模塊的功率密度突破已成為技術(shù)演進(jìn)的核心命題。以金升陽(yáng)LOF550系列為例,其23W/in3的功率密度與94%的轉(zhuǎn)換效率,標(biāo)志著平面變壓器與3D封裝技術(shù)的深度融合。然而,這種集成化設(shè)計(jì)在提升能效的同時(shí),也帶來(lái)了熱應(yīng)力分布失衡、材料界面失效等可靠性挑戰(zhàn)。本文將從技術(shù)原理、熱應(yīng)力成因及優(yōu)化策略三個(gè)維度,解析高功率密度AC-DC電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵路徑。
該榜單是36氪首次面向“中國(guó)科學(xué)家、研究者、工程師 、產(chǎn)業(yè)專家”群體展開(kāi)廣泛征集和調(diào)研,圍繞基礎(chǔ)創(chuàng)新方向、學(xué)術(shù)級(jí)別、期刊級(jí)別、專利級(jí)別、商業(yè)模式、融資情況、財(cái)務(wù)情況等多維度進(jìn)行嚴(yán)格地量化評(píng)估,選拔出100位極具創(chuàng)新力、發(fā)展?jié)摿褪袌?chǎng)影響力的科創(chuàng)企業(yè)家,他們或?qū)⒊蔀橐I(lǐng)時(shí)代發(fā)展的科研領(lǐng)軍人物。
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日Intel在業(yè)內(nèi)知名的IEDM大會(huì)公布了多項(xiàng)研究成果,其中有可將密度再提升10倍的3D封裝技術(shù)。
幾乎一直到DXP甚至后來(lái)的AD時(shí)代,3D封裝模型技術(shù)才開(kāi)始慢慢日趨成熟,自此3D封裝的發(fā)展完美的解決了這個(gè)問(wèn)題,3D封裝能夠讓我們?cè)谠O(shè)計(jì)之前就能夠看到真實(shí)的3D模型,很多器件空間比如長(zhǎng)寬高,甚至在一些中空的地方下面擺一些東西,可以直觀的知道有沒(méi)有空間干涉問(wèn)題。準(zhǔn)確的3D模型,可以用于在真實(shí)的3D中進(jìn)行電路板布局。通過(guò)對(duì)PCB設(shè)計(jì)的3D圖形化,能夠以3D的形式檢查設(shè)計(jì)的內(nèi)外各個(gè)方面。
據(jù)悉,中國(guó)已研發(fā)出首顆“3D封裝”芯片,這意味著中國(guó)首顆7nm芯片誕生!所謂的“3D封裝”芯片,此前泛指臺(tái)積電生產(chǎn)技術(shù),據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,“3D封裝”芯片突破了7nm工藝極限,集成了600億晶體管。
在很多網(wǎng)友的心目中,要提升芯片性能,就要推動(dòng)芯片工藝的進(jìn)步,比如從7nm到5nm,再到3nm,再到2nm。而過(guò)去的這些年,芯片廠商、晶圓廠商都是這么教育市場(chǎng)、教育消費(fèi)者的,手機(jī)芯片、電腦從10nmn進(jìn)步到7nm。
3D晶圓級(jí)封裝,英文簡(jiǎn)稱(WLP),包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標(biāo)準(zhǔn)器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù),它起源于快閃存儲(chǔ)器(NOR/NAND)及SDRAM的疊層封裝。主要特點(diǎn)包括:多功能、高效能;大容量高密度,單位體積上的功能及應(yīng)用成倍提升以及低成本。
3D晶圓級(jí)封裝,英文簡(jiǎn)稱(WLP),包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標(biāo)準(zhǔn)器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù),它起源于快閃存儲(chǔ)器(NOR/NAND)及SDRAM的疊層封裝。主要特點(diǎn)包括:多功能、高效能;大容量高密度,單位體積上的功能及應(yīng)用成倍提升以及低成本。
由于電子整機(jī)和系統(tǒng)在航空、航天、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域?qū)π⌒突?、輕型化、薄型化等高密度組裝要求的不斷提高,在MCM的基礎(chǔ)上,對(duì)于有限的面積,電子組裝必然在二維組裝的基礎(chǔ)上向z方向發(fā)展,這就是所謂的三維(3D)封裝技術(shù)。
▼點(diǎn)擊下方名片,關(guān)注公眾號(hào)▼推薦一個(gè)常用的PCB3D封裝下載網(wǎng)站。https://www.3dcontentcentral.cn/Default.aspx打開(kāi)界面如下圖所示:接下來(lái)我們以0603封裝的電阻為例講解。首先在搜索欄中輸入0603,即可出現(xiàn)0603的電阻,如下圖所示。點(diǎn)...
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一大波3D模型來(lái)襲 2017年11月分享了618個(gè)3D模型,分為3組,一個(gè)為常用元件的封裝庫(kù),第二個(gè)為插座封裝,第三個(gè)為排針座。今天再分享一波,貌似在上次的基礎(chǔ)上,又增加了不少新的,包括電阻,電容,晶體管、端子、模塊、傳感器、晶振、芯片等等,兩次加起來(lái)的
2015年代號(hào)為Fiji的AMD Fury X顯卡發(fā)布,代表著HBM顯存第一次進(jìn)入大眾視野。將傳統(tǒng)傳統(tǒng)的2D顯存引向立體空間,通過(guò)堆疊,單個(gè)DIE可以做到8GB容量,位寬也高達(dá)1024bit。相比之下
一年多前的CES 2019大展上,Intel正式公布了Foveros 3D立體封裝技術(shù),首款產(chǎn)品代號(hào)Lakefield,整合22nm工藝的基底層和10nm的計(jì)算層,將用于微軟Surface Duo雙屏
為了更好地面向以數(shù)據(jù)為中心的、更加多元化的計(jì)算時(shí)代,英特爾圍繞自身在半導(dǎo)體技術(shù)和相關(guān)應(yīng)用方面的能力提出了構(gòu)建“以數(shù)據(jù)為中心”戰(zhàn)略的六大技術(shù)支柱,即:制程和封裝、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲(chǔ)、互連、安全、軟件。而制程和封裝作為六大技術(shù)支柱的首個(gè)要素,實(shí)際上對(duì)其他五大要素來(lái)說(shuō)是重要的核心,也是其他技術(shù)支柱發(fā)展的重要基礎(chǔ)。封裝不僅僅是芯片制造過(guò)程的最后一步,它也正在成為芯片產(chǎn)品性能提升、跨架構(gòu)跨平臺(tái)、功能創(chuàng)新的催化劑。
兩個(gè)月前,也就是曾經(jīng)的FPGA巨頭Altera被英特爾收購(gòu)的4年之后,英特爾推出了“全面借助自身能力”開(kāi)發(fā)的新一代FPGA產(chǎn)品——Agilex。
適用于高密度醫(yī)療器械的集成式小螺距21ic訊 Molex 公司首次發(fā)布MediSpec™ 成型互連設(shè)備/激光直接成型 (MID/LDS) 產(chǎn)品,滿足創(chuàng)新性的 3D 技術(shù)的開(kāi)發(fā)要求,將先進(jìn)的 MID 技術(shù)與 LDS 天線的專業(yè)知識(shí)結(jié)合到一起,
【導(dǎo)讀】近日3M公司和IBM公司宣布將共同研發(fā)一種新的粘接材料,用來(lái)把半導(dǎo)體封裝成密集的疊層硅片“塔”(towers)。兩家公司的目標(biāo)是創(chuàng)制一種新型的材料。有了它,就可以史無(wú)前例地用100片獨(dú)立硅片組合成商用微處理器
【導(dǎo)讀】Multitest公司將在歐洲3D TSV峰會(huì)上(格勒諾布爾——2013年1月22-23日)發(fā)表論文主題演講。報(bào)告將重點(diǎn)關(guān)注3D封裝芯片的質(zhì)量與測(cè)試相關(guān)問(wèn)題。 摘要: Multitest公司將在歐洲3D TSV峰會(huì)上(格勒諾布爾——201