-
臺積搶進(jìn)3D封裝技術(shù) 日月光：不會直接競爭
【楊喻斐╱臺北報(bào)導(dǎo)】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入20奈米以下制程后，不但封測技術(shù)愈加困難、投資門檻也愈來愈高，IC封測龍頭廠日月光（2311）營運(yùn)長吳田玉表示，臺積電（2330）本身就是看到這一點(diǎn)，才積極投入2.5D及3D IC封裝技術(shù)
-
FPGA融合架構(gòu) 3D封裝成關(guān)鍵支撐技術(shù)
未來幾年，F(xiàn)PGA融合架構(gòu)的演進(jìn)還在持續(xù)，而這需硬件和軟件的“鼎力相助”。MishaBurich指出，3D封裝和OpenCL將是關(guān)鍵支撐技術(shù)。日前，Altera宣布采用TSMC的CoWoS(基底晶圓芯片生產(chǎn))技術(shù)，開發(fā)出全球首顆能
-
FPGA融合架構(gòu) 3D封裝成關(guān)鍵支撐技術(shù)
未來幾年，F(xiàn)PGA融合架構(gòu)的演進(jìn)還在持續(xù)，而這需硬件和軟件的“鼎力相助”。Misha Burich指出，3D封裝和Open CL將是關(guān)鍵支撐技術(shù)。日前，Altera宣布采用TSMC的CoWoS(基底晶圓芯片生產(chǎn))技術(shù)，開發(fā)出全球首顆能夠整合多
-
FPGA:將融合進(jìn)行到底
從最初膠合邏輯發(fā)家，到不斷集成微處理器、DSP、專用IP等，F(xiàn)PGA迎來了其硅片融合的“黃金時(shí)代”——不僅拓寬了應(yīng)用領(lǐng)域，承擔(dān)起信號處理和數(shù)據(jù)運(yùn)算的重要功能，還蠶食了ASIC、DSP等的市場份額。FPGA的發(fā)展史就是將“
-
FPGA:將融合進(jìn)行到底
從最初膠合邏輯發(fā)家，到不斷集成微處理器、DSP、專用IP等，F(xiàn)PGA迎來了其硅片融合的“黃金時(shí)代”——不僅拓寬了應(yīng)用領(lǐng)域，承擔(dān)起信號處理和數(shù)據(jù)運(yùn)算的重要功能，還蠶食了ASIC、DSP等的市場份額。FPGA的發(fā)展史就是將“
-
力成獲Toshiba授權(quán)傳與3D先進(jìn)封裝技術(shù)有關(guān)
記憶體封測廠力成 (6239)在日前宣布，公司已在去年9月22日獲得Toshiba的技術(shù)授權(quán)，盡管力成并未針對該技術(shù)做進(jìn)一步說明，法人圈則傳出，認(rèn)為力成與Toshiba的技術(shù)授權(quán)應(yīng)與3D IC封裝有關(guān)，初期將強(qiáng)化NAND Flash的同質(zhì)堆
-
Rambus宣布與工研院合作開發(fā)互連及3D封裝技術(shù)
高速晶片設(shè)計(jì)技術(shù)授權(quán)公司Rambus宣布與工研院(ITRI)合作開發(fā)互連及3D封裝技術(shù)，此外，Rambus加入先進(jìn)堆疊系統(tǒng)與應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟(Ad-STAC)，該聯(lián)盟是由工研院領(lǐng)導(dǎo)的跨國研究協(xié)會。Rambus與工研院以Ad-STAC成員身分共同運(yùn)
-
Rambus攜工研院合作開發(fā)互連與3D封裝技術(shù)
高速晶片設(shè)計(jì)技術(shù)授權(quán)公司Rambus宣布，為了提升Rambus在3D IC封裝的技術(shù)能量，進(jìn)而提供制造商客戶更優(yōu)越的封裝技術(shù)，Rambus已與工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)攜手展開互連與3D封裝技術(shù)的合作開發(fā)。 Rambus技術(shù)開發(fā)副總裁Joh
-
3D封裝材料技術(shù)及其優(yōu)點(diǎn)
隨著移動電話等電子器件的不斷飛速增長，這些器件中安裝在有限襯底面積上的半導(dǎo)體封裝也逐漸變小變薄。3D封裝對減少裝配面積非常有效。此外，系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)(將二個或多個芯片安裝在一個封裝件中)對于提高處理速
-
2.5D IC封裝超越摩爾定律，改變游戲規(guī)則
近日，有兩家公司同時(shí)發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破：一個是意法半導(dǎo)體宣布將硅通孔技術(shù)（TSV）引入MEMS芯片量產(chǎn)，在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品（如智能傳感器、多軸慣性模塊）內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳
-
2.5D IC封裝超越摩爾定律，改變游戲規(guī)則
近日，有兩家公司同時(shí)發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破：一個是意法半導(dǎo)體宣布將硅通孔技術(shù)（TSV）引入MEMS芯片量產(chǎn)，在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品（如智能傳感器、多軸慣性模塊）內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳
-
業(yè)界最大FPGA誕生，突破摩爾定律制約
近日，有兩家公司同時(shí)發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破：一個是意法半導(dǎo)體宣布將硅通孔技術(shù)（TSV）引入MEMS芯片量產(chǎn)，在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品（如智能傳感器、多軸慣性模塊）內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳
-
3D封裝TSV技術(shù)仍面臨三個難題
高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前，這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場。他同時(shí)指出，業(yè)界對該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭論，將成為這項(xiàng)技術(shù)
-
3D封裝TSV技術(shù)仍面臨三個難題
高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前，這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場。他同時(shí)指出，業(yè)界對該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭論，將成為這項(xiàng)技術(shù)
-
3D封裝TSV技術(shù)仍面臨三個難題
高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前，這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場。他同時(shí)指出，業(yè)界對該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭論，將成為這項(xiàng)技術(shù)
-
3D封裝仍面臨嚴(yán)峻成本挑戰(zhàn)
高通(Qualcomm) 先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的矽穿孔(TSV)來實(shí)現(xiàn)晶片堆疊的量產(chǎn)以前，這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場。他同時(shí)指出，業(yè)界對該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭論，將成為這項(xiàng)技
-
3D封裝量產(chǎn)用 全面非接觸型投影曝光設(shè)備UX4-3Di FFPL200上市
林稼弘 USHIO電機(jī)株式會社針對半導(dǎo)體Silicon貫通電極(Through-silicon via；TSV)、Silicon Interposer等3D封裝技術(shù)，開發(fā)出世界首創(chuàng)Φ200 mm(Φ8 inch)全面非接觸型投影曝光設(shè)備「UX4-3Di FFPL200」，并于即日起于臺
-
φ200mm 3D封裝量產(chǎn)用非接觸型投影曝光設(shè)備UX4-3Di FFPL200上市
USHIO電機(jī)株式會社針對半導(dǎo)體Silicon貫通電極(Through-silicon via；TSV)、Silicon Interposer等3D封裝技術(shù)，開發(fā)出世界首創(chuàng)Φ200 mm(Φ8 inch)全面非接觸型投影曝光設(shè)備「UX4-3Di FFPL200」，并于即日起于臺灣市場開
-
膠水粘合芯片有望提高電腦運(yùn)算速度1000倍
電腦制造商IBM已經(jīng)與一個膠水專家合作，利用膠水把一層層芯片粘在一起，研制 “摩天樓(skyscraper)”電腦。它希望通過這種方式，可以令手機(jī)和PC的速度提高1000倍。這種產(chǎn)品有望在2013年上市。3M公司還生產(chǎn)
-
IBM研發(fā)新型膠水堆疊硅片 真正實(shí)現(xiàn)芯片3D封裝
據(jù)英國《每日電訊報(bào)》9月8日報(bào)道，IBM正在和以生產(chǎn)工業(yè)用膠帶著名的3M公司聯(lián)合研發(fā)一種新膠水，將多層硅片層堆疊起來，真正實(shí)現(xiàn)芯片的3D封裝。 科學(xué)家們希望能采用這種3D封裝技術(shù)，制造出擁有100層硅的芯片，這種芯
