據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo),三星電子(SamsungElectronics)1990年代受到專利訴訟、國際貨幣基金組織(IMF)危機(jī)等,1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè),歷經(jīng)12年,三星又再度著手進(jìn)行該事業(yè)。從數(shù)年前開始,以三星電子綜合
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics) 1990年代受到專利訴訟、國際貨幣基金組織(IMF)危機(jī)等,1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè),歷經(jīng)12年,三星又再度著手進(jìn)行該事業(yè)。從數(shù)年前開始,以三星電子
日前,美國倫斯勒理工學(xué)院研究人員發(fā)現(xiàn),在LED的藍(lán)寶石襯底和氮化鎵層的交界處進(jìn)行納米級蝕刻,使LED產(chǎn)生綠光,可極大改進(jìn)光提取、內(nèi)部效率和發(fā)光量等方面。 電腦顯示器和電視機(jī)是通過紅色、藍(lán)色和綠色來顯示顏色的,
為因應(yīng)持續(xù)增長的市場需求,發(fā)光二極體(LED)的制造商正積極擴(kuò)充新的產(chǎn)能,連帶使得LED的關(guān)鍵制程設(shè)備──有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)機(jī)臺出貨量不斷攀升。市場研究機(jī)構(gòu)IMS的Reseach指出,盡管2010年下半年的LED市場需
為因應(yīng)持續(xù)增長的市場需求,發(fā)光二極體(led)的制造商正積極擴(kuò)充新的產(chǎn)能,連帶使得LED的關(guān)鍵制程設(shè)備──有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)機(jī)臺出貨量不斷攀升。市場研究機(jī)構(gòu)IMS的Reseach指出,盡管2010年下半年的LED市
擁有阿拉伯財閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu),比利時的IMEC簽署了一項關(guān)于在亞22nm節(jié)點制程CMOS技術(shù)和硅上氮化鎵(GaN-on-Si:可用于制造固態(tài)照明器件,功率器件和射頻電路器件等)技術(shù)結(jié)成長
普瑞光電(Bridgelux)是一家美國LED照明的開發(fā)商與制造商,該公司近日宣布,他們已經(jīng)成功實現(xiàn)了最新的基于硅襯底的LED制造技術(shù)研發(fā)成果。該技術(shù)主要使用成本較低的硅來取代目前使用的更昂貴的制造材料。該公司相關(guān)負(fù)
美國-普瑞光電( www.bridgelux.com )近日正式對外宣布其基于實驗室的最新技術(shù)研發(fā)成就:每瓦135流明的基于硅襯底的氮化鎵LED。 GaN-on-silicon LEDs 技術(shù)一直以來被業(yè)界認(rèn)為是快速降低LED生產(chǎn)成本的利器,過去幾年也
美國《防務(wù)新聞》周刊網(wǎng)站2月28日報道 原題:經(jīng)過長時間研發(fā),國防業(yè)有了高性能芯片(記者戴夫·馬宗達(dá))美國國防工業(yè)及政府官員表示,新一代電子芯片將注定給軍事電子市場帶來革命性的變化。美國國防部高級研究
日前外媒報導(dǎo),北卡羅萊納州立大學(xué)發(fā)現(xiàn)了一種通過降低氮化鎵薄薄膜中的2~3個數(shù)量級缺陷,來提高LED發(fā)光材料的質(zhì)量的新技術(shù)。 研究人員介紹,通過該技術(shù),相同的輸入電能能夠多產(chǎn)生2倍的輸出光能,對于低電能輸入和紫
美國北卡羅來納州立大學(xué)(NCSU)的研究人員最近提出了一種新的的氮化鎵生長工藝,據(jù)稱和現(xiàn)有工藝比較,這一新工藝有望把材料的缺陷減低千分之一,從而使得那些基于氮化鎵的LED發(fā)光二極管、功率器件等的輸出能力增加一倍
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高能源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在開
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國半導(dǎo)體和#LINKKEYWORD0#行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在
MILMEGA有限公司總經(jīng)理 Pat Moore 氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體(Si LDMOS)和砷化鎵(GaAs)晶體管技術(shù)以及某些特定應(yīng)用中的真空管。 與現(xiàn)有技術(shù)相比,
一條完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈由幾個環(huán)節(jié)構(gòu)成,從上游的襯底材料、外延片和芯片制造,到中游的封裝,再到下游的應(yīng)用,技術(shù)特征和資本特征差異很大,行業(yè)進(jìn)入門檻逐步降低。據(jù)媒體報道,我國LED產(chǎn)業(yè)具有典型的不均衡產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),2008年
一條完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈由幾個環(huán)節(jié)構(gòu)成,從上游的襯底材料、外延片和芯片制造,到中游的封裝,再到下游的應(yīng)用,技術(shù)特征和資本特征差異很大,行業(yè)進(jìn)入門檻逐步降低。據(jù)媒體報道,我國LED產(chǎn)業(yè)具有典型的不均衡產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),2008年
美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員利用氮化鎵(gallium nitride,GaN)材料做成的晶圓片,制造出一種內(nèi)含硅晶體管的芯片;雖然該種芯片大部分的晶體管仍是以硅制成,但其余的氮化鎵晶體管性能更高。 目前的研究人員試圖