晶圓
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蘋果想找代工？里昂：英特爾要到2015年才有余裕
barron`s.com報(bào)導(dǎo)，里昂證券分析師Srini Pajjuri 7日發(fā)表研究報(bào)告指出，假設(shè)英特爾 ( Intel Corp .)同意為蘋果 ( Apple Inc. ) 生產(chǎn)客制化的ARM架構(gòu)處理器，那么估計(jì)蘋果在2014年每個(gè)月會(huì)需要85,000片采用22 奈米制程
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聯(lián)電4月營收增11% 符合預(yù)期
聯(lián)電 (2303)今(8)日公布4月營收，月增11.4%來到91.25億元，年減4.59%。聯(lián)電日前于法說會(huì)表示，客戶庫存調(diào)整已于第一季告一段落，第一季為全年谷底態(tài)勢確立。而受益于通訊及消費(fèi)性電子訂單增加，第二季晶圓出貨量將有
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18寸晶圓14奈米研發(fā)人員 進(jìn)駐臺(tái)大竹北分部校區(qū)
臺(tái)大土木系「高科技廠房設(shè)施研究中心」研發(fā)人員將于5月中旬進(jìn)駐竹北分部校區(qū)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，預(yù)期將在3至5年內(nèi)進(jìn)入18寸(450mm)晶圓之量產(chǎn)及14奈米之制程。這種具前瞻性的大幅發(fā)展，不但將提升臺(tái)灣在國際間
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18寸晶圓14奈米研發(fā)人員 進(jìn)駐臺(tái)大竹北分部校區(qū)
臺(tái)大土木系「高科技廠房設(shè)施研究中心」研發(fā)人員將于5月中旬進(jìn)駐竹北分部校區(qū)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，預(yù)期將在3至5年內(nèi)進(jìn)入18寸(450mm)晶圓之量產(chǎn)及14奈米之制程。這種具前瞻性的大幅發(fā)展，不但將提升臺(tái)灣在國際間
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18寸晶圓14奈米研發(fā)人員 進(jìn)駐臺(tái)大竹北分部校區(qū)
臺(tái)大土木系「高科技廠房設(shè)施研究中心」研發(fā)人員將于5月中旬進(jìn)駐竹北分部校區(qū)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，預(yù)期將在3至5年內(nèi)進(jìn)入18寸(450mm)晶圓之量產(chǎn)及14奈米之制程。這種具前瞻性的大幅發(fā)展，不但將提升臺(tái)灣在國際間
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格羅方德新技術(shù) 為移動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D晶片堆疊
格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布新技術(shù)，將可為新一代的行動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用實(shí)現(xiàn)三維（3D）晶片堆疊，位于紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產(chǎn)工具，可在半導(dǎo)體晶圓上建立矽穿孔（TSV）技術(shù)，作業(yè)于20奈米技術(shù)
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璨圓光電再次訂購愛思強(qiáng)CRIUS II-XL 及 G5 HT系統(tǒng)
德國愛思強(qiáng)股份有限公司今日宣布，長期客戶璨圓光電已經(jīng)簽定新訂單訂購若干MOCVD系統(tǒng)。該訂單包括4個(gè)19x4英寸的晶圓配置CRIUS II-XL系統(tǒng)及2個(gè)14x4英寸的晶圓配置G5 HT反應(yīng)器，該系統(tǒng)將用于制造超高亮度 (Ultra-High
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日月光擬海外私募可轉(zhuǎn)債90億元
IC封測龍頭日月光(2311)董事會(huì)決議擬發(fā)行海外私募可轉(zhuǎn)換公司債，最高發(fā)行額度為90億元。 日月光表示，為因應(yīng)資本支出、充實(shí)營運(yùn)資金、償還銀行借款、轉(zhuǎn)投資等一個(gè)或多個(gè)用途，董事會(huì)決議擬發(fā)行海外私募可轉(zhuǎn)換公司債
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專家精講：制備高亮度LED的等離子刻蝕技術(shù)
1、簡介每個(gè)HBled制造商的目標(biāo)都是花更少的錢獲得更多的光輸出。面對強(qiáng)大的競爭和眾多技術(shù)障礙，至關(guān)重要的是所有的生產(chǎn)步驟的推進(jìn)都要產(chǎn)生最佳的效果。優(yōu)化的等離子刻蝕提供了幾種方法以改善器件的輸出并降低制造成
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SEMI：2012年全球光罩市場規(guī)模可達(dá)33.5億美元
SEMI 最新報(bào)告預(yù)測，全球光罩(photomask)市場規(guī)?？稍?2012年達(dá)到33.5億美元，較 2011年成長7%；該市場規(guī)模數(shù)字意味著光罩市場連續(xù)第三年創(chuàng)營收新高紀(jì)錄，SEMI并預(yù)測2013年與2014年該市場將各成長4%與3%。 根據(jù)SEMI
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格羅方德晶圓八廠實(shí)現(xiàn)20奈米3D晶片制程技術(shù)
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布新技術(shù)，將可為新一代的行動(dòng)與消費(fèi)性應(yīng)用實(shí)現(xiàn)三維(3D)晶片堆疊，位于紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產(chǎn)工具，可在半導(dǎo)體晶圓上建立矽穿孔(TSV)技術(shù)，作業(yè)于20奈米技術(shù)平臺(tái)上
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用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器
I．介紹需要大面積光電探測器陣列的應(yīng)用通常使用基于無定形光電探測器（即無定型硅或無定型硒）的固體靜態(tài)探測器，使設(shè)備的電子性能受到限制。最近幾年來，這類傳感器已在各種X射線應(yīng)用中得到了廣泛使用，如乳房X線照
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MEMS創(chuàng)新工藝解決微型MEMS的無縫互連挑戰(zhàn)
如果你正在尋求挑戰(zhàn)，那么就試試將微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)IC 和傳統(tǒng)IC 以及其它MEMS IC互連吧。MEMS 技術(shù)涉及到許多不同功能之間的高層集成。MEMS 芯片的集成通常是指電子和機(jī)械功能的集成。那么這種工藝的最終目標(biāo)是什么呢
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搶攻節(jié)能商機(jī)日本產(chǎn)官學(xué)合組SiC晶片研發(fā)團(tuán)隊(duì)
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所(產(chǎn)總研)27日發(fā)布新聞稿宣布，攜手富士電機(jī)(FujiElectric)、住友電工(SumitomoElectricIndustries)、ALVAC等16家日本企業(yè)設(shè)立的電源控制晶片共同研發(fā)團(tuán)隊(duì)「TsukubaPower-ElectronicsConstella
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崇越1Q業(yè)績
崇越為信越半導(dǎo)體矽晶圓、光阻液等材料獨(dú)家代理商，第1季由于臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能滿載，拉升單一營收新臺(tái)幣至30.8億元，比起上季僅下滑1%，年減12.63%；毛利率12.3%，也比起上季提升2.23個(gè)百分點(diǎn)，但與2011年同期的13
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臺(tái)積電調(diào)高資本支出加速20nm制程
臺(tái)積電(TSMC)日前發(fā)布2012年第一季營收表現(xiàn)以及針對第二季的營運(yùn)展望，同時(shí)也宣布將調(diào)高2012年計(jì)劃的資本支出至80-85億美元，以因應(yīng)對于28nm制程的市場需求，以及加速建置20nm制程產(chǎn)能。臺(tái)積電表示，由于市場對于28n
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NAND Flash的應(yīng)用推動(dòng)18寸晶圓的誕生
因?yàn)楹馁M(fèi)成本高，所以過去2年業(yè)界都不看好18寸晶圓，設(shè)備商也不愿意在開發(fā)相關(guān)機(jī)臺(tái)上投資，而Global 450 Consortium聯(lián)盟的形成，加上SSD需求崛起，NAND Flash將會(huì)有大消耗，而臺(tái)積電、英特爾、三星態(tài)度也越來越明朗
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專家精講：制備高亮度LED的等離子刻蝕技術(shù)
1、簡介每個(gè)HBled制造商的目標(biāo)都是花更少的錢獲得更多的光輸出。面對強(qiáng)大的競爭和眾多技術(shù)障礙，至關(guān)重要的是所有的生產(chǎn)步驟的推進(jìn)都要產(chǎn)生最佳的效果。優(yōu)化的等離子刻蝕提供了幾種方法以改善器件的輸出并降低制造成
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臺(tái)積電報(bào)佳音封測雙雄搶先機(jī)
半導(dǎo)體大廠法說會(huì)報(bào)佳音，晶圓教父臺(tái)積電（2330）董事長張忠謀看好半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)后市，釋出調(diào)升資本支出為80到85億美元的題材，封測雙雄日月光（2311 ）及矽品（2325）景氣亦被看好受惠連動(dòng)成長，相關(guān)權(quán)證可望搶得先機(jī)
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◆看好需求 封測雙雄搶高階封裝
智慧型手機(jī)和平板電腦帶動(dòng)高階晶片封測需求，日月光和矽品為積極擴(kuò)展高階封裝產(chǎn)能，今年上修資本支出規(guī)模，集中投入在第2季和第3季，同時(shí)調(diào)高今年高階封裝產(chǎn)能。 封測雙雄日月光(2311)和矽品(2325)對第2季開始市場
