晶圓
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高盛調(diào)降晶圓雙雄投資評等
外資圈對歐債危機(jī)，導(dǎo)致全球經(jīng)濟(jì)成長趨緩、恐迫使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存水位攀升的疑慮越來越高，美商高盛證券半導(dǎo)體分析師呂東風(fēng)昨（1）日將臺(tái)積電與聯(lián)電投資評等分別調(diào)降至「中立」與「賣出」，目標(biāo)價(jià)分別為80與12元。
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12類半導(dǎo)體晶圓設(shè)備未經(jīng)許可登陸仍罰
經(jīng)濟(jì)部國貿(mào)局近日修正輸往中國大陸的戰(zhàn)略性高科技貨品（SHTC）管制項(xiàng)目，國貿(mào)局長卓士昭昨（31）日表示，SHTC管制出口地將中國大陸除名，不過，廠商如果未經(jīng)許可出口12類半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備至大陸，仍將遭受刑事處罰
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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新研發(fā)定向自組裝技術(shù)掃清14nm節(jié)點(diǎn)障礙
由半導(dǎo)體研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所資助的一個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)日前宣布，已經(jīng)開發(fā)出一種新穎的自組裝技術(shù)，該技術(shù)之前僅在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，但現(xiàn)在已經(jīng)能針對14nm半導(dǎo)體工藝完善地建立所需的不規(guī)則圖案了。
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精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底 大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED
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新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底 大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED
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新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底 大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED
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砸34億美元三星加碼非記憶體晶片
南韓三星電子日前宣布，計(jì)劃在其晶片生產(chǎn)作業(yè)集中的京畿道華城，投資4兆韓元（約34億美元）興建一座新的非記憶體晶片廠。因?yàn)樵谥腔坌褪謾C(jī)和平板電腦等需求帶動(dòng)下，非記憶體晶片將是三星下一個(gè)金雞母。這座新廠將成為
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砸34億美元三星加碼非記憶體晶片
南韓三星電子日前宣布，計(jì)劃在其晶片生產(chǎn)作業(yè)集中的京畿道華城，投資4兆韓元（約34億美元）興建一座新的非記憶體晶片廠。因?yàn)樵谥腔坌褪謾C(jī)和平板電腦等需求帶動(dòng)下，非記憶體晶片將是三星下一個(gè)金雞母。 這座新廠將
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精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底 大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在硅襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED
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SEMI：南韓12寸晶圓 2012年成長10%以上
國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)（SEMI）表示，近10年來，韓國的半導(dǎo)體投資一直呈現(xiàn)穩(wěn)定成長的趨勢，尤其在Samsung與Hynix在記憶體領(lǐng)域的強(qiáng)勢領(lǐng)導(dǎo)下。韓國12寸晶圓的產(chǎn)能從2002年起迅速成長，2011年有9%的成長率，而2012年
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LED銷售額：2020將12倍于2012
國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)(SEMI)日前發(fā)表研究報(bào)告指出，全球LED制造設(shè)備支出在2011年大增36%后，預(yù)期2012年將會(huì)下滑18%。該機(jī)構(gòu)并表示，2012年全球LED月產(chǎn)能將會(huì)達(dá)200萬片晶圓(以4?晶圓來計(jì)算)，較2011年上升27%。根據(jù)
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LED銷售額：2020將12倍于2012
國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)(SEMI)日前發(fā)表研究報(bào)告指出，全球LED制造設(shè)備支出在2011年大增36%后，預(yù)期2012年將會(huì)下滑18%。該機(jī)構(gòu)并表示，2012年全球LED月產(chǎn)能將會(huì)達(dá)200萬片晶圓(以4?晶圓來計(jì)算)，較2011年上升27%。根據(jù)
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中芯擬夥京政府組合資
香港文匯報(bào)訊（記者 劉璇）中芯國際（0981）宣布，與北京市政府計(jì)劃成立合資企業(yè)，擴(kuò)大中芯國際的生產(chǎn)設(shè)施。北京經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)、北京開發(fā)區(qū)管委會(huì)，與該公司全資附屬公司中芯北京將于今日訂立無法律約束力的合作
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中芯攜手北京市府 晶圓擴(kuò)產(chǎn)
大陸晶圓代工龍頭中芯國際，擬與北京市政府組建晶圓生產(chǎn)的合資企業(yè)，建設(shè)中芯北京二期項(xiàng)目；雙方在昨（15）日簽署框架協(xié)議，目標(biāo)12寸晶圓月產(chǎn)能達(dá)7萬片。中芯國際在港交所公告指出，中芯北京已和北京市經(jīng)濟(jì)和信息化委
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中芯國際擬與北京市政府組建合資企業(yè)
中國內(nèi)地產(chǎn)能最大的芯片生產(chǎn)商中芯國際公告表示，公司周二與北京經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)、北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽訂無法律約束力的合作框架文件，共同組建合資企業(yè)，在北京開發(fā)12英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)施，重點(diǎn)生產(chǎn)45至
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中芯攜手北京市府 晶圓擴(kuò)產(chǎn)
大陸晶圓代工龍頭中芯國際，擬與北京市政府組建晶圓生產(chǎn)的合資企業(yè)，建設(shè)中芯北京二期項(xiàng)目；雙方在昨（15）日簽署框架協(xié)議，目標(biāo)12寸晶圓月產(chǎn)能達(dá)7萬片。中芯國際在港交所公告指出，中芯北京已和北京市經(jīng)濟(jì)和信息化委
