晶圓
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消息稱日本半導(dǎo)體巨頭東京威力科創(chuàng)遵守美實(shí)體清單：加入斷供行列
美國(guó)將華為列入實(shí)體清單，已經(jīng)影響到了一些大眾熟知的科技企業(yè)，如谷歌、微軟等與華為的業(yè)務(wù)往來(lái)。如果單以半導(dǎo)體領(lǐng)域來(lái)看，影響也是不容小覷。據(jù)外媒報(bào)道，日本最大、世界第三的半導(dǎo)體成膜、蝕刻設(shè)備公司東京威力科
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全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將面臨10年來(lái)首次負(fù)成長(zhǎng)
根據(jù)集邦科技旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告統(tǒng)計(jì)，今年第2季需求持續(xù)疲弱，各廠營(yíng)收普遍較去年同期下滑，拓墣預(yù)估，今年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將面臨10年來(lái)首次負(fù)成長(zhǎng)，總產(chǎn)值較2018年衰退近3%。在全球十大晶圓代工
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日本半導(dǎo)體進(jìn)軍中國(guó)？已在中國(guó)占據(jù)六成份額
在中美貿(mào)易摩擦背景下，日本生產(chǎn)半導(dǎo)體材料和設(shè)備零部件的磁性技術(shù)控股公司選擇繼續(xù)面向中國(guó)開(kāi)展高水平設(shè)備投資。
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全球 NAND 閃存連跌 6 季度，威剛公司等待 SSD 漲價(jià)？
從去年初到現(xiàn)在，全球NAND閃存市場(chǎng)已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。
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三星：7nm EUV工藝明年1月量產(chǎn) 已完成5nm研發(fā)
日前三星在韓國(guó)又舉行了新一輪晶圓代工制造論壇會(huì)議，參與的人數(shù)比之前多了40%，超過(guò)500多名無(wú)晶圓廠芯片客戶與會(huì)，副總晶圓代工業(yè)務(wù)的三星副總裁Jung Eun-seung公布了三星在半導(dǎo)體制造工藝上的進(jìn)展。
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中芯晶圓首個(gè)項(xiàng)目進(jìn)入送樣試產(chǎn)階段，有望10月實(shí)現(xiàn)8英寸硅片的量產(chǎn)？
6月30日，杭州中芯晶圓半導(dǎo)體股份有限公司的首批8英寸(200mm)半導(dǎo)體硅拋光片順利下線。
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受東芝停電事故影響，NAND 晶圓供應(yīng)恐將下跌？
東芝存儲(chǔ)與合作伙伴西部數(shù)據(jù)在周五披露，6月15日位于日本工廠的13分鐘的停電造成了生產(chǎn)設(shè)施停工，預(yù)計(jì)在7月中旬才能恢復(fù)運(yùn)營(yíng)。
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合晶：貿(mào)易戰(zhàn)影響硅晶圓的需求
6月25日，硅晶圓廠合晶召開(kāi)股東常會(huì)，董事長(zhǎng)焦平海表示，目前市場(chǎng)上仍充滿中美貿(mào)易戰(zhàn)下的不確定性影響，影響到對(duì)硅晶圓的需求。
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鴻海要自建晶圓廠？回應(yīng)：和夏普進(jìn)行整合而已
鴻海精密工業(yè)股份有限公司近年來(lái)一直被傳言會(huì)建兩座晶圓廠，所以鴻海會(huì)否步入半導(dǎo)體晶圓領(lǐng)域也是業(yè)界十分關(guān)心的問(wèn)題。傳言還說(shuō)道，鴻海將建的晶圓廠會(huì)由夏普公司的董事會(huì)成員劉揚(yáng)偉負(fù)責(zé)。對(duì)于此，鴻海代理董事長(zhǎng)呂芳
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集成電路研討會(huì)中臺(tái)積電秀出自研芯片，竟采用了雙芯片設(shè)計(jì)？
六月初，在日本東京舉辦的超大規(guī)模集成電路研討會(huì)中，臺(tái)積電秀出了自家設(shè)計(jì)的一塊芯片。在參數(shù)方面，這塊芯片采用7nm工藝，尺寸為4.4x6.2mm，封裝工藝為晶圓基底封裝，采用了雙芯片結(jié)構(gòu)，其一內(nèi)建4個(gè)Cortex A72核心，另一內(nèi)建6MiB三緩。
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臺(tái)積電：每年投入100億美金，力爭(zhēng)技術(shù)領(lǐng)先
根據(jù)最新報(bào)告，臺(tái)積電今年Q2季度占據(jù)了全球晶圓代工市場(chǎng)份額的49.2%，一家就相當(dāng)于其他所有晶圓代工廠的綜合，而且他們?cè)?nm等先進(jìn)工藝上領(lǐng)先對(duì)手一年時(shí)間，目前市面上見(jiàn)到的7nm芯片全都是臺(tái)積電生產(chǎn)的，包括蘋(píng)果、海思及AMD的處理器。
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臺(tái)積電：繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能，5nm技術(shù)已有重大突破
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電全球總裁魏哲家今日表示，當(dāng)前，臺(tái)積電每年可以生產(chǎn)1200萬(wàn)片的12英寸晶圓，1100萬(wàn)片8英寸晶圓，每年增加產(chǎn)能14.3%。
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Intel為滿足14納米產(chǎn)能，暫緩以色列10納米新晶圓廠
去年由于14nm產(chǎn)能不足，Intel今年初宣布增加對(duì)美國(guó)、愛(ài)爾蘭、以色列三地的晶圓廠投資以提高產(chǎn)能。此外，Intel在以色列還將投資110億美元建造新的晶圓廠，據(jù)悉這是面向未來(lái)的10nm及7nm工藝工廠，也將是Intel在以色列最大的一筆投資，建成后也會(huì)成為Intel以色列最大的晶圓廠。
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300億元芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目落戶湖南常德
6月12日，湖南南方海綿發(fā)展有限公司與中國(guó)電子系統(tǒng)技術(shù)有限公司進(jìn)行了簽約。會(huì)上，相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)人還對(duì)中電常德芯片產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目規(guī)劃等情況進(jìn)行了介紹。
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IMT宣布提供8英寸晶圓MEMS加工服
Innovative Micro Technology, Inc.(IMT)日前正式宣布：公司現(xiàn)已可提供8英寸(200mm)晶圓微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)工藝加工服務(wù)，同時(shí)公司還可以為MEMS行業(yè)發(fā)展提供空前豐富的其他資源組合。8英寸晶圓改變了MEMS器件制造的經(jīng)濟(jì)指標(biāo)，每張晶圓可以產(chǎn)出大約為6英寸晶圓兩倍數(shù)量的器件。
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強(qiáng)慶組合，格芯與Soitec簽署SOI長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議
6月11日，根據(jù)格芯微信公眾號(hào)消息，日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI晶片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。
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格芯與Soitec簽署多項(xiàng)長(zhǎng)期SOI晶圓供應(yīng)協(xié)議，滿足5G、物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)增長(zhǎng)性需求
格芯(GLOBALFOUNDRIES)與Soitec于近日宣布，已簽署了多項(xiàng)300mm絕緣硅(SOI)晶圓的長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。協(xié)議將確保SOI晶圓的大批量供應(yīng)，以滿足格芯客戶針對(duì)射頻絕緣體上硅(RF-SOI)、全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)和硅光子技術(shù)這些差異化平臺(tái)不斷增長(zhǎng)的需求。此批即期生效協(xié)議基于雙方現(xiàn)有的密切合作關(guān)系，將在未來(lái)幾年內(nèi)確保最先進(jìn)SOI晶圓的大批量生產(chǎn)。
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芯片里面有幾千萬(wàn)的晶體管是怎么實(shí)現(xiàn)的？
撤去保護(hù), 中間那個(gè)就是Fin門(mén)部位的多晶硅/高K介質(zhì)生長(zhǎng)門(mén)部位的氧化層生長(zhǎng)長(zhǎng)成這樣源極 漏極制作(光刻+ 離子注入)初層金屬/多晶硅貼片蝕刻+成型物理氣相積淀長(zhǎng)出表面金屬層(因?yàn)槭侨S結(jié)構(gòu), 所有連
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步步緊逼！三星完成5nm工藝開(kāi)發(fā)，臺(tái)積電這口氣松不得
4月16日，三星電子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工藝技術(shù)已完成開(kāi)發(fā)，現(xiàn)已可以為客戶提供樣品。
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石墨烯單晶晶圓研究取得新進(jìn)展，批量化制備出現(xiàn)新思路
近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所石墨烯單晶晶圓研究取得新進(jìn)展。信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員謝曉明領(lǐng)導(dǎo)的石墨烯研究團(tuán)隊(duì)首次在較低溫度（750℃）條件下采用化學(xué)氣相沉積外延成功制備6英寸無(wú)褶
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