工研院IEK產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,中國大陸在IC封測業(yè)急起直追,國際IDM廠透過獨(dú)資或合資方式,已與大陸廠商建立密切關(guān)系,撐起大陸IC封測業(yè)局面。 IEK26日舉辦「2012年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)走出混沌蓄勢奮起」研討會(huì),IEK
工研院IEK產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,中國大陸在IC封測業(yè)急起直追,國際IDM廠透過獨(dú)資或合資方式,已與大陸廠商建立密切關(guān)系,撐起大陸IC封測業(yè)局面。 IEK26日舉辦「2012年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)走出混沌蓄勢奮起」研討會(huì),IEK
隨著晶圓和其它邏輯制造廠增加30奈米以下的生產(chǎn),晶圓制造設(shè)備于2012初始表現(xiàn)強(qiáng)勁。但是,根據(jù)Gartner最新報(bào)告,2012年全球晶圓制造設(shè)備(WFE)支出預(yù)期為330億美元,較2011年362億美元的支出規(guī)模衰退了8.9%。Gartne
工研院IEK產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,中國大陸在IC封測業(yè)急起直追,國際IDM廠透過獨(dú)資或合資方式,已與大陸廠商建立密切關(guān)系,撐起大陸IC封測業(yè)局面。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心(IEK)26日早上舉辦「2012年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)
工研院IEK產(chǎn)業(yè)分析師陳玲君表示,中國大陸在IC封測業(yè)急起直追,國際IDM廠透過獨(dú)資或合資方式,已與大陸廠商建立密切關(guān)系,撐起大陸IC封測業(yè)局面。 中央社26日報(bào)導(dǎo),工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心(IEK)今天早上
隨著晶圓和其它邏輯制造廠增加30奈米以下的生產(chǎn), 晶圓制造設(shè)備于2012初始表現(xiàn)強(qiáng)勁。但是,根據(jù)Gartner最新報(bào)告,2012年全球晶圓制造設(shè)備(WFE)支出預(yù)期為330億美元,較2011年362億美元的支出規(guī)模衰退了8.9%。Gartn
根據(jù)EnergyTrend的數(shù)據(jù)顯示,受到歐洲經(jīng)濟(jì)狀況仍不穩(wěn)定的影響,消息指出歐洲部分電廠投資案因而受到牽連,進(jìn)度不如預(yù)期。另一方面,原本市場對于第三季訂單有相當(dāng)期待,在此次InterSolar展會(huì)中結(jié)束后出現(xiàn)變化,目前看
根據(jù)EnergyTrend的數(shù)據(jù)顯示,受到歐洲經(jīng)濟(jì)狀況仍不穩(wěn)定的影響,消息指出歐洲部分電廠投資案因而受到牽連,進(jìn)度不如預(yù)期。另一方面,原本市場對于第三季訂單有相當(dāng)期待,在此次InterSolar展會(huì)中結(jié)束后出現(xiàn)變化,目前看
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
半導(dǎo)體矽晶圓廠商合晶 (6182)董事長焦平海19日表示,國際半導(dǎo)體矽晶圓大廠近幾年來陸續(xù)將資源投注重心放在12吋市場,削減其效益不彰的8吋矽晶圓產(chǎn)能,然8吋市場需求熱度不減,尤其半導(dǎo)體制造轉(zhuǎn)往亞洲區(qū)的趨勢明顯,合
旺矽(6223)第2季來接單持續(xù)轉(zhuǎn)強(qiáng),除了晶圓探針卡接單滿載,LED測試設(shè)備接單也在6月出現(xiàn)強(qiáng)勁成長,月增率達(dá)15%,因此6月營收有機(jī)會(huì)較5月成長10~20%,第2季營收將較首季大增50~60%,營運(yùn)明顯走出谷底。 旺矽營
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
(記者鐘榮峰新竹15日電)記憶體封測廠力成董事長蔡篤恭表示,預(yù)估最快2年內(nèi),力成全年合并營業(yè)額規(guī)模,可進(jìn)入全球封測產(chǎn)業(yè)前四大。力成今天上午在新竹明新科技大學(xué)召開股東會(huì),議事進(jìn)行相當(dāng)順利,不到半小時(shí)股東會(huì)便宣
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
晶圓雙雄通訊客戶頻頻報(bào)喜,高通釋出28奈米產(chǎn)能已獲滿足,德儀(TI)第2季財(cái)測優(yōu)于預(yù)期,顯示晶圓雙雄臺(tái)積電(2330)與聯(lián)電營運(yùn)多頭未變,股價(jià)再添有利支撐。臺(tái)積電昨日下跌0.8元,收在79.2元。聯(lián)電下跌0.15元,收在
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
更快的處理器和復(fù)雜的移動(dòng)設(shè)備讓芯片在實(shí)現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計(jì)逐漸延伸到40nm以下,甚至達(dá)到28nm,受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響,芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點(diǎn),晶圓加工廠商仍可以在小基板上
新竹縣尖石鄉(xiāng)昨(13)日二度發(fā)生里氏規(guī)模逾4級地震,一度驚傳晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電位于竹科園區(qū)內(nèi)產(chǎn)線發(fā)生破片狀況,據(jù)了解,影響程度尚在調(diào)查中,并未波及廠商的正常營運(yùn)。 昨下午4時(shí)22分新竹發(fā)生里氏規(guī)模4.9級