科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,截至2011 年 4 月,公司的無線射頻(RF)業(yè)務(wù)部門已出貨的商用碳化硅襯底氮化鎵 (GaN-on-SiC) RF 功率晶體管和 MMIC 產(chǎn)品的合計(jì) RF 輸出功率已突破 10 兆瓦。這一里程碑式成果充
21ic訊 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司近日宣布,推出業(yè)界首款針對(duì)高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅(qū)
歐洲微電子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC)與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長(zhǎng)GaN/AlGaN的技術(shù)。借助這項(xiàng)新技術(shù),GaN MISHEMTs( metal-insulator semiconductor high-elect
IMEC(Interuniversity MicroELectronics Centre,歐洲微電子研究中心)近日發(fā)布其最新的硅襯底晶片。在一項(xiàng)名為氮化鎵工業(yè)聯(lián)盟計(jì)劃(IIAP)的研發(fā)項(xiàng)目里,IMEC與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅晶片上生長(zhǎng)GaN/AlGa
德國(guó)MOCVD設(shè)備大廠愛思強(qiáng)(AIXTRON)日前宣布,接獲來自韓國(guó)三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIX G5 HT MOCVD Planetary Reactor®設(shè)備訂單。 三星此次訂購(gòu)的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設(shè)備,主要用來生產(chǎn)用于
德國(guó)MOCVD設(shè)備大廠愛思強(qiáng)(AIXTRON)日前宣布,接獲來自韓國(guó)三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIXG5HTMOCVDPlanetaryReactor®設(shè)備訂單。三星此次訂購(gòu)的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設(shè)備,主要用來生產(chǎn)用于電視背光及固
德國(guó)MOCVD設(shè)備大廠愛思強(qiáng)(AIXTRON)日前宣布,接獲來自韓國(guó)三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIX G5 HT MOCVD Planetary Reactor®設(shè)備訂單。三星此次訂購(gòu)的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設(shè)備,主要用來生產(chǎn)用于電視背光
據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),三星電子(SamsungElectronics)1990年代受到專利訴訟、國(guó)際貨幣基金組織(IMF)危機(jī)等,1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè),歷經(jīng)12年,三星又再度著手進(jìn)行該事業(yè)。從數(shù)年前開始,以三星電子綜合
據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics) 1990年代受到專利訴訟、國(guó)際貨幣基金組織(IMF)危機(jī)等,1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè),歷經(jīng)12年,三星又再度著手進(jìn)行該事業(yè)。從數(shù)年前開始,以三星電子
日前,美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院研究人員發(fā)現(xiàn),在LED的藍(lán)寶石襯底和氮化鎵層的交界處進(jìn)行納米級(jí)蝕刻,使LED產(chǎn)生綠光,可極大改進(jìn)光提取、內(nèi)部效率和發(fā)光量等方面。 電腦顯示器和電視機(jī)是通過紅色、藍(lán)色和綠色來顯示顏色的,
為因應(yīng)持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,發(fā)光二極體(LED)的制造商正積極擴(kuò)充新的產(chǎn)能,連帶使得LED的關(guān)鍵制程設(shè)備──有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)機(jī)臺(tái)出貨量不斷攀升。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS的Reseach指出,盡管2010年下半年的LED市場(chǎng)需
為因應(yīng)持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,發(fā)光二極體(led)的制造商正積極擴(kuò)充新的產(chǎn)能,連帶使得LED的關(guān)鍵制程設(shè)備──有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)機(jī)臺(tái)出貨量不斷攀升。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IMS的Reseach指出,盡管2010年下半年的LED市
擁有阿拉伯財(cái)閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu),比利時(shí)的IMEC簽署了一項(xiàng)關(guān)于在亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)和硅上氮化鎵(GaN-on-Si:可用于制造固態(tài)照明器件,功率器件和射頻電路器件等)技術(shù)結(jié)成長(zhǎng)
普瑞光電(Bridgelux)是一家美國(guó)LED照明的開發(fā)商與制造商,該公司近日宣布,他們已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)了最新的基于硅襯底的LED制造技術(shù)研發(fā)成果。該技術(shù)主要使用成本較低的硅來取代目前使用的更昂貴的制造材料。該公司相關(guān)負(fù)
美國(guó)-普瑞光電( www.bridgelux.com )近日正式對(duì)外宣布其基于實(shí)驗(yàn)室的最新技術(shù)研發(fā)成就:每瓦135流明的基于硅襯底的氮化鎵LED。 GaN-on-silicon LEDs 技術(shù)一直以來被業(yè)界認(rèn)為是快速降低LED生產(chǎn)成本的利器,過去幾年也
美國(guó)《防務(wù)新聞》周刊網(wǎng)站2月28日?qǐng)?bào)道 原題:經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間研發(fā),國(guó)防業(yè)有了高性能芯片(記者戴夫·馬宗達(dá))美國(guó)國(guó)防工業(yè)及政府官員表示,新一代電子芯片將注定給軍事電子市場(chǎng)帶來革命性的變化。美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究
日前外媒報(bào)導(dǎo),北卡羅萊納州立大學(xué)發(fā)現(xiàn)了一種通過降低氮化鎵薄薄膜中的2~3個(gè)數(shù)量級(jí)缺陷,來提高LED發(fā)光材料的質(zhì)量的新技術(shù)。 研究人員介紹,通過該技術(shù),相同的輸入電能能夠多產(chǎn)生2倍的輸出光能,對(duì)于低電能輸入和紫
美國(guó)北卡羅來納州立大學(xué)(NCSU)的研究人員最近提出了一種新的的氮化鎵生長(zhǎng)工藝,據(jù)稱和現(xiàn)有工藝比較,這一新工藝有望把材料的缺陷減低千分之一,從而使得那些基于氮化鎵的LED發(fā)光二極管、功率器件等的輸出能力增加一倍
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高能源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國(guó)半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項(xiàng)目。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在開
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國(guó)半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項(xiàng)目。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在