據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日Intel在業(yè)內(nèi)知名的IEDM大會公布了多項研究成果，其中有可將密度再提升10倍的3D封裝技術(shù)。

Intel組件研究主管兼高級首席工程師Paul·Fischer表示，目前研究團隊主要通過3個關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新進展來保證摩爾定律，分別是小芯片平滑集成的3D混合鍵合封裝技術(shù)、使用超薄2D材料作為通道的高密度晶體管技術(shù)以及提高性能的能效與存儲器升級技術(shù)。

Intel關(guān)于集成小芯片的3D混合鍵合封裝技術(shù)主要是用于堆疊和電連接形成小芯片的硅管芯(微型管芯)的技術(shù)可大致分為兩種類型：微凸點連接和混合鍵合。

混合鍵合封裝是一種理論上可以縮短連接間距且增加連接面積密度的技術(shù)。通過改進混合鍵合技術(shù)，Intel將連接間距從2021年的不足10μm縮短至3μm。

當轉(zhuǎn)換為連接密度的時候高出10倍，Intel實現(xiàn)了與單片式系統(tǒng)級芯片連接相似的互連密度和帶寬，而且混合鍵合技術(shù)還支持多個小芯片直堆疊。