高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴展其RFMD 業(yè)界領先的氮化鎵工藝技術，以包括功率轉換應用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新技術。

RFMD 推出的最新氮化鎵工藝技術– rGaN-HV? -- 可在功率轉換應用（1 至50 KW）中大幅度降低系統(tǒng)成本和能量消耗。RFMD 推出的 rGaN-HV 技術可為器件實現(xiàn)高達900 伏特的擊穿電壓，具有高峰值電流功能并可在氮化鎵電源開關和二極管之間進行超快速切換。這項新技術可補充 RFMD 的 GaN1工藝技術，而GaN1工藝技術是專為高功率射頻應用而優(yōu)化并提供超過 400 伏特的高擊穿電壓；RFMD 的 GaN2 工藝技術專為高線性度應用而設計并提供超過 300 伏特的高擊穿電壓。RFMD 將會在北卡羅來納州、格林斯伯勒的晶圓廠 （fab） 為客戶制造這些分立式功率部件，并為代工客戶提供 rGaN-HV 技術以使其能定制功率器件解決方案。

RFMD 總裁兼首席執(zhí)行官Bob Bruggeworth 表示：“全球對通過提高能源轉換效率來節(jié)省能源的需求為基于RFMD 氮化鎵功率工藝技術的高性能功率器件創(chuàng)造了巨大的機會。我們期望我們推出的最新氮化鎵功率工藝技術將會擴大我們在高電壓功率半導體市場中的機會，而且，我們很高興能夠為外部的代工客戶提供rGaN-HV 技術，支持他們在高性能功率器件市場上獲得成功。”

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